Модуль памяти для компьютера KINGSTON KVR16N11/8 DDR3 - емкостью 8Гб, работающий с тактовой частотой 1,6 ГГц и пропускной способностью 12800 Мбит/с, с таймингами 11-11-11, с рабочим напряжением в 1,5 В,имеющий 240-контактный DIMM-разъем, представлена в низко-профильном исполнении.
Оперативная память (Random Access Memory)
| Для ПК (DIMM) (1327) | Для ноутбуков (SODIMM) (725) | Для серверов (ECC/REG) (19) |
-
2 700 ₽ -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 172 500 ₽
-
Модуль памяти для компьютера KINGSTON KVR16N11S8/4 DDR3 - емкостью 4Гб, работающий с тактовой частотой 1,6 ГГц и пропускной способностью 12800 Мбит/с, с таймингами 11-11-11, с рабочим напряжением в 1,5 В,имеющий 240-контактный DIMM-разъем, представлена в низко-профильном исполнении.1 300 ₽ -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 173 000 ₽
-
Модуль памяти для компьютера Crucial CT102464BD160B DDR3L - емкостью 8Гб, работающий с тактовой частотой 1,6 ГГц и пропускной способностью 12800 Мбит/с, с таймингами 11-11-11, с пониженным рабочим напряжением в 1,35 В,имеющий 240-контактный DIMM-разъем.3 100 ₽ -
8Gb Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц3 000 ₽ -
Модуль памяти для ноутбука Samsung M471B5173EB0-YK0 SO-DDR3L - емкостью 4Гб, работающий с тактовой частотой 1,6 ГГц и пропускной способностью 12800 Мбит/с, с таймингами 11-11-11, с пониженным рабочим напряжением в 1,35 В,имеющий 204-контактный SO-DIMM-разъем.1 400 ₽ -
Модуль памяти для ноутбука KINGSTON KVR16LS11/8 DDR3 - емкостью 8Гб, работающий с тактовой частотой 1,6 ГГц и пропускной способностью 12800 Мбит/с, с таймингами 11-11-11, пониженным с рабочим напряжением в 1,35 В,имеющий 204-контактный SODIMM-разъем.3 000 ₽ -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 172 900 ₽ -
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 111 800 ₽ -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 154 100 ₽ -
8Gb Hynix SODIMM HMT41GS6BFR8A-PB 1 модуль памяти DDR3L, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11,3 000 ₽ -
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 113 000 ₽ -
8GB Crucial CT8G4SFS824A 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 172 600 ₽ -
1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 113 000 ₽ -
Samsung SO-DIMM 8Gb M471B1G73DB0-YK0, 1 модуль памяти DDR3L, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11,3 400 ₽ -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 193 500 ₽ -
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 113 500 ₽ -
Модуль памяти для компьютера Kingston KVR13N9S8/4 DDR3 - емкостью 4Гб, работающий с тактовой частотой 1,3 ГГц и пропускной способностью 10600 Мбит/с, с таймингами 9-9-9, с рабочим напряжением в 1,5 В,имеющий 240-контактный DIMM-разъем, представлена в низко-профильном исполнении.1 450 ₽ -
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 111 700 ₽ -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 153 200 ₽ -
Samsung SO-DIMM 8Gb M471B1G73EB0-YK0, 1 модуль памяти DDR3L, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11,3 000 ₽ -
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 111 650 ₽ -
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 4 Гб форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 111 400 ₽ -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 192 500 ₽
-
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 192 900 ₽ -
4 модуля памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 3000 МГц радиатор CAS Latency (CL): 1526 000 ₽
-
8Gb Samsung M471A1K43BB1 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 173 500 ₽ -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 193 800 ₽ -
8GB KINGSTON KVR21S15S8/8 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 154 000 ₽
