Samsung
Твердотельные накопители (SSD - solid-state drive)
Форм-фактор 2.5"
M.2 на шине PCI-E
M.2 на шине SATA
Внешние SSD (USB)
Карты памяти (Flash drive)
USB Flash drive
Оперативная память (Random Access Memory)
Для ноутбуков (SODIMM)
DDR 5
DDR 4
DDR 3
DDR 2
Для ПК (DIMM)
DDR 5
DDR 4
DDR 3
DDR 2
DDR 1
Для серверов (ECC/REG)
Жесткие диски, винчестеры (HDD - hard disk drive)
Для компьютеров (3.5")
Для ноутбуков (2.5")
Внешние HDD (USB)
Для серверов
Наушники и Bluetooth-гарнитуры
Телефоны
УЦЕНЕННЫЕ ТОВАРЫ
Форм-фактор 2.5"
M.2 на шине PCI-E
M.2 на шине SATA
Внешние SSD (USB)
Карты памяти (Flash drive)
USB Flash drive
Оперативная память (Random Access Memory)
Для ноутбуков (SODIMM)
DDR 5
DDR 4
DDR 3
DDR 2
Для ПК (DIMM)
DDR 5
DDR 4
DDR 3
DDR 2
DDR 1
Для серверов (ECC/REG)
Жесткие диски, винчестеры (HDD - hard disk drive)
Для компьютеров (3.5")
Для ноутбуков (2.5")
Внешние HDD (USB)
Для серверов
Наушники и Bluetooth-гарнитуры
Телефоны
УЦЕНЕННЫЕ ТОВАРЫ
Быстрый просмотр
7453
Оперативная память 32GB Samsung Original M393A4K40CB1-CRC DDR4 2400MHz DIMM ECC REG
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2400 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
19200 Мб/с
Объем:
1 модуль 32 Гб
Быстрый просмотр
7890
Оперативная память 16Gb Samsung M425R2GA3EB0-CWMOD DDR5 5600 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Samsung M425R2GA3EB0-CWM0D 16ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГ
Тип памяти:
DDR5
Тактовая частота (МГц):
5600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
44800 Мб/с
Объем:
1 модуль 16 Гб
Быстрый просмотр
7900
Твердотельный накопитель 1Тб Samsung 990 EVO PLUS MZ-V9S1T0BW M.2 PCI-E Gen4 x4
Скоростной SSD формата 2280 емкостью 1000 Gb интерфейс PCI-E 4.0 x4 c
Скорость записи/Скорость чтения:
6150 / 7300 Mb/с
Бренд:
Samsung
Назначение:
для настольного компьютера, для ноутбука, для ноутбука и настольного компьютера
Тип:
SSD
Форм-фактор:
m.2 2280
Быстрый просмотр
7863
Оперативная память 32Gb Samsung M425R4GA3BB0-CQKOL DDR5 4800 SODIMM
Тип памяти:
DDR5
Тактовая частота (МГц):
4800 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
38400 Мб/с
Объем:
1 модуль 32 Гб
Быстрый просмотр
7657
Оперативная память 16Gb Samsung M425R2GA3BB0-CQK DDR5 4800 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Samsung M425R2GA3BB0-CQK0 16 ГБ DDR5 SODIMM частота: 4800 МГ
Тип памяти:
DDR5
Тактовая частота (МГц):
4800 МГц
Пропускная способность:
38400 Мб/с
Объем:
1 модуль 16 Гб
Поддержка ECC:
нет
Быстрый просмотр
7636
Оперативная память 16Gb SAMSUNG M323R2GA3DB0-CWMOD DDR5 5600 DIMM
модуль памяти для компьютера 16 ГБ DDR5 DIMM 288-pin тактовая частота 5600 МГц
Тип памяти:
DDR5
Тактовая частота (МГц):
5600 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
44800 Мб/с
Объем:
1 модуль 16 Гб
Быстрый просмотр
7310
Оперативная память 8Gb Samsung M425R1GB4BB0-CQKOL DDR5 4800 SODIMM
Модуль памяти DDR5 SODIMM 8 ГБ частота 4800 МГц
Тип памяти:
DDR5
Тактовая частота (МГц):
4800 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Объем:
1 модуль 8 Гб
Поддержка ECC:
нет
Быстрый просмотр
7265
Оперативная память 4Gb Samsung M471A5244BB0-CWE DDR4 3200 SODIMM
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 3200 МГц
CAS Latency (CL): 11
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3200 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
25600 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
7060
Оперативная память 8Gb Samsung M471A1G44BB0-CWE DDR4 3200 SODIMM
тип: DDR4
объем одного модуля: 8 ГБ
тактовая частота: 3200 МГц
Форм-фактор: SODIMM
количество модулей в комплекте: 1
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3200 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
25600 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
6989
Оперативная память 16Gb Samsung M471A2K43EB1-CWE DDR4 3200 SO-DIMM
Модуль памяти для ноутбука DDR4 16Gb частота 3200 Мгц
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3200 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
25600 Мб/с
Объем:
1 модуль 16 Гб
Быстрый просмотр
6644
Оперативная память 8Gb Samsung M471A1K43EB1-CWE DDR4 3200 SO-DIMM
модуль памяти для ноутбука DDR4 8 ГБ SODIMM с частотой 3200 МГц
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3200 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
25600 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
6606
Оперативная память 16Gb Samsung M471A2K43DB1-CWE DDR4 3200 SODIMM
Оригинальная планка памяти Samsung 16 ГБ DDR4 SODIMM 260-pin частота 3200 МГц
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3200 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Объем:
1 модуль 16 Гб
Поддержка ECC:
нет
Быстрый просмотр
6362
Оперативная память 8Gb Samsung M471A1G44AB0-CWE DDR4 3200 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Samsung 8 ГБ DDR4 SODIMM 260-pin 3200 МГц 1.2 В PC25600
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3200 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
25600 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
6333
Оперативная память 8Gb Samsung M471A1K43DB1-CWE DDR4 3200 SO-DIMM
