4Gb Hynix HMA851S6AFR6N
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 4 Гб
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2400 МГц
CAS Latency (CL): 17
DDR 4
-
2 500 Р -
8Gb Samsung M471A1K43BB1 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 174 800 Р -
8GB KINGSTON KVR21S15S8/8 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 155 050 Р -
8GB Crucial CT8G4SFD8213 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц4 500 Р -
8GB Crucial CT8G4SFS824A 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 174 600 Р -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 174 400 Р -
8Gb Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц5 200 Р -
8Gb Kingston KCP421SS8/8 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 155 500 Р -
Kingston KVR21S15S8/4 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 4 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 152 400 Р -
4Gb Samsung M471A5244CB0 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 4 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 172 500 Р -
16Gb Kingston HyperX HX421S13IBK2/16 2 модуля памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 1311 500 Р -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 154 500 Р -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц4 500 Р -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 174 500 Р -
8Gb Micron MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 175 200 Р -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 154 600 Р -
Тип памяти DDR4 Тактовая частота (МГц) 2400 МГц Форм-фактор для ноутбуков (SO-DIMM) Пропускная способность 19200 Мб/с Объем 1 модуль 8 Гб Производитель Micron Количество модулей 1 Напряжение питания 1.2 В4 800 Р -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 179 500 Р -
2 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 2022 000 Р -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 155 000 Р -
Samsung DDR4 2133 SO-DIMM 8Gb 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 155 500 Р -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 155 200 Р -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 174 500 Р -
4Gb Hynix HMA451S6AFR8N 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 4 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 152 600 Р -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 1510 500 Р