DDR 3
- Сортировать:
- Цена
- Название
- Хиты продаж
- Дата добавления
- В наличии
Сортировать:
Быстрый просмотр
3742
Оперативная память 8GB Kingston KTD-L3CL/8G DDR3L 1600 SODIMM
1 модуль памяти DDR3L
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11
Тип памяти:
DDR3L
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
1620
Оперативная память 4Gb Kingston KVR16S11S8/4 DDR3 1600 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR3 4 ГБ SODIMM 204-контактный 1600 МГц CL11
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
909
Оперативная память 8Gb Kingston KVR1333D3S9/8G DDR3 1333 SO-DIMM
Модуль памяти для ноутбука Kingston KVR1333D3S9/8G DDR3 - емкостью 8Гб, работающий с тактовой частотой 1,3 ГГц и пропускной способностью 10600 Мбит/с, с таймингами 9-9-9, с рабочим напряжением в 1,5 В,имеющий 204-контактный SODIMM-разъем.
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1333 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
10600 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
482
Оперативная память 4Gb Hynix HMT451S6BFR8A-PB DDR3L 1600 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR3L 4 ГБ SODIMM, 204-контактный 1600 МГц CL11
Тип памяти:
DDR3L
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
959
Оперативная память 4Gb Samsung M471B5273CH0-CK0 DDR3 1600 SO-DIMM 16chip
1 модуль памяти DDR3 4Гб 1600 МГц 1,5 В 204-контактный SODIMM 16 чипов
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
416
Оперативная память 4Gb Samsung M471B5173EB0-YK0 DDR3L 1600 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR3L 4 ГБ SODIMM 204-контактный 1600 МГц CL11
Тип памяти:
DDR3L
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
1646
Оперативная память 4Gb Kingston KVR16LS11/4 DDR3L 1600 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR3L
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11
Тип памяти:
DDR3L
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
1979
Оперативная память 4Gb Hynix HMT351S6CFR8C-H9 DDR3 1333 SO-DIMM 16chip
4Gb DDR3 SODIMM, 204-контактный 1333 МГц 16 чипов
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1333 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
10600 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
4390
Оперативная память 4Gb Micron MT8KTF51264HZ-1G6E1 DDR3L 1600 SO-DIMM
объем памяти: 4 ГБ
тип: DDR3L SODIMM 204-pin
тактовая частота: 1600 МГц
тайминги: 11-11-11
напряжение питания: 1.35 В
Тип памяти:
DDR3L
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
570
Оперативная память 4Gb Kingston KVR13S9S8/4G DDR3 1333 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1333 МГц
CAS Latency (CL): 9
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1333 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
10600 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
2079
Модуль памяти 4Gb Curcial DDR3L 1600 SODIMM 16chip
Тип памяти:
DDR3L
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
3931
Оперативная память 4Gb Samsung M471B5173QH0-YK0 DDR3L 1600 SODIMM
1 модуль памяти DDR3L 4 ГБ SODIMM 204-контактный 1600 МГц CL11
Тип памяти:
DDR3L
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
3958
Оперативная память 4Gb Hynix HMT351S6EFR8A-PB DDR3L 1600 SO-DIMM 16chip
4Gb Hynix HMT351S6EFR8A
1 модуль памяти DDR3L
объем модуля 4 Гб
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11
Тип памяти:
DDR3L
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
3086
Оперативная память 4Gb Crucial CT51264BF160BJ DDR-3L 1600 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR3L
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
4329
Оперативная память 4Gb Samsung M471B5273DH0-CK0 DDR3 1600 SO-DIMM 16chip
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1600 МГц
Количество чипов каждого модуля 16
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
4441
Оперативная память 4Gb Hynix HMT451S6DFR8A-PB DDR3L 1600 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR3 4 ГБ SODIMM, 204-контактный 1600 МГц
Тип памяти:
DDR3L
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
693
Оперативная память 4Gb Samsung M471B5173BH0-CK0 DDR3 1600 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
4562
Оперативная память 4Gb Samsung M471B5173BH0-YK0 DDR3L 1600 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR3L
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11
Тип памяти:
DDR3L
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
3168
Оперативная память 8Gb Patriot PSD38G16002S DDR3 1600 SODIMM
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
3910
Оперативная память 4Gb Crucial CT51264BF160B DDR3 1600 SODIMM
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
3992
Оперативная память 4Gb Hynix HMT451S6AFR8A-PB DDR3L 1600 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR3L 4 ГБ SODIMM 204-контактный 1600 МГц CL11
Тип памяти:
DDR3L
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
4476
Оперативная память 4Gb Hynix HMT351S6CFR8C-PB DDR3 1600 SODIMM 16Chip
1 модуль памяти DDR3 4 ГБ SODIMM 204-контактный 1600 МГц
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
5539
Оперативная память 4Gb Hynix HMT351S6BFR8C-H9 DDR3 1333 SO-DIMM 16chip
4 ГБ SODIMM, 204-контактный 1333 16 чипов двусторонняя упаковка
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1333 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
10600 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
3395
Оперативная память 4Gb HyperX Impact HX316LS9IB/4 DDR3 1600 SODIMM
Тип памяти:
DDR3L
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
4946
Оперативная память 4Gb Micron MT16KTF51264AZ-1G6M1 DDR3 1600 SODIMM
объем памяти: 4 ГБ
тип: DDR3 SODIMM 204-pin
тактовая частота: 1600 МГц
напряжение питания: 1.35 В
пропускная способность: PC12800
16 чипов двухсторонняя
Тип памяти:
DDR3L
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
6518
Оперативная память 4Gb Patriot PSD34G16002S DDR3 1600 SODIMM 16chip
объем памяти: 4 ГБ
тип: DDR3 SODIMM 204-pin
тактовая частота: 1600 МГц
тайминги: 11-11-11-28
напряжение питания: 1.5 В
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
6347
Оперативная память 4Gb Hynix HMT451S6MFR8A-PB DDR3L 1600 SODIMM CL11
объем памяти: 4 ГБ
тип: DDR3L SODIMM 204-pin
тактовая частота: 1600 МГц
тайминги: 11-11-11
напряжение питания: 1.35 В
пропускная способность: PC12800
Тип памяти:
DDR3L
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
4058
Оперативная память 4Gb Samsung M471B5273EB0-YK0 DDR3L 1600 SODIMM 16Chip
объем памяти: 4 ГБ
тип: DDR3L SODIMM 204-pin
тактовая частота: 1600 МГц
тайминги: 11-11-11-35
напряжение питания: 1.35 В
пропускная способность: PC12800
Тип памяти:
DDR3L
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
4927
Оперативная память 4Gb Kingston ACR16D3LS1NGG/4G DDR3L 12800 SODIMM 16Chip
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб