Оперативная память 4Gb Samsung M471B5173DB0-YK0 DDR3L 1600 SODIMM
Обзор
1 модуль памяти DDR3L
объем модуля 4 Гб
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11
Характеристики
Тип памяти
DDR3L
Тактовая частота (МГц)
1600 МГц
Форм-фактор
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность
12800 Мб/с
Объем
1 модуль 4 Гб
Поддержка ECC
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Бренд
Samsung
Количество модулей в комплекте
1
Напряжение питания
1.35 B
Количество чипов каждого модуля
8, двусторонняя упаковка
Отзывы
С этим товаром покупают
Переходник устанавливается в ноутбук вместо привода оптических дисков c интерфейсом SlimSATA высотой 9.5мм., предназначен для подключения дополнительного HDD либо SSD с интерфейсом SATA (7 + 15 pin). Предусмотрена возможность установки на переходник лицевой панель от штатного оптического DVD привода.
SSD диск для ноутбука и настольного компьютера
объем 500 Гб
форм-фактор 2.5"
интерфейс SATA 6Gb/s
SSD диск для ноутбука и настольного компьютера
объем 250 Гб
форм-фактор 2.5"
интерфейс SATA 6Gb/s
SSD диск для ноутбука и настольного компьютера
объем 500 ГБ
форм-фактор 2.5"
интерфейс SATA 6Gb/s
Рекомендуем посмотреть
объем памяти: 4 ГБ
тип: DDR3 SODIMM 204-pin
тактовая частота: 1600 МГц
напряжение питания: 1.35 В
пропускная способность: PC12800
16 чипов двухсторонняя
4Gb Hynix HMT351S6EFR8A
1 модуль памяти DDR3L
объем модуля 4 Гб
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11
Samsung M471B5173QH0-YK0,
1 модуль памяти DDR3L,
объем модуля 4 Гб,
форм-фактор SODIMM, 204-контактный,
частота 1600 МГц,
CAS Latency (CL): 11,
объем памяти: 4 ГБ
тип: DDR3L SODIMM 204-pin
тактовая частота: 1600 МГц
тайминги: 11-11-11
напряжение питания: 1.35 В
1 модуль памяти DDR3L
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11