Оперативная память 16Gb Micron MTA16ATF2G64HZ-2G6E1 DDR4 2666 SODIMM
Обзор
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 16 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2666 МГц
CAS Latency (CL): 17
Характеристики
Тип памяти
DDR4
Тактовая частота (МГц)
2666 МГц
Форм-фактор
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность
21300 Мб/с
Объем
1 модуль 16 Гб
Поддержка ECC
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Бренд
Micron
Количество модулей в комплекте
1
Напряжение питания
1.2 В
Количество чипов каждого модуля
16, двусторонняя упаковка
Отзывы
С этим товаром покупают
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 16 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2666 МГц
CAS Latency (CL): 19
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 16 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2400 МГц
CAS Latency (CL): 17
Рекомендуем посмотреть
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 16 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2666 МГц
CAS Latency (CL): 17
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 16 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2666 МГц
CAS Latency (CL): 19
Объем памяти комплекта 16 ГБ
Кол-во планок в комплекте 1 шт
Форм-фактор памяти SO-DIMM
Тип памяти DDR4
Ранг памяти одноранговая
Тактовая частота 2666 МГц
Пропускная способность 21300 МБ/с
CAS-латентность CL16
Схема таймингов памяти 16-18-18
Рабочее напряжение 1.2 В
Тип охлаждения без охлаждения
Профиль планки стандартный
Дополнительно поддержка XMP
объем памяти: 16 ГБ
тип: DDR4 SODIMM 260-pin
тактовая частота: 2666 МГц
тайминги: 19-19-19
напряжение питания: 1.2 В
объем памяти: 16 ГБ
тип: DDR4 SODIMM 260-pin
тактовая частота: 2666 МГц
тайминги: 19-19-19
напряжение питания: 1.2 В
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 196 200 ₽
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 175 100 ₽
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 175 500 ₽
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 196 500 ₽
Объем памяти комплекта 16 ГБ Кол-во планок в комплекте 1 шт Форм-фактор памяти SO-DIMM Тип памяти DDR4 Ранг памяти одноранговая Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 МБ/с CAS-латентность CL16 Схема таймингов памяти 16-18-18 Рабочее напряжение 1.2 В Тип охлаждения без охлаждения Профиль планки стандартный Дополнительно поддержка XMP6 500 ₽
объем памяти: 16 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 2666 МГц тайминги: 19-19-19 напряжение питания: 1.2 В5 500 ₽
объем памяти: 16 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 2666 МГц тайминги: 19-19-19 напряжение питания: 1.2 В4 500 ₽