Samsung
Жесткие диски, винчестеры (HDD - hard disk drive)
Для компьютеров (3.5")
Для ноутбуков (2.5")
Внешние HDD (USB)
Для серверов
Твердотельные накопители (SSD - solid-state drive)
Форм-фактор 2.5"
M.2 на шине PCI-E
M.2 на шине SATA
Внешние SSD (USB)
mSATA
Карты памяти (Flash drive)
USB Flash drive
Оперативная память (Random Access Memory)
Для ПК (DIMM)
DDR 4
DDR 3
DDR 2
Для ноутбуков (SODIMM)
DDR 4
DDR 3
DDR 2
Для серверов (ECC/REG)
Наушники и Bluetooth-гарнитуры
Телефоны
УЦЕНЕННЫЕ ТОВАРЫ
Для компьютеров (3.5")
Для ноутбуков (2.5")
Внешние HDD (USB)
Для серверов
Твердотельные накопители (SSD - solid-state drive)
Форм-фактор 2.5"
M.2 на шине PCI-E
M.2 на шине SATA
Внешние SSD (USB)
mSATA
Карты памяти (Flash drive)
USB Flash drive
Оперативная память (Random Access Memory)
Для ПК (DIMM)
DDR 4
DDR 3
DDR 2
Для ноутбуков (SODIMM)
DDR 4
DDR 3
DDR 2
Для серверов (ECC/REG)
Наушники и Bluetooth-гарнитуры
Телефоны
УЦЕНЕННЫЕ ТОВАРЫ
-
2 500 ₽ -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 17 Поддержка ECC18 000 ₽ -
форм-фактор: 2.5" емкость: 4000 ГБ скорость чтения/записи: 560 МБ/с / 530 МБ/с интерфейсы: SATA 6Gb/s разъем: SATA объем буфера: 4096 МБ тип флэш-памяти: V-NAND 3-bit MLC контроллер: Samsung MKX потребляемая мощность: 2.5 Вт время наработки на отказ: 1500000 ч рекомендован: для ноутбука и настольного компьютера, игровой39 400 ₽ -
объем памяти: 8 ГБ тип: DDR4 DIMM 288-pin тактовая частота: 2400 МГц тайминги: 17-17-17-38 напряжение питания: 1.2 В3 000 ₽ -
объем памяти: 16 ГБ тип: DDR4 DIMM 288-pin тактовая частота: 2133 МГц тайминги: 15-15-15 напряжение питания: 1.2 В7 000 ₽ -
объем памяти: 4 ГБ тип: DDR3 DIMM 240-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11-11-11 напряжение питания: 1.5 В1 500 ₽ -
Объем памяти комплекта 32 ГБ Кол-во планок в комплекте 1 шт Форм-фактор памяти DIMM Тип памяти DDR4 Ранг памяти двухранговая Тактовая частота 2400 МГц Пропускная способность 19200 МБ/с CAS-латентность CL17 Схема таймингов памяти 17-17-17 Рабочее напряжение 1.2 В Дополнительно поддержка буферизации (Registered) поддержка ECC8 000 ₽ -
объем памяти: 8 ГБ тип: DDR4 DIMM 288-pin тактовая частота: 2933 МГц тайминги: 21 напряжение питания: 1.2 В3 000 ₽ -
форм-фактор: 2280 емкость: 2000 ГБ скорость чтения/записи: 7000 МБ/с / 5000 МБ/с интерфейс подключения: PCI-E 4.0 x4 объем буфера: 2048 МБ30 250 ₽ -
форм-фактор: 2242 емкость: 128 ГБ интерфейс подключения: PCI-E 3.0 x2 тип флэш-памяти: TLC 3D NAND Максимальная скорость записи 1400 Мбайт/с Максимальная скорость чтения 1700 Мбайт/с1 700 ₽ -
объем памяти: 16 ГБ тип: DDR4 DIMM 288-pin тактовая частота: 2666 МГц тайминги: 19-19-19 напряжение питания: 1.2 В7 000 ₽ -
форм-фактор: 2.5" емкость: 1000 ГБ скорость чтения/записи: 560 МБ/с / 530 МБ/с интерфейс подключения: SATA 6Gb/s время наработки на отказ: 1500000 ч10 600 ₽ -
8Gb Samsung M471A1K43BB1 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 173 500 ₽ -
форм-фактор: 2.5" емкость: 500 ГБ скорость чтения/записи: 560 МБ/с / 530 МБ/с интерфейс подключения: SATA 6Gb/s объем буфера: 512 МБ6 000 ₽ -
форм-фактор: 2.5" емкость: 250 ГБ скорость чтения/записи: 560 МБ/с / 530 МБ/с интерфейс подключения: SATA 6Gb/s объем буфера: 512 МБ4 280 ₽ -
емкость: 2 ТБ форм-фактор: 1.8" интерфейс: USB 3.2 Type-C23 500 ₽ -
емкость: 1 ТБ форм-фактор: 1.8" интерфейс: USB 3.2 Type-C скорость чтения, до: 1050МБ скорость записи, до: 1000МБ14 000 ₽ -
емкость: 2ТБ форм-фактор: 1.8" интерфейс: USB 3.2 Type-C скорость чтения до: 1050МБ скорость записи до: 1000МБ20 400 ₽ -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 195 200 ₽ -
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 193 500 ₽
