Оперативная память (Random Access Memory)
Для ПК (DIMM) (1461) | Для ноутбуков (SODIMM) (888) | Для серверов (ECC/REG) (27) |
-
8Gb Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц3 800 ₽
-
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 174 000 ₽
-
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 174 000 ₽
-
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 174 000 ₽
-
Модуль памяти для компьютера KINGSTON KVR16N11S8/4 DDR3 - емкостью 4Гб, работающий с тактовой частотой 1,6 ГГц и пропускной способностью 12800 Мбит/с, с таймингами 11-11-11, с рабочим напряжением в 1,5 В,имеющий 240-контактный DIMM-разъем, представлена в низко-профильном исполнении.1 300 ₽
-
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 8 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1333 МГц CAS Latency (CL): 94 400 ₽
-
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 114 000 ₽
-
8Gb Hynix SODIMM HMT41GS6BFR8A-PB 1 модуль памяти DDR3L, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11,3 200 ₽
-
Модуль памяти для ноутбука KINGSTON KVR16LS11/8 DDR3 - емкостью 8Гб, работающий с тактовой частотой 1,6 ГГц и пропускной способностью 12800 Мбит/с, с таймингами 11-11-11, пониженным с рабочим напряжением в 1,35 В,имеющий 204-контактный SODIMM-разъем.3 400 ₽
-
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 112 200 ₽
-
8GB Crucial CT8G4SFS824A 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 173 000 ₽
-
Crucial CT8G4DFS824A, 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2400 МГц, CAS Latency (CL): 172 800 ₽
-
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 112 800 ₽
-
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 154 000 ₽
-
Samsung SO-DIMM 8Gb M471B1G73DB0-YK0, 1 модуль памяти DDR3L, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11,3 200 ₽
-
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 196 000 ₽
-
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 194 200 ₽
-
Samsung SO-DIMM 8Gb M471B1G73EB0-YK0, 1 модуль памяти DDR3L, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11,3 000 ₽
-
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 194 800 ₽
-
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 193 400 ₽
-
Модуль памяти для ноутбука Kingston KVR1333D3S9/8G DDR3 - емкостью 8Гб, работающий с тактовой частотой 1,3 ГГц и пропускной способностью 10600 Мбит/с, с таймингами 9-9-9, с рабочим напряжением в 1,5 В,имеющий 204-контактный SODIMM-разъем.4 000 ₽
-
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 4 Гб форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 111 700 ₽
-
1 модуль памяти DDR2 объем модуля 2 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 800 МГц CAS Latency (CL): 61 000 ₽
-
Модуль памяти для компьютера Kingston KVR13N9S8/4 DDR3 - емкостью 4Гб, работающий с тактовой частотой 1,3 ГГц и пропускной способностью 10600 Мбит/с, с таймингами 9-9-9, с рабочим напряжением в 1,5 В,имеющий 240-контактный DIMM-разъем, представлена в низко-профильном исполнении.1 500 ₽
-
8Gb Samsung M471A1K43BB1 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 174 500 ₽
-
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 112 500 ₽