г. Москва, метро Савёловская, ул. Сущевский вал, 5 стр. 1, ВКЦ «Савёловский», павильон Е-09.
Пн-Вс. 11:00-20:00
Для серверов (ECC/REG)
- Сортировать:
- Цена
- Название
- Хиты продаж
- Дата добавления
- В наличии
Сортировать:
Быстрый просмотр
6812
Оперативная память 16GB Samsung Original M393A2K40BB0-CPB DDR4 2133 DIMM ECC REG
объем памяти: 16 ГБ
тип: DDR4 DIMM 288-pin
тактовая частота: 2133 МГц
тайминги: 15-15-15
напряжение питания: 1.2 В
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2133 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
17000 Мб/с
Объем:
1 модуль 16 Гб
Быстрый просмотр
3324
Оперативная память 16Gb Nanya NT16GC72C4NB0NL-CG DDR3 1333 DIMM ECC REG
объем памяти: 16 ГБ
тип: DDR3L DIMM 240-pin
тактовая частота: 1333 МГц
напряжение питания: 1.35 В
Особенности ECC, буферизованная (Registered)объем памяти: 16 ГБ
тип: DDR3L DIMM 240-pin
тактовая частота: 1333 МГц
напряжение питания: 1.35 В
Особенности ECC, буферизованная (Registered)
Тип памяти:
DDR3L
Тактовая частота (МГц):
1333 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
10600 Мб/с
Объем:
1 модуль 16 Гб
Быстрый просмотр
1 модуль памяти DDR2
объем модуля 2Gb
форм-фактор DIMM
частота 667 МГц
поддержка ECC
Буферизованная (Registered)
Низкопрофильная (Low Profile)
Тип памяти:
DDR2
Тактовая частота (МГц):
667 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
2700 Мб/с
Объем:
1 модуль 2 Гб
Быстрый просмотр
6806
Оперативная память 4Gb Crucial CT4G4RFS824A DDR4 2400 DIMM ECC REG
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2400 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
19200 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
6813
Оперативная память 8GB Samsung M393A1G40EB1-CRC DDR4 2400MHz DIMM ECC REG
объем памяти: 8 ГБ
тип: DDR4 DIMM 288-pin
тактовая частота: 2400 МГц
тайминги: 17-17-17-38
напряжение питания: 1.2 В
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2400 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
19200 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
7236
Оперативная память 32Gb Samsung M386B4G70DM0-CMA DDR3 1866 LRDIMM CL13 ECC REG
Объем памяти 32 ГБ
Тип DDR3 LRDIMM 240-pin
Тактовая частота 1866 МГц
Тайминги 13-13-13
Напряжение питания 1.5 В
Пропускная способность PC14900
Особенности ECC, буферизованная (Registered)
Тип памяти:
DDR3L
Тактовая частота (МГц):
1866 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
14900 Мб/с
Объем:
1 модуль 32 Гб
Быстрый просмотр
7252
Оперативная память 16Gb Micron MT36KSF2G72PZ-1G6N1 DIMM PC3-12800 1600MHz ECC REG
Тип DDR3L
Форм-фактор DIMM
Количество модулей в комплекте 1 шт.
Объем одного модуля 16 ГБ
Тактовая частота 1600 МГц
Пропускная способность PC12800
CL 11
Напряжение питания 1.35 В
Количество рангов 2
Особенности ECC, буферизованная (Registered)
Тип памяти:
DDR3L
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 16 Гб
Быстрый просмотр
2821
Оперативная память 16Gb Crucial 1600MHz ECC REG CT16G3ERSLD4160B
объем памяти: 16 ГБ
тип: DDR3L DIMM 240-pin
тактовая частота: 1600 МГц
тайминги: 11
напряжение питания: 1.35 В
Тип памяти:
DDR3L
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 16 Гб
Быстрый просмотр
3035
Оперативная память 16Gb KTM-SX316/16G Kingston DDR3 12800 DIMM ECC REG
Тип DDR3
Форм-фактор DIMM
Количество модулей в комплекте 1
Объем одного модуля 16 ГБ
Тактовая частота 1600 МГц
Пропускная способность PC12800
CL 11
Напряжение питания 1.5 В
Количество рангов 2
Количество контактов 240
Особенности ECC, буферизованная (Registered)
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 16 Гб
Поддержка ECC:
да
Быстрый просмотр
4673
Оперативная память 4Gb Hynix HMT451U7AFR8C-RD DDR3 1866 DIMM ECC
Форм-фактор DIMM
Объем одного модуля 4 ГБ
Количество модулей в комплекте 1 шт
Суммарный объем 4 ГБ
Эффективная частота 866 МГц
Пропускная способность 14900 Мб/с
Поддержка ECCЕ сть
Буферизованная (регистровая) Нет
Низкопрофильная Нет
Количество контактов 240
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1866 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
14900 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
2366
DDR3L Samsung M393B2G70QH0-YK0 16Gb DIMM ECC Reg PC3-12800 CL11 1600MHz
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 16 Гб
Поддержка ECC:
да
Быстрый просмотр
620
DDR3 4Gb Kingston DIMM PC3-8500 1066MHz ECC (KVR1066D3E7S/4G)
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1066 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Объем:
1 модуль 4 Гб
Бренд:
Kingston
Быстрый просмотр
5195
Оперативная память 4ГБ Kingston KTH-PL316ES/4G DDR3 1600 DIMM ECC
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1600 МГц
поддержка ECC
CAS Latency (CL): 11
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1333 МГц
поддержка ECC
CAS Latency (CL): 9
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1333 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
10600 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
7098
Оперативная память 4Gb Kingston KVR1333D3D8R9S/4G DDR3 1333 DIMM CL9 ECC REG
Объем памяти 4 ГБ
Тип DDR3 DIMM 240-pin
Тактовая частота 1333 МГц
Тайминги 9-9-9
Напряжение питания 1.5 В
Пропускная способность PC10600
Особенности ECC, буферизованная (Registered)
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1333 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
10600 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
6425
Оперативная память 16GB Samsung Original M393A2K40CB2-CTD DDR4 2666 DIMM ECC Registered
объем памяти: 16 ГБ
тип: DDR4 DIMM 288-pin
тактовая частота: 2666 МГц
тайминги: 19-19-19
напряжение питания: 1.2 В
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2666 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
21300 Мб/с
Объем:
1 модуль 16 Гб
Быстрый просмотр
объем памяти: 16 ГБ
тип: DDR3L DIMM 240-pin
тактовая частота: 1600 МГц
тайминги: 11
напряжение питания: 1.35 В
Тип памяти:
DDR3L
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 16 Гб
Быстрый просмотр
6743
Оперативная память RDIMM 32 Гб DDR4 2933 МГц Micron MTA18ASF4G72PDZ-2G9E1
объем памяти: 32 ГБ
тип: DDR4 DIMM 288-pin
тактовая частота: 2933 МГц
тайминги: 21
напряжение питания: 1.2 В
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2933 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
23400 Мб/с
Объем:
1 модуль 32 Гб
Быстрый просмотр
6755
Оперативная память 16Gb Samsung M391A2K43BB1-CRCQ DDR4 2400MHz PC4-19200 ECC Unbuffered CL17 288-Pin DIMM 1.2V Dual Rank Memory Module
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2400 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
19200 Мб/с
Объем:
1 модуль 16 Гб
Быстрый просмотр
7246
Оперативная память 16Gb HYNIX HMA82GS7AFR8N-UH DDR4 2400 SODIMM ECC
Объем памяти 16 ГБ
Тип DDR4 SODIMM 260-pin
Тактовая частота 2400 МГц
Тайминги 17-17-17
Напряжение питания 1.2 В
Пропускная способность PC19200
Особенности ECC
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2400 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
19200 Мб/с
Объем:
1 модуль 16 Гб
Быстрый просмотр
6804
Оперативная память 32Gb Samsung M393A4K40BB1-CRC DDR4 2400 DIMM ECC REG
Объем памяти комплекта 32 ГБ
Кол-во планок в комплекте 1 шт
Форм-фактор памяти DIMM
Тип памяти DDR4
Ранг памяти двухранговая
Тактовая частота 2400 МГц
Пропускная способность 19200 МБ/с
CAS-латентность CL17
Схема таймингов памяти 17-17-17
Рабочее напряжение 1.2 В
Дополнительно поддержка буферизации (Registered) поддержка ECC
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2400 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
19200 Мб/с
Объем:
1 модуль 32 Гб