Фильтр
Склад
Тип памяти
Форм-фактор
Цена
Категории

Оперативная память (Random Access Memory)

Сортировать:
Быстрый просмотр
340
Оперативная память 8GB Kingston KVR16N11/8 DDR3 1600 DIMM
Модуль памяти для компьютера KINGSTON KVR16N11/8 DDR3 - емкостью 8Гб, работающий с тактовой частотой 1,6 ГГц и пропускной способностью 12800 Мбит/с, с таймингами 11-11-11, с рабочим напряжением в 1,5 В,имеющий 240-контактный DIMM-разъем, представлена в низко-профильном исполнении.
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Цена:
1 700
- +
Оформить заказ в 1 клик
Быстрый просмотр
3441
Оперативная память 8Gb Hynix HMA81GS6AFR8N-UH DDR4 2400 SO-DIMM
Оригинальный модуль памяти Hynix DDR4 8 Гб SODIMM 260-контактный частота 2400 МГц
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2400 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
19200 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
2 400
Цена:
1 800
Скидка
-25%
- +
Оформить заказ в 1 клик
Быстрый просмотр
3483
Оперативная память 8Gb Kingston KVR24S17S8/8 DDR4 2400 SO-DIMM
Оригинальный модуль памяти Kingston DDR4 8 ГБ SODIMM 260-контактный частота 2400 МГц (CL): 17
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2400 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
19200 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Цена:
2 000
- +
Оформить заказ в 1 клик
Быстрый просмотр
310
Оперативная память 4Gb Kingston KVR16N11S8/4 DDR3 1600 DIMM OEM
модуль памяти DDR3 4ГБ DIMM 240-контактный 1600МГц CL11
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
800
Цена:
500
Скидка
-37%
- +
Оформить заказ в 1 клик
Быстрый просмотр
416
Оперативная память 4Gb Samsung M471B5173EB0-YK0 DDR3L 1600 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR3L 4 ГБ SODIMM 204-контактный 1600 МГц CL11
Тип памяти:
DDR3L
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Цена:
900
- +
Оформить заказ в 1 клик
Быстрый просмотр
307
Оперативная память 8Gb Kingston KVR1333D3N9/8G DDR3 1333 DIMM
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 8 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1333 МГц CAS Latency (CL): 9
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1333 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
10600 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Цена:
1 300
- +
Оформить заказ в 1 клик
Быстрый просмотр
6989
Оперативная память 16Gb Samsung M471A2K43EB1-CWE DDR4 3200 SO-DIMM
объем памяти: 16 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 3200 МГц напряжение питания: 1.2 В пропускная способность: PC25600
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3200 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
25600 Мб/с
Объем:
1 модуль 16 Гб
Цена:
4 500
- +
Оформить заказ в 1 клик
Быстрый просмотр
2368
Оперативная память 8Gb Hynix HMT41GS6BFR8A-PB DDR3L 1600 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR3L 8 ГБ SODIMM 204-контактный 1600 МГц CL11
Тип памяти:
DDR3L
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Цена:
2 200
- +
Оформить заказ в 1 клик
Быстрый просмотр
482
Оперативная память 4Gb Hynix HMT451S6BFR8A-PB DDR3L 1600 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR3L 4 ГБ SODIMM, 204-контактный 1600 МГц CL11
Тип памяти:
DDR3L
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
1 100
Цена:
800
Скидка
-27%
- +
Оформить заказ в 1 клик
Быстрый просмотр
1289
Оперативная память 8Gb Kingston KVR16LS11/8 DDR3L 1600 SO-DIMM
Модуль памяти для ноутбука KINGSTON KVR16LS11/8 DDR3 - емкостью 8Гб, работающий с тактовой частотой 1,6 ГГц и пропускной способностью 12800 Мбит/с, с таймингами 11-11-11, пониженным с рабочим напряжением в 1,35 В,имеющий 204-контактный SODIMM-разъем.
Тип памяти:
DDR3, DDR3L
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Цена:
2 000
- +
Оформить заказ в 1 клик
Быстрый просмотр
6333
Оперативная память 8Gb Samsung M471A1K43DB1-CWE DDR4 3200 SO-DIMM
Оригинальный модуль памяти Samsung 1 DDR4 8 Гб SODIMM, 260-контактный 3200 МГц CL22
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3200 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
25600 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Цена:
2 100
- +
Оформить заказ в 1 клик
Быстрый просмотр
3980
Оперативная память 8Gb Samsung M471B1G73QH0-YK0 DDR3L 1600 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11
Тип памяти:
DDR3L
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Цена:
2 800
- +
Оформить заказ в 1 клик
Быстрый просмотр
4419
Оперативная память 8Gb Samsung M471A1K43CB1-CTD DDR4 2666 SO-DIMM
Оригинальный модуль памяти Samsung DDR4 8 ГБ SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц (CL): 19
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2666 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
21300 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Цена:
2 200
- +
Оформить заказ в 1 клик
Быстрый просмотр
4791
Оперативная память 8Gb Hynix HMA81GS6CJR8N-VK DDR4 2666 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Hynix 8 ГБ SODIMM 260-контактный частота 2666 МГц (CL): 19
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2666 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
21300 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Цена:
1 990
- +
Оформить заказ в 1 клик
Быстрый просмотр
6224
Оперативная память 8Gb Hynix HMA81GS6DJR8N-XN DDR4 3200 SODIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 3200 МГц CAS Latency (CL): 22
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3200 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
25600 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
2 800
Цена:
2 000
Скидка
-28%
