Оперативная память 8Gb Samsung M471B1G73BH0-CK0 DDR3 1600 SO-DIMM
Обзор
- 1 модуль памяти DDR3L
- объем модуля 8 ГБ
- форм-фактор SODIMM, 204-контактный
- частота 1600 МГц
- CAS Latency (CL): 11
Характеристики
| Тип памяти |
DDR3
|
| Тактовая частота (МГц) |
1600 МГц
|
| Форм-фактор |
для ноутбуков (SO-DIMM)
|
| Пропускная способность |
12800 Мб/с
|
| Объем |
1 модуль 8 Гб
|
| Поддержка ECC |
нет
|
| Буферизованная (Registered) |
нет
|
| Низкопрофильная (Low Profile) |
нет
|
| Бренд |
Samsung
|
| Количество модулей в комплекте |
1
|
| Напряжение питания |
1.5 В
|
| Количество чипов каждого модуля |
16, двусторонняя упаковка
|
Отзывы
Рекомендуем посмотреть
-
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 8 ГБ
CAS Latency (CL): 11
-
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 8 ГБ CAS Latency (CL): 114 000 ₽
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 112 900 ₽