Объем памяти 16 ГБ
Тип DDR4 SODIMM 260-pin
Тактовая частота 2400 МГц
Тайминги 17-17-17
Напряжение питания 1.2 В
Пропускная способность PC19200
Особенности ECC
DDR 4
-
7 000 ₽ -
8Gb Samsung M471A1K43BB1 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 173 900 ₽ -
8GB KINGSTON KVR21S15S8/8 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 157 000 ₽
-
8GB Crucial CT8G4SFS824A 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 172 650 ₽ -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 172 400 ₽
-
8Gb Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц2 900 ₽ -
16Gb Samsung M471A2K43CB1 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 174 700 ₽ -
4Gb Crucial CT4G4SFS8213 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 4 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 151 600 ₽ -
Samsung DDR4 2400 SO-DIMM 4Gb 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 4 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 171 500 ₽ -
8Gb Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц3 800 ₽
-
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц5 270 ₽ -
4Gb Crucial CT4G4SFS824A 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 4 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 172 110 ₽
-
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 174 600 ₽ -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 154 680 ₽ -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 175 000 ₽ -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 155 500 ₽ -
Тип памяти DDR4 Тактовая частота (МГц) 2400 МГц Форм-фактор для ноутбуков (SO-DIMM) Пропускная способность 19200 Мб/с Объем 1 модуль 8 Гб Производитель Micron Количество модулей 1 Напряжение питания 1.2 В4 500 ₽ -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 155 270 ₽ -
Samsung DDR4 2133 SO-DIMM 8Gb 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 153 500 ₽ -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 154 500 ₽ -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 172 900 ₽ -
4Gb Hynix HMA451S6AFR8N 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 4 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 151 500 ₽ -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 192 600 ₽
-
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 172 200 ₽ -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 191 800 ₽ -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 193 200 ₽ -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 196 200 ₽ -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 194 500 ₽ -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 151 700 ₽ -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 193 950 ₽
