1 модуль памяти DDR4
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2400 МГц
CAS Latency (CL): 17
Hynix
Твердотельные накопители (SSD - solid-state drive)
Форм-фактор 2.5"
M.2 на шине PCI-E
Оперативная память (Random Access Memory)
Для ПК (DIMM)
DDR 4
DDR 3
DDR 2
DDR 1
Для ноутбуков (SODIMM)
DDR 4
DDR 3
DDR 2
Для серверов (ECC/REG)
УЦЕНЕННЫЕ ТОВАРЫ
Форм-фактор 2.5"
M.2 на шине PCI-E
Оперативная память (Random Access Memory)
Для ПК (DIMM)
DDR 4
DDR 3
DDR 2
DDR 1
Для ноутбуков (SODIMM)
DDR 4
DDR 3
DDR 2
Для серверов (ECC/REG)
УЦЕНЕННЫЕ ТОВАРЫ
-
1 200 Р -
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1333 МГц 16, двусторонняя упаковка2 500 Р -
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц1 300 Р -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 175 000 Р -
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 16 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1866 МГц поддержка ECC CAS Latency (CL): 131 700 Р -
1 модуль памяти DDR объем модуля 1 ГБ форм-фактор DIMM, 184-контактный частота 400 МГц800 Р -
1 модуль памяти DDR2 объем модуля 2 ГБ форм-фактор SODIMM, 200-контактный частота 800 МГц1 200 Р -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 175 500 Р -
Форм-фактор DIMM Объем одного модуля 4 ГБ Количество модулей в комплекте 1 шт Суммарный объем 4 ГБ Эффективная частота 866 МГц Пропускная способность 14900 Мб/с Поддержка ECCЕ сть Буферизованная (регистровая) Нет Низкопрофильная Нет Количество контактов 2403 500 Р -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 193 600 Р -
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц1 800 Р -
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц1 500 Р -
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 2 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1333 МГц600 Р -
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц 16 chip1 500 Р -
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц2 500 Р -
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц1 800 Р -
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1333 МГц Количество чипов каждого модуля 161 800 Р -
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц1 400 Р -
4Gb Hynix HMT351S6EFR8A 1 модуль памяти DDR3L объем модуля 4 Гб форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 111 500 Р -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 173 800 Р -
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц Количество чипов каждого модуля 161 800 Р -
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 111 300 Р -
4Gb Hynix HMT351S6CFR8C-H9 1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 Гб форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1333 МГц2 400 Р -
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 112 000 Р -
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц1 650 Р
