1 модуль памяти DDR2
объем модуля 1 ГБ
форм-фактор SODIMM, 200-контактный
частота 800 МГц
Для ноутбуков (SODIMM)
-
1 200 ₽ -
8Gb Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц3 400 ₽ -
Samsung M471B5173QH0-YK0, 1 модуль памяти DDR3L, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11,1 900 ₽ -
4Gb Hynix HMT351S6EFR8A 1 модуль памяти DDR3L объем модуля 4 Гб форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 111 800 ₽ -
1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 112 000 ₽ -
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 113 400 ₽ -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц3 500 ₽ -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 173 200 ₽ -
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц Количество чипов каждого модуля 162 000 ₽ -
Тип памяти DDR4 Тактовая частота (МГц) 2400 МГц Форм-фактор для ноутбуков (SO-DIMM) Пропускная способность 19200 Мб/с Объем 1 модуль 8 Гб Производитель Micron Количество модулей 1 Напряжение питания 1.2 В3 000 ₽ -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 176 000 ₽ -
2 модуля памяти DDR3L объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 114 000 ₽ -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 153 900 ₽ -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 172 800 ₽ -
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 113 400 ₽ -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 192 500 ₽
-
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 192 700 ₽ -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 195 900 ₽ -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 193 500 ₽ -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 153 700 ₽ -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 195 900 ₽ -
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 113 000 ₽ -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 192 900 ₽ -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 192 800 ₽ -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 153 100 ₽ -
1 модуль памяти DDR2 объем модуля 2 ГБ форм-фактор SODIMM, 200-контактный частота 800 МГц1 200 ₽ -
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 112 200 ₽
