г. Москва, метро Савёловская, ул. Сущевский вал, 5 стр. 1, ВКЦ «Савёловский», павильон Е-09.
Пн-Вс. 11:00-20:00
Для ПК (DIMM)
- Сортировать:
- Цена
- Название
- Хиты продаж
- Дата добавления
- В наличии
Сортировать:
Быстрый просмотр
340
Оперативная память 8GB Kingston KVR16N11/8 DDR3 1600 DIMM
Модуль памяти для компьютера KINGSTON KVR16N11/8 DDR3 - емкостью 8Гб, работающий с тактовой частотой 1,6 ГГц и пропускной способностью 12800 Мбит/с, с таймингами 11-11-11, с рабочим напряжением в 1,5 В,имеющий 240-контактный DIMM-разъем, представлена в низко-профильном исполнении.
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
3775
Оперативная память 8GB Hynix Original HMA81GU6AFR8N-UH DDR4 2400 DIMM
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор DIMM, 288-контактный
частота 2400 МГц
CAS Latency (CL): 17
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2400 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
19200 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
3796
Оперативная память 16Gb Kingston KVR24N17D8/16 DDR4 2400 DIMM
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 16 Гб
форм-фактор DIMM, 288-контактный
частота 2400 МГц
CAS Latency (CL): 17
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2400 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
19200 Мб/с
Объем:
1 модуль 16 Гб
Быстрый просмотр
2548
Оперативная память 8GB Hynix HMA41GU6AFR8N-TF DDR4 2133 DIMM
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2133 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
17000 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
3988
Оперативная память 8Gb Samsung M378A1K43CB2-CTD DDR4 2666 DIMM
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор DIMM, 288-контактный
частота 2666 МГц
CAS Latency (CL): 17
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2666 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
21300 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
3993
Оперативная память 8Gb Crucial CT8G4DFS824A DDR4 2400 DIMM
Оригинальный модуль памяти DDR4 8 Гб DIMM 288-контактный частота 2400 МГц CL17
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2400 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
19200 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
4040
Оперативная память 8GB Samsung M378A1G43EB1-CRC DDR4 2400 DIMM
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор DIMM, 288-контактный
частота 2400 МГц
CAS Latency (CL): 17
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2400 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
19200 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
3929
Оперативная память 4Gb Samsung M378B5173EB0-CK0 DDR3 1600 DIMM
1 модуль памяти DDR3 4 ГБ DIMM 240-контактный 1600 МГц CL 11
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
1879
Оперативная память 2Gb Kingston KVR13N9S6/2 DDR3 1333 DIMM
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 2 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1333 МГц
CAS Latency (CL): 9
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1333 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
10600 Мб/с
Объем:
1 модуль 2 Гб
Быстрый просмотр
4261
Оперативная память 4Gb Hynix HMT451U6AFR8C-PB DDR3 1600 DIMM
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1600 МГц
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
4339
Оперативная память 4Gb Hynix orig. HMT351U6CFR8C-H9 DDR3 1333 DIMM 16chip
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1333 МГц
Количество чипов каждого модуля 16
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1333 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
10600 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
4210
Оперативная память 8GB Hynix HMA81GU6CJR8N-VK DDR4 2666 DIMM
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор DIMM, 288-контактный
частота 2666 МГц
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2666 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
21300 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
341
Оперативная память 8Gb Kingston KVR16N11H/8 DDR3 1600 DIMM
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
4455
Оперативная память 4Gb Samsung M378B5173EB0-YK0 DDR3 1600 DIMM
1 модуль памяти DDR3L
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11
Тип памяти:
DDR3L
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
4072
Оперативная память 4Gb Samsung M378B5173DB0-CK0 DDR3 1600 DIMM
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
279
Оперативная память 2Gb Kingston KVR800D2N5/2G DDR2 800 DIMM
1 модуль памяти DDR2
объем модуля 2 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 800 МГц
CAS Latency (CL): 5
Тип памяти:
DDR2
Тактовая частота (МГц):
800 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
6400 Мб/с
Объем:
1 модуль 2 Гб
Быстрый просмотр
4460
Оперативная память 16Gb Kingston KVR26N19D8/16 DDR4 2666 DIMM
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 16 ГБ
форм-фактор DIMM, 288-контактный
частота 2666 МГц
CAS Latency (CL): 19
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2666 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
21300 Мб/с
Объем:
1 модуль 16 Гб
Быстрый просмотр
4420
Оперативная память 4Gb Samsung M378B5273CH0-CK0 DDR3 1600 DIMM 16Chip
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1600 МГ
16 chip
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
4464
Оперативная память 4Gb Hynix HMT351U6CFR8C-PB DDR3 1600 DIMM 16chip
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1600 МГц
16 chip
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
4165
Оперативная память 8Gb Samsung M378A1K43CB2-CRC DDR4 2400 DIMM
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор DIMM, 288-контактный
частота 2400 МГц
CAS Latency (CL): 17
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2400 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
19200 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
4516
Оперативная память 8Gb Hynix HMT41GU6MFR8C-PB DDR3 1600 DIMM
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1600 МГц
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
386
Оперативная память 2Gb Crucial CT25664AA800 DDR2 800 DIMM
Модуль памяти Crucial CT25664AA800 DDR2 DIMM 2Gb PC2-6400 CL6
Тип памяти:
DDR2
Тактовая частота (МГц):
800 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
6400 Мб/с
Объем:
1 модуль 2 Гб
Быстрый просмотр
4571
Оперативная память 8Gb Kingston KVR26N19S8/8 DDR4 2666 DIMM
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор DIMM, 288-контактный
частота 2666 МГц
CAS Latency (CL): 19
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2666 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
21300 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
4556
Оперативная память 16Gb Crucial CT16G4DFD8266 DDR4 2666 DIMM CL19
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 16 ГБ
форм-фактор DIMM, 288-контактный
частота 2666 МГц
CAS Latency (CL): 19
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2666 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
21300 Мб/с
Объем:
1 модуль 16 Гб
Быстрый просмотр
4598
Оперативная память 8Gbx4 KIT Corsair Vengeance LPX CMK32GX4M4A2400C14 DDR4 2400 DIMM
4 модуля памяти DDR4
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор DIMM, 288-контактный
частота 2400 МГц
радиатор
CAS Latency (CL): 14
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2400 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
19200 Мб/с
Объем:
4 модуля по 8 Гб
Быстрый просмотр
4616
Оперативная память 16Gbx4 KIT Kingston HyperX Predator HX430C15PB3K4/64 DDR4 3000 DIMM
4 модуля памяти DDR4
объем модуля 16 ГБ
форм-фактор DIMM, 288-контактный
частота 3000 МГц
радиатор
CAS Latency (CL): 15
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3000 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
24000 Мб/с
Объем:
4 модуля по 16 Гб
Быстрый просмотр
4625
Оперативная память 4Gb Hynix HMT351U6EFR8C-PB DDR3 1600 DIMM 16chip
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1600 МГц
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
4633
Оперативная память 8Gb Crucial CT8G4DFS8266 DDR4 2666 DIMM
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор DIMM, 288-контактный
частота 2666 МГц
CAS Latency (CL): 19
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2666 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
21300 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
4667
Оперативная память 8Gb Kingston KCP426NS8/8 DDR4 2666 DIMM
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор DIMM, 288-контактный
частота 2666 МГц
CAS Latency (CL): 19
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2666 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
21300 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
308
Оперативная память 4Gb Kingston KVR1333D3N9/4G DDR3 1333 DIMM 16 chip Low Profile
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 4 Гб
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1333 МГц
CAS Latency (CL): 9
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1333 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
10600 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб