г. Москва, метро Савёловская, ул. Сущевский вал, 5 стр. 1, ВКЦ «Савёловский», павильон Е-09.
Пн-Вс. 10:00-20:00
Характеристики Оперативная память 4Gb Micron MT8JTF51264AZ-1G6E1 DDR3 1600 DIMM
Тип памяти
DDR3
Тактовая частота (МГц)
1600 МГц
Форм-фактор
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность
12800 Мб/с
Объем
1 модуль 4 Гб
Поддержка ECC
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Бренд
Micron
Количество модулей в комплекте
1
Напряжение питания
1.5 В
Количество чипов каждого модуля
8, односторонняя упаковка
Описание Оперативная память 4Gb Micron MT8JTF51264AZ-1G6E1 DDR3 1600 DIMM
- объем памяти: 4 ГБ
- тип: DDR3 DIMM 240-pin
- тактовая частота: 1600 МГц
- напряжение питания: 1.5 В
- пропускная способность: PC12800
Отзывы (0) Оперативная память 4Gb Micron MT8JTF51264AZ-1G6E1 DDR3 1600 DIMM
Похожие товары
