Артикул: 4420
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1600 МГ
16 chip
Оперативная память (Random Access Memory)
| Для ПК (DIMM) (723) | Для ноутбуков (SODIMM) (369) | Для серверов (ECC/REG) (13) |
-
2 000 Р -
Артикул: 43131 модуль памяти DDR4 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 171 600 Р -
Артикул: 23021 модуль памяти DDR3L объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 111 400 Р -
Артикул: 23001 модуль памяти DDR4 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 151 400 Р -
Артикул: 2124SODDR-3L 4Gb Micron SODIMM PC3L-14900 1866MHz1 900 Р -
Артикул: 22881 модуль памяти DDR3 объем модуля 8 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 113 100 Р -
Артикул: 5701 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1333 МГц CAS Latency (CL): 91 650 Р -
Артикул: 28471 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц1 000 Р
-
Артикул: 4761 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 Гб форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц1 300 Р -
Артикул: 2215Samsung DDR4 2133 SO-DIMM 8Gb 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 155 200 Р -
Артикул: 2519 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 32 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2400 МГц поддержка ECC Буферизованная (Registered)15 500 Р -
Артикул: 25411 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 1510 800 Р -
Артикул: 26191 модуль памяти DDR3L объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 111 900 Р -
Артикул: 26261 модуль памяти DDR3 объем модуля 8 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц5 500 Р 2 800 Р
-
Артикул: 26271 модуль памяти DDR3 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц4 000 Р -
Артикул: 26834Gb Crucial CT4G4SFS824A 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 4 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 171 600 Р 1 400 Р
-
Артикул: 3701 модуль памяти DDR2 объем модуля 2 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 800 МГц1 100 Р -
Артикул: 39858Gb Samsung M471A1K43BB1 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 173 800 Р -
Артикул: 24541 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1333 МГц CAS Latency (CL): 91 700 Р -
Артикул: 14811 модуль памяти DDR2 объем модуля 1 ГБ форм-фактор SODIMM, 200-контактный частота 800 МГц1 200 Р -
Артикул: 29741 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 153 800 Р -
Артикул: 6451 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1333 МГц CAS Latency (CL): 9 Количество чипов каждого модуля 16, двусторонняя упаковка2 800 Р -
Артикул: 2540Kingston KVR21N15D8/16 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 Гб форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 159 500 Р -
Артикул: 323Модуль памяти Crucial DDR3 DIMM 2Gb700 Р
