г. Москва, метро Савёловская, ул. Сущевский вал, 5 стр. 1, ВКЦ «Савёловский», павильон Е-09.
Пн-Вс. 11:00-20:00
Samsung
Жесткие диски, винчестеры (HDD - hard disk drive)
Для компьютеров (3.5")
Для ноутбуков (2.5")
Внешние HDD (USB)
Для серверов
Твердотельные накопители (SSD - solid-state drive)
Форм-фактор 2.5"
M.2 на шине PCI-E
M.2 на шине SATA
Внешние SSD (USB)
mSATA
Карты памяти (Flash drive)
USB Flash drive
Оперативная память (Random Access Memory)
Для ПК (DIMM)
DDR 4
DDR 3
DDR 2
Для ноутбуков (SODIMM)
DDR 4
DDR 3
DDR 2
DDR 1
Для серверов (ECC/REG)
Наушники и Bluetooth-гарнитуры
Телефоны
УЦЕНЕННЫЕ ТОВАРЫ
Для компьютеров (3.5")
Для ноутбуков (2.5")
Внешние HDD (USB)
Для серверов
Твердотельные накопители (SSD - solid-state drive)
Форм-фактор 2.5"
M.2 на шине PCI-E
M.2 на шине SATA
Внешние SSD (USB)
mSATA
Карты памяти (Flash drive)
USB Flash drive
Оперативная память (Random Access Memory)
Для ПК (DIMM)
DDR 4
DDR 3
DDR 2
Для ноутбуков (SODIMM)
DDR 4
DDR 3
DDR 2
DDR 1
Для серверов (ECC/REG)
Наушники и Bluetooth-гарнитуры
Телефоны
УЦЕНЕННЫЕ ТОВАРЫ
Быстрый просмотр
7351
Внешний SSD 1Tb Samsung T7 Shield бежевый MU-PE1T0K/WW
Samsung MU-PE1T0K/WW External SSD T7 Shield, 1TB
Бренд:
Samsung
Назначение:
внешний накопитель
Тип:
SSD
Форм-фактор:
1.8"
Объем:
1000 ГБ
Быстрый просмотр
7350
Внешний SSD 1Tb Samsung T7 Shield черный MU-PE1T0S/WW
Samsung MU-PE1T0S/WW External SSD T7 Shield, 1TB
Бренд:
Samsung
Назначение:
внешний накопитель
Тип:
SSD
Форм-фактор:
1.8"
Объем:
1000 ГБ
Быстрый просмотр
7349
Внешний SSD 2Tb Samsung T7 Shield черный MU-PE2T0S/WW
Samsung MU-PE2T0S/WW External SSD T7 Shield, 2TB
Бренд:
Samsung
Назначение:
внешний накопитель
Тип:
SSD
Форм-фактор:
1.8"
Объем:
2000 ГБ
Быстрый просмотр
2652
Оперативная память 2Gb Samsung M378T5663DZ3-CF7 DDR2 800 DIMM
Объем одного модуля 2 ГБ DDR2 DIMM 240-pin 800 МГц PC6400
Тип памяти:
DDR2
Тактовая частота (МГц):
800 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
6400 Мб/с
Объем:
1 модуль 2 Гб
Быстрый просмотр
7265
Оперативная память 4Gb Samsung M471A5244BB0-CWE DDR4 3200 SODIMM
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 3200 МГц
CAS Latency (CL): 11
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3200 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
25600 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
7236
Оперативная память 32Gb Samsung M386B4G70DM0-CMA DDR3 1866 LRDIMM CL13 ECC REG
Объем памяти 32 ГБ
Тип DDR3 LRDIMM 240-pin
Тактовая частота 1866 МГц
Тайминги 13-13-13
Напряжение питания 1.5 В
Пропускная способность PC14900
Особенности ECC, буферизованная (Registered)
Тип памяти:
DDR3L
Тактовая частота (МГц):
1866 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
14900 Мб/с
Объем:
1 модуль 32 Гб
Быстрый просмотр
7187
Твердотельный накопитель 256Gb Samsung PM991a MZALQ256HBJD-00BL2 2242 PCI-E
Емкость 256 ГБ
Скорость чтения/записи 2200 МБ/с / 1750 МБ/с
Интерфейсы PCI-E
Разъем M.2
Тип PCI-E PCI-E 3.0 x4
Рекомендован для настольного компьютера и ноутбука
ШхВ 42х22 мм
Скорость записи/Скорость чтения:
1750/2200 МБ/с
Бренд:
Samsung
Назначение:
для настольного компьютера, для ноутбука, для ноутбука и настольного компьютера
Тип:
SSD
Форм-фактор:
m.2 2242
Быстрый просмотр
7206
Оперативная память 4Gb Samsung M471B5273DM0-CK0 DDR3 1600 SODIMM
тип: DDR3
объем одного модуля: 4 ГБ
тактовая частота: 1600 МГц
Форм-фактор: SODIMM
количество модулей в комплекте: 1
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
5984
Оперативная память 4Gb Samsung M471B5173CB0-YK0 DDR3L 1600 SODIMM
Объем памяти 4 ГБ
Тип DDR3L DIMM 240-pin
Тактовая частота 1600 МГц
Тайминги 11
Напряжение питания 1.35 В
Пропускная способность PC12800
Тип памяти:
DDR3L
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
6982
Твердотельный накопитель 256GB SAMSUNG MZMTE256HMHP PM851
