Для ноутбуков (SODIMM)
- Сортировать:
- Цена
- Название
- Хиты продаж
- Дата добавления
- В наличии
Сортировать:
Быстрый просмотр
5868
Оперативная память 4Gb Hynix HMT351S6CFR8C-PB DDR3 1600 SO-DIMM 16chip
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц количество чипов каждого модуля 16
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
1481
Оперативная память 2Gb Hynix HYMP112S64CP6 DDR2 800 SODIMM
1 модуль памяти DDR2
объем модуля 1 ГБ
форм-фактор SODIMM, 200-контактный
частота 800 МГц
Тип памяти:
DDR2
Тактовая частота (МГц):
800 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
6400 Мб/с
Объем:
1 модуль 2 Гб
Быстрый просмотр
2740
Оперативная память 8Gb Crucial CT102464BF160B DDR3L 1600 SO-DIMM
Модуль памяти Crucial 8Gb CT102464BF160B DDR3 SODIMM PC3-12800 CL11
Тип памяти:
DDR3L
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
3441
Оперативная память 8Gb Hynix HMA81GS6AFR8N-UH DDR4 2400 SO-DIMM
Оригинальный модуль памяти Hynix DDR4 8 Гб SODIMM 260-контактный частота 2400 МГц
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2400 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
19200 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
3931
Оперативная память 4Gb Samsung M471B5173QH0-YK0 DDR3L 1600 SODIMM
1 модуль памяти DDR3L 4 ГБ SODIMM 204-контактный 1600 МГц CL11
Тип памяти:
DDR3L
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
3958
Оперативная память 4Gb Hynix HMT351S6EFR8A-PB DDR3L 1600 SO-DIMM 16chip
4Gb Hynix HMT351S6EFR8A
1 модуль памяти DDR3L
объем модуля 4 Гб
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11
Тип памяти:
DDR3L
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
3086
Оперативная память 4Gb Crucial CT51264BF160BJ DDR-3L 1600 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR3L
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
3980
Оперативная память 8Gb Samsung M471B1G73QH0-YK0 DDR3L 1600 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR3L
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11
Тип памяти:
DDR3L
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
4006
Оперативная память 8Gb Kingston KCP424SS8/8 DDR4 2400 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 8 Гб
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2400 МГц
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2400 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
19200 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
4063
Оперативная память 8Gb Crucial CT8G4SFD824A DDR4 2400 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR4 8 Гб SODIMM 260-контактный 2400 МГц CL17
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2400 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
19200 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
4329
Оперативная память 4Gb Samsung M471B5273DH0-CK0 DDR3 1600 SO-DIMM 16chip
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1600 МГц
Количество чипов каждого модуля 16
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
4367
Оперативная память 16Gb HYNIX HMA82GS6AFR8N-UH DDR4 2400 SO-DIMM
Модуль памяти Original HYNIX DDR4 SODIMM 16Gb PC4-19200 для ноутбука
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2400 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
19200 Мб/с
Объем:
1 модуль 16 Гб
Быстрый просмотр
Тип памяти DDR4
Тактовая частота (МГц) 2400 МГц
Форм-фактор для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность 19200 Мб/с
Объем 1 модуль 8 Гб
Производитель Micron
Количество модулей 1
Напряжение питания 1.2 В
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2666 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
21300 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
4388
Оперативная память 4Gbx2 Kingston HyperX HX321LS11IB2K2/8 DDR3 2133 SODIMM
2 модуля памяти DDR3L
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 2133 МГц
CAS Latency (CL): 11
Тип памяти:
DDR3L
Тактовая частота (МГц):
2133 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
17000 Мб/с
Объем:
2 модуля по 4 Гб
Быстрый просмотр
2026
Оперативная память 8Gb Kingston HyperX HX316LS9IB/8 DDR3 1600 SO-DIMM
Тип памяти:
DDR3L
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
3797
Оперативная память 8Gb Samsung M471A1G43DB0-CPB DDR4 2133 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2133 МГц
CAS Latency (CL): 15
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2133 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
17000 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
2650
Оперативная память 8Gb Samsung M471A1K43CB1-CRC DDR4 2400 SO-DIMM
1 оригинальный модуль Samsung DDR4 8 ГБ SODIMM 260-контактный частота 2400 МГц CL17
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2400 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
19200 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
3989
Оперативная память 8Gb Samsung M471B1G73BH0-YK0 DDR3L 1600 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR3L
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11
Тип памяти:
DDR3L
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
4506
Оперативная память 8Gb Kingston KVR26S19S8/8 DDR4 2666 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Kingston DDR4 8 ГБ SODIMM 260-контактный частота 2666 МГц (CL): 19
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2666 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
21300 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
4496
Оперативная память 8Gb Apacer AS08GFA60CATBGJ DDR3L 1600 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR3L
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11
Тип памяти:
DDR3L
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
4860
Оперативная память 4Gb Hynix HMA851S6CJR6N-VK DDR4 2666 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Hynix DDR4 4 ГБ SODIMM 260-контактный частота 2666 МГц (CL): 19
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2400 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
19200 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
4419
Оперативная память 8Gb Samsung M471A1K43CB1-CTD DDR4 2666 SO-DIMM
Оригинальный модуль памяти Samsung DDR4 8 ГБ SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц (CL): 19
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2666 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
21300 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
4562
Оперативная память 4Gb Samsung M471B5173BH0-YK0 DDR3L 1600 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR3L
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11
Тип памяти:
DDR3L
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
4632
Оперативная память 16Gb Samsung M471A2K43CB1-CTD DDR4 2666 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Samsung DDR4 16 ГБ SODIMM 260-контактный частота 2666 МГц (CL): 19
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2666 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
21300 Мб/с
Объем:
1 модуль 16 Гб
Быстрый просмотр
4636
Оперативная память 4Gb Micron MTA4ATF51264HZ-2G3E2 DDR4 2400 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR4 4 ГБ SODIMM, 260-контактный 2400 МГц CL17
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2400 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
19200 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
4705
Оперативная память 16Gb Ramaxel RMSA3300ME78HBF-2666 DDR4 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Ramaxel DDR4 16 ГБ SODIMM 260-контактный частота 2666 МГц (CL): 19
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2666 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
21300 Мб/с
Объем:
1 модуль 16 Гб
Быстрый просмотр
4059
Оперативная память 4Gb Hynix HMT351S6EFR8C-PB DDR3 1600 SODIMM 16chip
модуль памяти 4 ГБ DDR3 SODIMM 204-pin частота 1600 МГц CL11
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
4748
Оперативная память 8Gb Samsung M471A1K43DB1-CTD DDR4 2666 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2666 МГц
CAS Latency (CL): 19
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2666 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
21300 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
4791
Оперативная память 8Gb Hynix HMA81GS6CJR8N-VK DDR4 2666 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Hynix 8 ГБ SODIMM 260-контактный частота 2666 МГц (CL): 19
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2666 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
21300 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
4824
Оперативная память 8Gb Hynix HMA81GS6MFR8N-UH DDR4 2400 SODIMM
оригинальный модуль фирмы Hynix DDR4 8 ГБ SODIMM, 260-контактный 2400 МГц CL17
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2400 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
19200 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб