г. Москва, метро Савёловская, ул. Сущевский вал, 5 стр. 1, ВКЦ «Савёловский», павильон Е-09.
Пн-Вс. 10:00-20:00
DDR 3
- Сортировать:
- Цена
- Название
- Хиты продаж
- Дата добавления
- В наличии
Сортировать:
Быстрый просмотр
340
Оперативная память 8GB Kingston KVR16N11/8 DDR3 1600 DIMM
Модуль памяти для компьютера KINGSTON KVR16N11/8 DDR3 - емкостью 8Гб, работающий с тактовой частотой 1,6 ГГц и пропускной способностью 12800 Мбит/с, с таймингами 11-11-11, с рабочим напряжением в 1,5 В,имеющий 240-контактный DIMM-разъем, представлена в низко-профильном исполнении.
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
310
Оперативная память 4Gb Kingston KVR16N11S8/4 DDR3 1600 DIMM OEM
модуль памяти DDR3 4ГБ DIMM 240-контактный 1600МГц CL11
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
1471
Оперативная память 4Gb Kingston KVR16N11/4 DDR3 1600 DIMM
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
334
Оперативная память 4Gb Samsung M378B5173CB0-CK0 DDR3 1600 DIMM
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1600 МГц
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
2709
Оперативная память 4Gb Kingston HP698650-154-KEF/4 DDR3 1600 DIMM
1 модуль памяти DDR3L 4 Гб DIMM 240-контактный частота 1600 МГц CL11
Тип памяти:
DDR3L
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
3298
Оперативная память 4Gb Kingston KVR16LN11/4 DDR3L 1600 DIMM
1 модуль памяти DDR3L 4 Гб DIMM 240-контактный частота 1600 МГц CL11
Тип памяти:
DDR3L
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
2600
Оперативная память 4Gb Patriot PSD34G133381 DDR3 1333 DIMM
Объем памяти 4 ГБ
Тип DDR3 DIMM 240-pin
Тактовая частота 1333 МГц
Тайминги 9-9-9
Напряжение питания 1.5 В
Пропускная способность PC10600
Быстрый просмотр
2302
Оперативная память 4Gb Hynix HMT451U6BFR8A-PB DDR3L 1600 DIMM
1 модуль памяти DDR3L
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11
Тип памяти:
DDR3L
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
1690
Оперативная память 4Gb Samsung M378B5173QH0-CK0 DDR3 1600 DIMM
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 4 Гб
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1600 МГц
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
4091
Оперативная память 4Gb Samsung M378B5273CH0-CH9 DDR3 1333 DIMM 16Chip
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11
Количество чипов каждого модуля 16
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1333 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
10600 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
3929
Оперативная память 4Gb Samsung M378B5173EB0-CK0 DDR3 1600 DIMM
1 модуль памяти DDR3 4 ГБ DIMM 240-контактный 1600 МГц CL 11
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
3630
Оперативная память 4Gb Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F DDR3 1600 DIMM 16chip
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11
Количество чипов каждого модуля 16
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
1879
Оперативная память 2Gb Kingston KVR13N9S6/2 DDR3 1333 DIMM
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 2 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1333 МГц
CAS Latency (CL): 9
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1333 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
10600 Мб/с
Объем:
1 модуль 2 Гб
Быстрый просмотр
4261
Оперативная память 4Gb Hynix HMT451U6AFR8C-PB DDR3 1600 DIMM
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1600 МГц
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
4339
Оперативная память 4Gb Hynix orig. HMT351U6CFR8C-H9 DDR3 1333 DIMM 16chip
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1333 МГц
Количество чипов каждого модуля 16
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1333 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
10600 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
341
Оперативная память 8Gb Kingston KVR16N11H/8 DDR3 1600 DIMM
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
4455
Оперативная память 4Gb Samsung M378B5173EB0-YK0 DDR3 1600 DIMM
1 модуль памяти DDR3L
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11
Тип памяти:
DDR3L
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
4072
Оперативная память 4Gb Samsung M378B5173DB0-CK0 DDR3 1600 DIMM
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
4420
Оперативная память 4Gb Samsung M378B5273CH0-CK0 DDR3 1600 DIMM 16Chip
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1600 МГ
16 chip
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
4464
Оперативная память 4Gb Hynix HMT351U6CFR8C-PB DDR3 1600 DIMM 16chip
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1600 МГц
16 chip
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
1679
4Gb Kingston HyperX Fury HX316C10F* / 4 DDR3 DIMM 4Gb < PC3-12800 > CL10
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Объем:
1 модуль 4 Гб
Бренд:
Kingston
Быстрый просмотр
4516
Оперативная память 8Gb Hynix HMT41GU6MFR8C-PB DDR3 1600 DIMM
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1600 МГц
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
4625
Оперативная память 4Gb Hynix HMT351U6EFR8C-PB DDR3 1600 DIMM 16chip
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1600 МГц
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
308
Оперативная память 4Gb Kingston KVR1333D3N9/4G DDR3 1333 DIMM 16 chip Low Profile
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 4 Гб
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1333 МГц
CAS Latency (CL): 9
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1333 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
10600 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
4793
Оперативная память 2Gb Samsung M378B5673FH0-CH9 DDR3 1333 DIMM
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 2 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1333 МГц
CAS Latency (CL): 9
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1333 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
10600 Мб/с
Объем:
1 модуль 2 Гб
Быстрый просмотр
557
Оперативная память 2Gb Kingston KVR1333D3N9/2G DDR3 1333 DIMM Low Profile 16 chip
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 2 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1333 МГц
CAS Latency (CL): 9
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1333 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
10600 Мб/с
Объем:
1 модуль 2 Гб
Быстрый просмотр
4346
Оперативная память 2Gb Kingston KVR16N11/2 DDR3 1600 DIMM Low Profile
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 2 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 2 Гб
Быстрый просмотр
4794
Оперативная память 2Gb Kingston KVR16N11/2 DDR3 1600 DIMM
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 2 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 2 Гб
Быстрый просмотр
1046
Оперативная память 8Gb Micron MT16JTF1G64AZ-1G6E1 DDR3 1600 DIMM
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1600 МГц
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
5362
Оперативная память 2Gb Apacer AU02GFA60CAQBGJ DDR3L 1600 DIMM
1 модуль памяти DDR3L
объем модуля 2 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11
Тип памяти:
DDR3L
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 2 Гб