Модуль памяти для компьютера KINGSTON KVR16N11/8 DDR3 - емкостью 8Гб, работающий с тактовой частотой 1,6 ГГц и пропускной способностью 12800 Мбит/с, с таймингами 11-11-11, с рабочим напряжением в 1,5 В,имеющий 240-контактный DIMM-разъем, представлена в низко-профильном исполнении.
Оперативная память (Random Access Memory)
| Для ПК (DIMM) (1163) | Для ноутбуков (SODIMM) (557) | Для серверов (ECC/REG) (18) |
-
2 500 Р -
Модуль памяти для компьютера Crucial CT102464BD160B DDR3L - емкостью 8Гб, работающий с тактовой частотой 1,6 ГГц и пропускной способностью 12800 Мбит/с, с таймингами 11-11-11, с пониженным рабочим напряжением в 1,35 В,имеющий 240-контактный DIMM-разъем.2 550 Р -
Модуль памяти для компьютера KINGSTON KVR16N11S8/4 DDR3 - емкостью 4Гб, работающий с тактовой частотой 1,6 ГГц и пропускной способностью 12800 Мбит/с, с таймингами 11-11-11, с рабочим напряжением в 1,5 В,имеющий 240-контактный DIMM-разъем, представлена в низко-профильном исполнении.1 400 Р -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 172 250 Р
-
Модуль памяти для ноутбука Samsung M471B5173EB0-YK0 SO-DDR3L - емкостью 4Гб, работающий с тактовой частотой 1,6 ГГц и пропускной способностью 12800 Мбит/с, с таймингами 11-11-11, с пониженным рабочим напряжением в 1,35 В,имеющий 204-контактный SO-DIMM-разъем.1 800 Р -
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 8 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1333 МГц CAS Latency (CL): 92 600 Р -
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 111 400 Р -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 172 280 Р
-
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 154 100 Р -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 173 500 Р -
Crucial CT8G4DFS824A, 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2400 МГц, CAS Latency (CL): 172 650 Р -
8GB Crucial CT8G4SFS824A 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 172 300 Р -
Модуль памяти для ноутбука Kingston KVR1333D3S9/8G DDR3 - емкостью 8Гб, работающий с тактовой частотой 1,3 ГГц и пропускной способностью 10600 Мбит/с, с таймингами 9-9-9, с рабочим напряжением в 1,5 В,имеющий 204-контактный SODIMM-разъем.3 000 Р -
1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 111 700 Р -
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 111 900 Р -
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 111 650 Р -
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 8 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1333 МГц CAS Latency (CL): 92 700 Р 2 500 Р -
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 Гб форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц1 600 Р -
8GB KINGSTON KVR21S15S8/8 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 154 000 Р
-
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 192 600 Р
-
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1333 МГц CAS Latency (CL): 91 900 Р -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 172 850 Р -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2400 МГц4 100 Р -
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц Количество чипов каждого модуля 161 800 Р -
Samsung M471B5173QH0-YK0, 1 модуль памяти DDR3L, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11,2 000 Р -
8GB Crucial CT8G4SFD8213 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц3 800 Р -
Kingston KVR21N15D8/16 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 Гб форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 159 500 Р -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 193 250 Р
-
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2400 МГц радиатор3 900 Р -
Тип памяти DDR4 Тактовая частота (МГц) 2400 МГц Форм-фактор для ноутбуков (SO-DIMM) Пропускная способность 19200 Мб/с Объем 1 модуль 8 Гб Производитель Micron Количество модулей 1 Напряжение питания 1.2 В2 700 Р