- +
Оформить заказ в 1 клик
Быстрый просмотр
1689
Оперативная память 8Gb Samsung M471B1G73DB0-YK0 DDR3L 1600 SO-DIMM
Samsung SO-DIMM 8Gb M471B1G73DB0-YK0, 1 модуль памяти DDR3L, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11,
Тип памяти:
DDR3L
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Цена:
2 000
- +
Оформить заказ в 1 клик
Быстрый просмотр
234
Оперативная память 8Gb Samsung M471B1G73EB0-YK0 DDR3L 1600 SO-DIMM
Samsung SO-DIMM 8Gb M471B1G73EB0-YK0, 1 модуль памяти DDR3L, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11,
Тип памяти:
DDR3L
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
2 900
Цена:
2 200
Скидка
-24%
- +
Оформить заказ в 1 клик
Быстрый просмотр
496
Оперативная память 4Gb Samsung M471B5273DH0-CH9 DDR3 1333 SODIMM 16chip
1 модуль памяти DDR3 4 Гб форм-фактор SODIMM 204-контактный 1600 МГц CL11
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1333 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
10600 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Цена:
1 000
- +
Оформить заказ в 1 клик
Быстрый просмотр
4571
Оперативная память 8Gb Kingston KVR26N19S8/8 DDR4 2666 DIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 19
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2666 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
21300 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
2 120
Цена:
2 000
Скидка
-5%
- +
Оформить заказ в 1 клик
Быстрый просмотр
4632
Оперативная память 16Gb Samsung M471A2K43CB1-CTD DDR4 2666 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Samsung DDR4 16 ГБ SODIMM 260-контактный частота 2666 МГц (CL): 19
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2666 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
21300 Мб/с
Объем:
1 модуль 16 Гб
4 500
Цена:
3 900
Скидка
-13%
- +
Оформить заказ в 1 клик
Быстрый просмотр
4506
Оперативная память 8Gb Kingston KVR26S19S8/8 DDR4 2666 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Kingston DDR4 8 ГБ SODIMM 260-контактный частота 2666 МГц (CL): 19
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2666 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
21300 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Цена:
1 500
- +
Оформить заказ в 1 клик
Быстрый просмотр
3932
Оперативная память 4Gb Samsung M471B5173DB0-YK0 DDR3L 1600 SODIMM
1 модуль памяти DDR3L 4 ГБ SODIMM 204-контактный 1600 МГц CL11
Тип памяти:
DDR3L
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Цена:
1 000
- +
Оформить заказ в 1 клик
Быстрый просмотр
909
Оперативная память 8Gb Kingston KVR1333D3S9/8G DDR3 1333 SO-DIMM
Модуль памяти для ноутбука Kingston KVR1333D3S9/8G DDR3 - емкостью 8Гб, работающий с тактовой частотой 1,3 ГГц и пропускной способностью 10600 Мбит/с, с таймингами 9-9-9, с рабочим напряжением в 1,5 В,имеющий 204-контактный SODIMM-разъем.
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1333 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
10600 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Цена:
2 500
- +
Оформить заказ в 1 клик
Быстрый просмотр
4748
Оперативная память 8Gb Samsung M471A1K43DB1-CTD DDR4 2666 SO-DIMM
модуль памяти DDR4 8 ГБ SODIMM частота 2666 МГц
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2666 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
21300 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
1 700
Цена:
1 500
Скидка
-11%
- +
Оформить заказ в 1 клик
Быстрый просмотр
3985
Оперативная память 8Gb Samsung M471A1K43BB1-CRC DDR4 2400 SODIMM
1 оригинальный модуль Samsung DDR4 8 ГБ SODIMM 260-контактный частота 2400 МГц CL17
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2400 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
19200 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Цена:
2 200
- +
Оформить заказ в 1 клик
Быстрый просмотр
362
Оперативная память 2Gb Kingston KVR800D2N6/2G DDR2 800 DIMM
1 модуль памяти DDR2 объем модуля 2 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 800 МГц CAS Latency (CL): 6
Тип памяти:
DDR2
Тактовая частота (МГц):
800 МГц
Пропускная способность:
6400 Мб/с
Объем:
1 модуль 2 Гб
Поддержка ECC:
нет
Цена:
700
- +
Оформить заказ в 1 клик
Быстрый просмотр
6362
Оперативная память 8Gb Samsung M471A1G44AB0-CWE DDR4 3200 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Samsung 8 ГБ DDR4 SODIMM 260-pin 3200 МГц 1.2 В PC25600
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3200 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
25600 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
1 900
Цена:
1 800
Скидка
-5%
- +
Оформить заказ в 1 клик
Быстрый просмотр
4367
Оперативная память 16Gb HYNIX HMA82GS6AFR8N-UH DDR4 2400 SO-DIMM
Модуль памяти Original HYNIX DDR4 SODIMM 16Gb PC4-19200 для ноутбука
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2400 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
19200 Мб/с
Объем:
1 модуль 16 Гб
Цена:
3 500
- +
Оформить заказ в 1 клик
Быстрый просмотр
5529
Оперативная память 8GB HYNIX HMA81GS6JJR8N-VK DDR4 2666 SO-DIMM
Оригинальный модуль памяти Hynix DDR4 8 ГБ SODIMM 260-контактный частота 2666 МГц (CL): 19
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2666 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
21300 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Цена:
2 500
- +
Оформить заказ в 1 клик
Быстрый просмотр
1620
Оперативная память 4Gb Kingston KVR16S11S8/4 DDR3 1600 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR3 4 ГБ SODIMM 204-контактный 1600 МГц CL11
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Цена:
1 100
- +
Оформить заказ в 1 клик
Москва
Ваш город Москва?
0