Оперативная память 4Gb Samsung M471B5273EB0-YK0 DDR3L 1600 SODIMM 16Chip

объем памяти: 4 ГБ тип: DDR3L SODIMM 204-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11-11-11-35 напряжение питания: 1.35 В пропускная способность: PC12800
Бренд
4058
1 000
Осталось несколько штук
4058
Товар в корзине
Оформить заказ в 1 клик

Характеристики Оперативная память 4Gb Samsung M471B5273EB0-YK0 DDR3L 1600 SODIMM 16Chip

Тип памяти
DDR3L
Тактовая частота (МГц)
1600 МГц
Форм-фактор
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность
12800 Мб/с
Объем
1 модуль 4 Гб
Поддержка ECC
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Бренд
Samsung
Количество модулей в комплекте
1
Напряжение питания
1.35 B
Количество чипов каждого модуля
16, двусторонняя упаковка

Описание Оперативная память 4Gb Samsung M471B5273EB0-YK0 DDR3L 1600 SODIMM 16Chip

  • объем памяти: 4 ГБ
  • тип: DDR3L SODIMM 204-pin
  • тактовая частота: 1600 МГц
  • тайминги: 11-11-11-35
  • напряжение питания: 1.35 В
  • пропускная способность: PC12800

Отзывы (0) Оперативная память 4Gb Samsung M471B5273EB0-YK0 DDR3L 1600 SODIMM 16Chip

Написать отзыв
Похожие товары
Цена:
1 500
- +
Оформить заказ в 1 клик
Цена:
1 500
- +
Оформить заказ в 1 клик
Цена:
1 000
- +
Оформить заказ в 1 клик
Цена:
1 400
- +
Оформить заказ в 1 клик
Цена:
1 000
- +
Оформить заказ в 1 клик
Цена:
1 700
- +
Оформить заказ в 1 клик
Москва
Ваш город Москва?
0