1 модуль памяти DDR3
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1600 МГ
16 chip
Оперативная память (Random Access Memory)
| Для ПК (DIMM) (634) | Для ноутбуков (SODIMM) (305) | Для серверов (ECC/REG) (10) |
-
2 000 Р -
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1333 МГц CAS Latency (CL): 91 900 Р -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 179 500 Р -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 172 300 Р -
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1333 МГц CAS Latency (CL): 92 500 Р -
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 111 700 Р -
SODDR-3L 4Gb Micron SODIMM PC3L-14900 1866MHz2 000 Р -
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 8 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 113 800 Р -
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1333 МГц CAS Latency (CL): 92 200 Р -
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц Количество чипов каждого модуля 162 000 Р -
Модуль памяти для ноутбука KINGSTON KCP3L16SD8/8 DDR3 - емкостью 8Гб, работающий с тактовой частотой 1,6 ГГц и пропускной способностью 12800 Мбит/с, с таймингами 11-11-11, с пониженным рабочим напряжением в 1,35 В,имеющий 204-контактный SODIMM-разъем3 500 Р -
4Gb Hynix HMA451S6AFR8N 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 4 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 152 600 Р -
8Gb Micron MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 175 200 Р -
Samsung DDR4 2133 SO-DIMM 8Gb 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 155 500 Р -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 32 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2400 МГц поддержка ECC Буферизованная (Registered)16 000 Р -
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 111 900 Р -
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 8 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц3 200 Р -
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1066 МГц CAS Latency (CL): 74 000 Р -
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1333 МГц CAS Latency (CL): 92 200 Р -
8Gb Samsung M471A1K43BB1 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 174 800 Р -
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1333 МГц CAS Latency (CL): 92 200 Р -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 154 500 Р -
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1333 МГц CAS Latency (CL): 9 Количество чипов каждого модуля 16, двусторонняя упаковка2 800 Р -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 154 500 Р -
Kingston KVR21N15D8/16 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 Гб форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 1510 000 Р
