DDR 4
- Сортировать:
- Цена
- Название
- Хиты продаж
- Дата добавления
- В наличии
Сортировать:
Быстрый просмотр
3985
Оперативная память 8Gb Samsung M471A1K43BB1-CRC DDR4 2400 SO-DIMM
1 оригинальный модуль Samsung DDR4 8 ГБ SODIMM 260-контактный частота 2400 МГц CL17
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2400 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
19200 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
3061
Оперативная память 8Gb Kingston KVR21S15S8/8 DDR4 2133 SO-DIMM
8GB KINGSTON KVR21S15S8/8
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 8 Гб
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2133 МГц
CAS Latency (CL): 15
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2133 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
17000 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
3452
Оперативная память 8GB Crucial CT8G4SFS824A DDR4 2400 SO-DIMM
8GB Crucial CT8G4SFS824A
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 8 Гб
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2400 МГц
CAS Latency (CL): 17
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2400 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
19200 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
3483
Оперативная память 8Gb Kingston KVR24S17S8/8 DDR4 2400 SO-DIMM
Оригинальный модуль памяти Kingston DDR4 8 ГБ SODIMM 260-контактный частота 2400 МГц (CL): 17
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2400 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
19200 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
3441
Оперативная память 8Gb Hynix HMA81GS6AFR8N-UH DDR4 2400 SO-DIMM
Оригинальный модуль памяти Hynix DDR4 8 Гб SODIMM 260-контактный частота 2400 МГц
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2400 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
19200 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
3902
Оперативная память 16Gb Samsung M471A2K43CB1-CRC DDR4 2400 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Samsung DDR4 16 Гб SODIMM 260-контактный 2400 МГц (CL): 17
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2400 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
19200 Мб/с
Объем:
1 модуль 16 Гб
Быстрый просмотр
3477
Оперативная память 4GB Crucial CT4G4SFS8213 DDR4 2133 SODIMM
4Gb Crucial CT4G4SFS8213
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 4 Гб
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2133 МГц
CAS Latency (CL): 15
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2133 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
17000 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
1990
Оперативная память 8Gb Hynix HMA41GS6AFR8N-TF DDR4 2133 SO-DIMM 16chip
Оригинальный модуль памяти Hynix 8 Гб SODIMM 260-контактный частота 2133 МГц количество рангов 2 количество чипов памяти 16
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2133 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
17000 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
4006
Оперативная память 8Gb Kingston KCP424SS8/8 DDR4 2400 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 8 Гб
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2400 МГц
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2400 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
19200 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
2683
Оперативная память 4GB Crucial CT4G4SFS824A DDR4 2400 SO-DIMM
4Gb Crucial CT4G4SFS824A
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 4 Гб
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2400 МГц
CAS Latency (CL): 17
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2400 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
19200 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
4063
Оперативная память 8Gb Crucial CT8G4SFD824A DDR4 2400 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR4 8 Гб SODIMM 260-контактный 2400 МГц CL17
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2400 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
19200 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
3231
Оперативная память 8Gb Kingston KCP421SD8/8 DDR4 2133 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 8 Гб
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2133 МГц
CAS Latency (CL): 15
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2133 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
17000 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
2129
Оперативная память 8Gb Micron MTA8ATF1G64HZ-2G3H1 DDR4 2400 SO-DIMM
Оригинальный модуль памяти Micron DDR4 8 Гб SODIMM 260-контактный частота 2400 МГц (CL): 17
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2400 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
19200 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
3191
Оперативная память 16Gb Samsung M471A2K43BB1-CRC DDR4 2400 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 16 Гб
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2400 МГц
CAS Latency (CL): 17
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2400 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
19200 Мб/с
Объем:
1 модуль 16 Гб
Быстрый просмотр
Тип памяти DDR4
Тактовая частота (МГц) 2400 МГц
Форм-фактор для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность 19200 Мб/с
Объем 1 модуль 8 Гб
Производитель Micron
Количество модулей 1
Напряжение питания 1.2 В
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2666 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
21300 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
2215
Оперативная память 8Gb Samsung M471A1K43BB0-CPB DDR4 2133 SO-DDR
Samsung DDR4 2133 SO-DIMM 8Gb
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 8 Гб
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2133 МГц
CAS Latency (CL): 15
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2133 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
17000 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
3797
Оперативная память 8Gb Samsung M471A1G43DB0-CPB DDR4 2133 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2133 МГц
CAS Latency (CL): 15
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2133 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
17000 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
2650
Оперативная память 8Gb Samsung M471A1K43CB1-CRC DDR4 2400 SO-DIMM
1 оригинальный модуль Samsung DDR4 8 ГБ SODIMM 260-контактный частота 2400 МГц CL17
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2400 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
19200 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
2090
Оперативная память 4Gb Hynix HMA451S6AFR8N DDR4 2133 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Hynix DDR4 4 ГБ SODIMM 260-контактный частота 2133 МГц (CL): 15
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2133 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
17000 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
4506
Оперативная память 8Gb Kingston KVR26S19S8/8 DDR4 2666 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Kingston DDR4 8 ГБ SODIMM 260-контактный частота 2666 МГц (CL): 19
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2666 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
21300 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
4860
Оперативная память 4Gb Hynix HMA851S6CJR6N-VK DDR4 2666 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Hynix DDR4 4 ГБ SODIMM 260-контактный частота 2666 МГц (CL): 19
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2400 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
19200 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
4419
Оперативная память 8Gb Samsung M471A1K43CB1-CTD DDR4 2666 SO-DIMM
Оригинальный модуль памяти Samsung DDR4 8 ГБ SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц (CL): 19
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2666 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
21300 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
4632
Оперативная память 16Gb Samsung M471A2K43CB1-CTD DDR4 2666 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Samsung DDR4 16 ГБ SODIMM 260-контактный частота 2666 МГц (CL): 19
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2666 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
21300 Мб/с
Объем:
1 модуль 16 Гб
Быстрый просмотр
4140
Оперативная память 8Gb Ramaxel RMSA3260MH78HAF DDR4 2666 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2666 МГц
CAS Latency (CL): 19
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2666 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
21300 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
4636
Оперативная память 4Gb Micron MTA4ATF51264HZ-2G3E2 DDR4 2400 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR4 4 ГБ SODIMM, 260-контактный 2400 МГц CL17
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2400 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
19200 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
4705
Оперативная память 16Gb Ramaxel RMSA3300ME78HBF-2666 DDR4 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Ramaxel DDR4 16 ГБ SODIMM 260-контактный частота 2666 МГц (CL): 19
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2666 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
21300 Мб/с
Объем:
1 модуль 16 Гб
Быстрый просмотр
4748
Оперативная память 8Gb Samsung M471A1K43DB1-CTD DDR4 2666 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2666 МГц
CAS Latency (CL): 19
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2666 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
21300 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
4791
Оперативная память 8Gb Hynix HMA81GS6CJR8N-VK DDR4 2666 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Hynix 8 ГБ SODIMM 260-контактный частота 2666 МГц (CL): 19
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2666 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
21300 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
4824
Оперативная память 8Gb Hynix HMA81GS6MFR8N-UH DDR4 2400 SODIMM
оригинальный модуль фирмы Hynix DDR4 8 ГБ SODIMM, 260-контактный 2400 МГц CL17
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2400 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
19200 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
3669
Оперативная память 8GB Micron MTA16ATF1G64HZ-2G1B1 DDR4 2133 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 8 Гб
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2133 МГц
CAS Latency (CL): 15
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2133 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
17000 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб