г. Москва, метро Савёловская, ул. Сущевский вал, 5 стр. 1, ВКЦ «Савёловский», павильон Е-09.
Пн-Вс. 11:00-20:00
Характеристики Оперативная память 4Gb Hynix HMT451U7AFR8C-RD DDR3 1866 DIMM ECC
Тип памяти
DDR3
Тактовая частота (МГц)
1866 МГц
Форм-фактор
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность
14900 Мб/с
Объем
1 модуль 4 Гб
Поддержка ECC
да
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Бренд
Hynix
Количество модулей в комплекте
1
Напряжение питания
1.5 В
Описание Оперативная память 4Gb Hynix HMT451U7AFR8C-RD DDR3 1866 DIMM ECC
Форм-фактор DIMM
Объем одного модуля 4 ГБ
Количество модулей в комплекте 1 шт
Суммарный объем 4 ГБ
Эффективная частота 866 МГц
Пропускная способность 14900 Мб/с
Поддержка ECCЕ сть
Буферизованная (регистровая) Нет
Низкопрофильная Нет
Количество контактов 240
Отзывы (0) Оперативная память 4Gb Hynix HMT451U7AFR8C-RD DDR3 1866 DIMM ECC
Похожие товары