15.04.2018
Компания Samsung выпустила новую модель твердотельного диска работающего по шине SATA под...
Для ноутбуков (SODIMM)
-
2 000 Р -
Модуль памяти Crucial DDR3 SODIMM 8Gb CL11 (for NoteBook)3 900 Р -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 154 200 Р -
8Gb Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц4 700 Р -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 1510 000 Р -
Samsung M471B5173QH0-YK0, 1 модуль памяти DDR3L, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11,1 900 Р -
4Gb Hynix HMT351S6EFR8A 1 модуль памяти DDR3L объем модуля 4 Гб форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 112 300 Р -
1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 112 400 Р -
HyperX HX421S13IB/8 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 135 000 Р -
Samsung DDR4 2133 SO-DIMM 8Gb 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 155 000 Р -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 175 500 Р
-
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц5 000 Р
-
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 113 600 Р -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 4 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 152 400 Р
-
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 170 Р
