Оперативная память 4Gb Hynix HMT451S6AFR8C-PB DDR3 1600 SO-DIMM
Обзор
- 1 модуль памяти DDR3
- объем модуля 4 ГБ
- форм-фактор SODIMM, 204-контактный
- частота 1600 МГц
Характеристики
| Тип памяти |
DDR3
|
| Тактовая частота (МГц) |
1600 МГц
|
| Форм-фактор |
для ноутбуков (SO-DIMM)
|
| Объем |
1 модуль 4 Гб
|
| Бренд |
Hynix
|
| Количество модулей в комплекте |
1
|
Отзывы
С этим товаром покупают
-
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11
Рекомендуем посмотреть
-
объем памяти: 4 ГБ
тип: DDR3 SODIMM 204-pin
тактовая частота: 1600 МГц
тайминги: 11-11-11-28
напряжение питания: 1.5 В
-
объем памяти: 4 ГБ
тип: DDR3 SODIMM 204-pin
тактовая частота: 1600 МГц
напряжение питания: 1.35 В
пропускная способность: PC12800
16 чипов двухсторонняя
-
1 модуль памяти DDR3L
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11
-
1 модуль памяти DDR3L
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11
-
1 модуль памяти DDR3L
объем модуля 4 Гб
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 111 650 ₽
объем памяти: 4 ГБ тип: DDR3 SODIMM 204-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11-11-11-28 напряжение питания: 1.5 В1 500 ₽
объем памяти: 4 ГБ тип: DDR3 SODIMM 204-pin тактовая частота: 1600 МГц напряжение питания: 1.35 В пропускная способность: PC12800 16 чипов двухсторонняя2 200 ₽
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 112 200 ₽
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 111 600 ₽
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 4 Гб форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 111 400 ₽