SSD диск для ноутбука и настольного компьютера
объем 1024 ГБ
форм-фактор 2280
Разъем M.2
интерфейс PCI-E NVMe
M.2 на шине PCI-E
-
17 000 ₽ -
SSD диск для сервера объем 360 ГБ форм-фактор 2280 разъем M.2 интерфейс PCI-E 3.0 x48 100 ₽ -
емкость 500 ГБ для ноутбука и настольного компьютера Форм-фактор: 2280 интерфейс PCI-E разъем M.26 650 ₽ -
емкость 512 ГБ для ноутбука и настольного компьютера Форм-фактор: 2280 интерфейс PCI-E разъем M.212 000 ₽ -
Производитель: Samsung Тип: Внутренний Назначение: Для домашнего ПК Объем: 256 ГБ Форм-фактор: M.2 Интерфейс M.2: PCI-E 3.0 4x Тип памяти: 3D TLC NAND Скорость чтения/записи 3500 МБ/с / 1500 МБ/с2 900 ₽ -
емкость 1000 ГБ для ноутбука и настольного компьютера Форм-фактор: 2280 интерфейс PCI-E разъем M.29 500 ₽ -
емкость 250 ГБ для ноутбука и настольного компьютера Форм-фактор: 2280 интерфейс PCI-E разъем M.24 500 ₽ -
емкость 500 ГБ для ноутбука и настольного компьютера Форм-фактор: 2280 интерфейс PCI-E разъем M.29 100 ₽ -
емкость 2000 ГБ для ноутбука и настольного компьютера Форм-фактор: 2280 интерфейс PCI-E разъем M.217 500 ₽ -
емкость 1024 ГБ для настольного компьютера Форм-фактор: 2280 интерфейс PCI-E разъем M.2 игровой11 000 ₽ -
SSD диск для ноутбука и настольного компьютера объем 256 ГБ форм-фактор 2280 Разъем M.2 интерфейс PCI-E NVMe3 000 ₽ -
форм-фактор: 2230, емкость: 128 ГБ, назначение: для ноутбука и настольного компьютера, разъем: M.2, интерфейсы: PCI-E, скорость чтения: 2000 МБ/с, скорость записи: 800 МБ/с, тип флэш-памяти: TLC,3 380 ₽ -
емкость 250 ГБ для ноутбука и настольного компьютера форм-фактор: 2280 интерфейс PCI-E разъем M.23 800 ₽ -
форм-фактор: 2280 емкость: 2048 ГБ скорость чтения/записи: 3500 МБ/с / 3000 МБ/с интерфейсы: PCI-E 3.0 x4 разъем: M.217 000 ₽ -
емкость 256 ГБ для настольного компьютера форм-фактор: 2280 интерфейс PCI-E разъем M.29 000 ₽ -
форм-фактор: 2280 емкость: 256 ГБ интерфейсы: PCI-E 3.0 x4 разъем: M.22 500 ₽ -
линейка: WD Black NVMe емкость 1000 ГБ для ноутбука и настольного компьютера форм-фактор: 2280 интерфейс PCI-E радиатор16 500 ₽ -
линейка: FireCuda 520 емкость 500 ГБ для ноутбука и настольного компьютера форм-фактор: 2280 интерфейс PCI-E16 200 ₽ -
форм-фактор: 2280, M емкость: 500 ГБ скорость чтения/записи: 6900 МБ/с / 5000 МБ/с интерфейс подключения: M.2, PCI-E 4.0 x4 объем буфера: 512 МБ8 700 ₽ -
форм-фактор: 2280, M емкость: 1000 ГБ скорость чтения/записи: 7000 МБ/с / 5000 МБ/с интерфейс подключения: M.2, PCI-E 4.0 x4 объем буфера: 512 МБ12 000 ₽ -
форм-фактор: 2280, M емкость: 1000 ГБ скорость чтения/записи: 3500 МБ/с / 3000 МБ/с интерфейс подключения: M.2, PCI-E 4.0 x410 700 ₽ -
форм-фактор: 2242 емкость: 128 ГБ интерфейс подключения: PCI-E 3.0 x2 тип флэш-памяти: TLC 3D NAND Максимальная скорость записи 1400 Мбайт/с Максимальная скорость чтения 1700 Мбайт/с2 000 ₽ -
форм-фактор: 2280 емкость: 2000 ГБ скорость чтения/записи: 7000 МБ/с / 5000 МБ/с интерфейс подключения: PCI-E 4.0 x4 объем буфера: 2048 МБ21 700 ₽ -
форм-фактор: 2280 емкость: 1000 ГБ скорость чтения/записи: 7000 МБ/с / 5300 МБ/с интерфейс подключения: M.2, PCI-E 4.0 x4 тип флэш-памяти: TLC 3D NAND игровой: да рекомендован: для ноутбука и настольного компьютера ШхДхВ: 22х80х2.38 мм16 000 ₽
-
Форм-фактор 2280 Емкость 128 ГБ Скорость чтения/записи 1800 МБ/с / 600 МБ/с Интерфейсы PCI-E Разъем M.2 Тип PCI-E PCI-E 3.0 x4 Тип флэш-памяти TLC 3D NAND Потребляемая мощность 0.33 Вт Время наработки на отказ 1800000 ч Рекомендован для ноутбука и настольного компьютера, игровой ШхДхВ 22х80х2.15 мм, вес: 8 г1 400 ₽ -
форм-фактор: 2280 емкость: 2000 ГБ скорость чтения/записи: 7000 МБ/с / 5100 МБ/с интерфейс подключения: M.2, PCI-E 4.0 x4 тип флэш-памяти: TLC 3D NAND21 000 ₽ -
форм-фактор: 2280 емкость: 2000 ГБ скорость чтения/записи: 7000 МБ/с / 6550 МБ/с интерфейсы: PCI-E разъем: M.2 совместим для установки в SONY PS521 000 ₽ -
производитель Samsung серия PM991 ёмкость 512 Гб форм фактор M.2 2280 интерфейс подключения PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3) скорость последовательного чтения 2200 МБ/с скорость последовательной записи 1200 МБ/с максимальная скорость случайного чтения (блоки по 4 Кбайт) 120K IOPS максимальная скорость случайной записи (блоки по 4 Кбайт) 240K IOPS тип памяти Samsung V-NAND 3bit MLC (3D TLC (Triple Level Cell) V-NAND)7 000 ₽ -
форм-фактор: 2280 емкость: 256 ГБ скорость чтения/записи: 2400 МБ/с / 1750 МБ/с интерфейс подключения: M.2, PCI-E 3.0 x4 тип флэш-памяти: TLC2 250 ₽
