Оперативная память 16Gb HYNIX HMA82GS6СJR8N-VK DDR4 2666 SODIMM
Обзор
- 1 модуль памяти DDR4
- объем модуля 16 ГБ
- форм-фактор SODIMM, 260-контактный
- частота 2666 МГц
- CAS Latency (CL): 19
Характеристики
| Тип памяти |
DDR4
|
| Тактовая частота (МГц) |
2666 МГц
|
| Форм-фактор |
для ноутбуков (SO-DIMM)
|
| Пропускная способность |
21300 Мб/с
|
| Объем |
1 модуль 16 Гб
|
| Поддержка ECC |
нет
|
| Буферизованная (Registered) |
нет
|
| Низкопрофильная (Low Profile) |
нет
|
| Бренд |
Hynix
|
| Количество модулей в комплекте |
1
|
| Напряжение питания |
1.2 В
|
| Количество чипов каждого модуля |
16, двусторонняя упаковка
|
Отзывы
С этим товаром покупают
-
коэффициент теплопроводности 1.0 вт./(м-град) при -50 градусов Цельсия
Рекомендуем посмотреть
-
объем памяти: 16 ГБ
тип: DDR4 SODIMM 260-pin
тактовая частота: 2666 МГц
тайминги: 19-19-19
напряжение питания: 1.2 В
-
объем памяти: 16 ГБ
тип: DDR4 SODIMM 260-pin
тактовая частота: 2666 МГц
тайминги: 19
напряжение питания: 1.25 В
-
объем памяти: 16 ГБ
тип: DDR4 SODIMM 260-pin
тактовая частота: 2666 МГц
напряжение питания: 1.2 В
пропускная способность: PC21300
-
-
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 16 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2666 МГц
CAS Latency (CL): 17
коэффициент теплопроводности 1.0 вт./(м-град) при -50 градусов Цельсия100 ₽
объем памяти: 16 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 2666 МГц тайминги: 19-19-19 напряжение питания: 1.2 В6 250 ₽
объем памяти: 16 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 2666 МГц тайминги: 19 напряжение питания: 1.25 В6 850 ₽
объем памяти: 16 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 2666 МГц напряжение питания: 1.2 В пропускная способность: PC213008 000 ₽
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 176 400 ₽