Артикул: 4420
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1600 МГ
16 chip
Оперативная память (Random Access Memory)
| Для ПК (DIMM) (669) | Для ноутбуков (SODIMM) (321) | Для серверов (ECC/REG) (10) |
-
2 000 Р -
Артикул: 43351 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1333 МГц CAS Latency (CL): 91 900 Р -
Артикул: 31911 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 1711 000 Р -
Артикул: 43131 модуль памяти DDR4 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 172 100 Р -
Артикул: 43531 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1333 МГц CAS Latency (CL): 92 200 Р -
Артикул: 23021 модуль памяти DDR3L объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 111 400 Р -
Артикул: 2124SODDR-3L 4Gb Micron SODIMM PC3L-14900 1866MHz2 000 Р -
Артикул: 22881 модуль памяти DDR3 объем модуля 8 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 113 800 Р -
Артикул: 5701 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1333 МГц CAS Latency (CL): 92 000 Р -
Артикул: 4761 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 Гб форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц1 300 Р -
Артикул: 2385 1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц Количество чипов каждого модуля 162 000 Р -
Артикул: 20904Gb Hynix HMA451S6AFR8N 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 4 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 152 200 Р -
Артикул: 2215Samsung DDR4 2133 SO-DIMM 8Gb 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 155 200 Р -
Артикул: 2519 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 32 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2400 МГц поддержка ECC Буферизованная (Registered)16 000 Р -
Артикул: 32612 модуля памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 169 000 Р -
Артикул: 26191 модуль памяти DDR3L объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 111 900 Р -
Артикул: 26261 модуль памяти DDR3 объем модуля 8 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц5 500 Р 3 500 Р
-
Артикул: 18621 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1066 МГц CAS Latency (CL): 74 000 Р -
Артикул: 39858Gb Samsung M471A1K43BB1 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 175 200 Р -
Артикул: 24541 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1333 МГц CAS Latency (CL): 92 200 Р -
Артикул: 29741 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 154 200 Р -
Артикул: 6451 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1333 МГц CAS Latency (CL): 9 Количество чипов каждого модуля 16, двусторонняя упаковка2 800 Р -
Артикул: 2540Kingston KVR21N15D8/16 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 Гб форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 159 500 Р -
Артикул: 323Модуль памяти Crucial DDR3 DIMM 2Gb750 Р
