Оперативная память 4Gb Hynix HMT451S6AFR8C-PB DDR3 1600 SO-DIMM
Обзор
- 1 модуль памяти DDR3
- объем модуля 4 ГБ
- форм-фактор SODIMM, 204-контактный
- частота 1600 МГц
Характеристики
| Тип памяти |
DDR3
|
| Тактовая частота (МГц) |
1600 МГц
|
| Форм-фактор |
для ноутбуков (SO-DIMM)
|
| Объем |
1 модуль 4 Гб
|
| Бренд |
Hynix
|
| Количество модулей в комплекте |
1
|
Отзывы
С этим товаром покупают
-
Silicon Power S55
SSD диск для ноутбука и настольного компьютера
объем 240 Гб
форм-фактор 2.5"
интерфейс SATA 6Gb/s
Рекомендуем посмотреть
-
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11
-
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1600 МГц
Количество чипов каждого модуля 16
-
1 модуль памяти DDR3L
объем модуля 4 Гб
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11
-
Samsung M471B5173QH0-YK0,
1 модуль памяти DDR3L,
объем модуля 4 Гб,
форм-фактор SODIMM, 204-контактный,
частота 1600 МГц,
CAS Latency (CL): 11,
-
1 модуль памяти DDR3L
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11
![Твердотельный накопитель 240Gb SATA Silicon Power Slim S55 SP240GBSS3S55S25 2.5"](/wa-data/public/shop/products/07/21/2107/images/2772/2772.200x0.jpg "Твердотельный накопитель 240Gb SATA Silicon Power Slim S55 SP240GBSS3S55S25 2.5"")
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 111 400 Р
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц Количество чипов каждого модуля 161 800 Р
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 4 Гб форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 111 800 Р
Samsung M471B5173QH0-YK0, 1 модуль памяти DDR3L, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11,2 000 Р
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 111 900 Р