Оригинальный модуль памяти Samsung 1 DDR4 8 Гб SODIMM, 260-контактный 3200 МГц CL22
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3200 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
25600 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
6325
Твердотельный накопитель 500GB Samsung 870 EVO MZ-77E500BW
форм-фактор: 2.5"
емкость: 500 ГБ
скорость чтения/записи: 560 МБ/с / 530 МБ/с
интерфейс подключения: SATA 6Gb/s
объем буфера: 512 МБ
Скорость записи/Скорость чтения:
530/550 МБ/с
Бренд:
Samsung
Назначение:
для настольного компьютера, для ноутбука, для ноутбука и настольного компьютера
Тип:
SSD
Форм-фактор:
2.5"
Быстрый просмотр
7456
Оперативная память 16Gb Samsung M471A2K43DB1-CTD DDR4 2666 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Samsung DDR4 16 ГБ SODIMM 260-контактный частота 2666 МГц (CL): 19
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2666 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
21300 Мб/с
Объем:
1 модуль 16 Гб
Хит!
Быстрый просмотр
5878
Оперативная память 4Gb Samsung M471A5244CB0-CWE DDR4 3200MHz SODIMM
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 3200 МГц
CAS Latency (CL): 11
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3200 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
25600 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
4581
Оперативная память 4Gb Samsung M471A5244CB0-CTD DDR4 2666 SODIMM
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2666 МГц
CAS Latency (CL): 19
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2666 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
21300 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
2762
Оперативная память 4GB SAMSUNG M471A5244CB0-CRC DDR4 2400 SODIMM
Оперативная память для ноутбука DDR4 4Gb
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2400 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
19200 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
4975
Оперативная память 8Gb Samsung M471B1G73BH0-CK0 DDR3 1600 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR3L
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
4632
Оперативная память 16Gb Samsung M471A2K43CB1-CTD DDR4 2666 SODIMM
Оригинальный модуль памяти для ноутбука Samsung DDR4 16 ГБ SODIMM частота 2666 МГц (CL): 19
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2666 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
21300 Мб/с
Объем:
1 модуль 16 Гб
Быстрый просмотр
4419
Оперативная память 8Gb Samsung M471A1K43CB1-CTD DDR4 2666 SO-DIMM
Оригинальный модуль памяти Samsung DDR4 8 ГБ SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц (CL): 19
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2666 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
21300 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
2650
Оперативная память 8Gb Samsung M471A1K43CB1-CRC DDR4 2400 SO-DIMM Оригинал
1 оригинальный модуль Samsung DDR4 8 ГБ SODIMM 260-контактный частота 2400 МГц CL17
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2400 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
19200 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
5221
Оперативная память 16Gb Samsung M471A2K43BB1-CPB DDR4 2133 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 16 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2133 МГц
CAS Latency (CL): 15
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2133 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
17000 Мб/с
Объем:
1 модуль 16 Гб
Быстрый просмотр
3929
Оперативная память 4Gb Samsung M378B5173EB0-CK0 DDR3 1600 DIMM
1 модуль памяти DDR3 4 ГБ DIMM 240-контактный 1600 МГц CL 11
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
3980
Оперативная память 8Gb Samsung M471B1G73QH0-YK0 DDR3L 1600 SO-DIMM
модуль памяти для ноутбука DDR3L 8 ГБ SODIMM частота 1600 МГц (CL): 11
Тип памяти:
DDR3L
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
3762
Оперативная память 4Gb Samsung M471A5244BB0-CRC DDR4 2400 SO-DIMM
Samsung DDR4 2400 SO-DIMM 4Gb
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 4 Гб
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2400 МГц
CAS Latency (CL): 17
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2400 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
19200 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
3932
Оперативная память 4Gb Samsung M471B5173DB0-YK0 DDR3L 1600 SODIMM
1 модуль памяти DDR3L 4 ГБ SODIMM 204-контактный 1600 МГц CL11
Тип памяти:
DDR3L
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
3902
Оперативная память 16Gb Samsung M471A2K43CB1-CRC DDR4 2400 SODIMM
Оригинальный модуль памяти для ноутбука Samsung DDR4 16 Гб SODIMM 2400 МГц (CL): 17
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2400 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
19200 Мб/с
Объем:
1 модуль 16 Гб
Быстрый просмотр
234
Оперативная память 8Gb Samsung M471B1G73EB0-YK0 DDR3L 1600 SO-DIMM
модуль памяти для ноутбука DDR3L 8 Гб SODIMM частота 1600 МГц (CL): 11
Тип памяти:
DDR3L
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб