Главная » Оперативная память » Для ноутбуков (SODIMM) » DDR 4

DDR 4

На странице 15 30 45 все

Отображать

4Gb Hynix SODIMM PC4L-19200 2400MHz < HMA851S6AFR6N > 4chip

4Gb Hynix HMA851S6AFR6N 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 4 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 17

2 200 Р
8Gb Samsung SODDR4 PC4L-2400 19200MHz M471A1K43BB1

8Gb Samsung M471A1K43BB1 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 17

5 200 Р
8Gb Kingston KVR21S15S8/8 DDR4 SODIMM 8Gb PC4-17000 CL15

8GB KINGSTON KVR21S15S8/8 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 15

5 100 Р
8GB Crucial < CT8G4SFD8213 > DDR4 SO-DIMM < PC4-17000 >

8GB Crucial CT8G4SFD8213 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц

4 200 Р
8GB Crucial CT8G4SFS824A DDR4 SODIMM PC4-19200

8GB Crucial CT8G4SFS824A 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 17

5 000 Р
8Gb Kingston < KVR21S15D8/8 > DDR4 SODIMM 8Gb < PC4-17000 > CL15

8GB KINGSTON KVR21S15D8/8 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 15

4 900 Р
8Gb Hynix SODIMM PC4-19200 2400MHz 8chip < HMA81GS6AFR8N >

8Gb Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц

4 700 Р
8Gb Kingston < KCP421SS8/8> DDR4 SODIMM 8Gb < PC4-17000 > CL15

8Gb Kingston KCP421SS8/8 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 15

5 200 Р
4Gb Kingston < KVR21S15S8/4 > DDR4 SODIMM 4Gb < PC4-17000 > CL15

Kingston KVR21S15S8/4 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 4 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 15

2 300 Р
4Gb Samsung SODDR4 PC4L-2400 19000MHz < M471A5244CB0 >

4Gb Samsung M471A5244CB0 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 4 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 17

2 200 Р
16Gb Kingston HyperX HX421S13IBK2/16 DDR4 SODIMM 2x8Gb PC4-17000 CL13

16Gb Kingston HyperX HX421S13IBK2/16 2 модуля памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 13

10 500 Р
4GB Crucial CT4G4SFS8213 PC4-17000 2133MHz CL17 1.2V RTL

4Gb Crucial CT4G4SFS8213 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 4 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 15

2 500 Р
4Gb Micron SODIMM PC4-17000 2133MHz 8chip

4Gb Micron 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 4 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 15

2 300 Р
4Gb Samsung SODDR4 PC4L-2400 19000MHz

Samsung DDR4 2400 SO-DIMM 4Gb 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 4 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 17

2 500 Р
8Gb Hynix SODIMM PC4-17000 2133MHz 16chip HMA41GS6AFR8N-TF

8Gb Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц

4 000 Р
8Gb Kingston HyperX < HX421S13IB/8 > DDR4 SODIMM 8Gb < PC4-17000 > CL13 (for NoteBook)

HyperX HX421S13IB/8 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 13

5 000 Р
8Gb Samsung SODDR4 PC4L-2133 17000MHz < CN M471A1G43EB1>

Samsung DDR4 2133 SO-DIMM 8Gb 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 15

5 000 Р
8GB Crucial < CT8G4SFS8213 > DDR4 SODIMM 8Gb < PC4-17000 >

1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 15

4 200 Р
8Gb Samsung SODDR4 PC4L-2400 19000MHz < M471A1K43BB1 >

1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 17

5 500 Р
8Gb Kingston <KCP424SS8/8> DDR4 SODIMM 8Gb < PC4-19200 >

1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц

5 000 Р
16Gb HYNIX DDR4 SODIMM < PC4-17000 > HMA82GS6MFR8N

1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 15

10 000 Р
4Gb Kingston <HP24D4S7S8MB-4 > DDR4 SODIMM

1 модуль памяти DDR4 объем модуля 4 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 15

2 400 Р
8Gb Crucial < CT8G4SFD824A > DDR4 SODIMM < PC4-19200 > CL17

1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 17

0 Р
SODDR-4 8Gb Kingston < 8Gb DDR4-2133 Kingston KCP421SD8/8 DDR4 SODIMM 8Gb < PC4-17000 > CL15

1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 15

4 500 Р
8Gb Micron SODIMM PC4-19200 2400MHz < MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 >

8Gb Micron MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 17

4 900 Р

HTPC-Home.ru Удобный интернет-магазин			8(905)547-15-58 Пн—Вс 10:00—21:00
Дорогие друзья! К сожалению, Ваш браузер не поддерживает современные технологии используемые на нашем сайте.
Пожалуйста, обновите браузер, скачав его по ссылкам ниже, или обратитесь к системному администратору, обслуживающему Ваш компьютер.
Internet Explorer Microsoft	Chrome Google	Safari Apple	Opera Opera Software	Firefox Mozilla