Емкость 256 ГБ
Скорость чтения/записи 540 МБ/с / 270 МБ/с
Интерфейсы SATA 6Gb/s
Разъем mSATA
Время наработки на отказ 1500000 ч
Рекомендован для ноутбука и настольного компьютера, игровой
ШхДхВ 30х51х3.85 мм, вес: 9 г
Бренд:
Samsung
Назначение:
для ноутбука и настольного компьютера
Тип:
SSD
Форм-фактор:
mSATA
Объем:
256 ГБ
Быстрый просмотр
6691
Оперативная память 2GB SAMSUNG M470T5663RZ3-CF7 DDR2 800 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR2 2 ГБ SODIMM 200-контактный 800 МГц CL 6
Тип памяти:
DDR2
Тактовая частота (МГц):
800 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
6400 Мб/с
Объем:
1 модуль 2 Гб
Быстрый просмотр
7060
Оперативная память 8Gb Samsung M471A1G44BB0-CWE DDR4 3200 SODIMM
тип: DDR4
объем одного модуля: 8 ГБ
тактовая частота: 3200 МГц
Форм-фактор: SODIMM
количество модулей в комплекте: 1
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3200 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
25600 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
6989
Оперативная память 16Gb Samsung M471A2K43EB1-CWE DDR4 3200 SO-DIMM
объем памяти: 16 ГБ
тип: DDR4 SODIMM 260-pin
тактовая частота: 3200 МГц
напряжение питания: 1.2 В
пропускная способность: PC25600
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3200 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
25600 Мб/с
Объем:
1 модуль 16 Гб
Быстрый просмотр
6976
Оперативная память 4Gb Samsung M471B5273DH0-YK0 DDR3L 1600 SODIMM 16 chip
тип: DDR3L
объем одного модуля: 4 ГБ
тактовая частота: 1600 МГц
Форм-фактор: SODIMM
количество модулей в комплекте: 1
чипов памяти 16 шт.
Тип памяти:
DDR3L
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
6973
Оперативная память 16GB Samsung M378A2G43MX3-CWE DDR4 3200MHz DIMM
тип: DDR4
объем одного модуля: 16 ГБ
тактовая частота: 3200 МГц
Форм-фактор: DIMM
количество модулей в комплекте: 1
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3200 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
25600 Мб/с
Объем:
1 модуль 16 Гб
Быстрый просмотр
6961
Оперативная память 16Gb Samsung M471A2G43AB2-CWE DDR4 3200 SODIMM
объем памяти: 16 ГБ
тип: DDR4 SODIMM 260-pin
тактовая частота: 3200 МГц
напряжение питания: 1.2 В
пропускная способность: PC25600
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3200 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
25600 Мб/с
Объем:
1 модуль 16 Гб
Быстрый просмотр
6952
Оперативная память 16Gb Samsung M474A2K43BB1-CPBQ DDR4 2133 SODIMM ECC
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 16 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2133 МГц
CAS Latency (CL): 17
Поддержка ECC
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2133 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
17000 Мб/с
Объем:
1 модуль 16 Гб
Быстрый просмотр
6881
Твердотельный накопитель 250Gb Samsung 980 MZ-V8V250BW
форм-фактор: 2280, M
емкость: 250 ГБ
скорость чтения/записи: 2900 МБ/с / 1300 МБ/с
интерфейс подключения: M.2, PCI-E 3.0 x4
тип флэш-памяти: V-NAND 3-bit MLC
контроллер: Samsung Pablo
потребляемая мощность: 3.7 Вт
время наработки на отказ: 1500000 ч
игровой: да
рекомендован: для ноутбука и настольного компьютера, игровой
Скорость записи/Скорость чтения:
1300/2900 МБ/с
Бренд:
Samsung
Назначение:
для настольного компьютера, для ноутбука, для ноутбука и настольного компьютера
Тип:
SSD
Форм-фактор:
m.2 2280
Быстрый просмотр
4058
Оперативная память 4Gb Samsung M471B5273EB0-YK0 DDR3L 1600 SODIMM 16Chip
объем памяти: 4 ГБ
тип: DDR3L SODIMM 204-pin
тактовая частота: 1600 МГц
тайминги: 11-11-11-35
напряжение питания: 1.35 В
пропускная способность: PC12800
Тип памяти:
DDR3L
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
6813
Оперативная память 8GB Samsung M393A1G40EB1-CRC DDR4 2400MHz DIMM ECC REG
объем памяти: 8 ГБ
тип: DDR4 DIMM 288-pin
тактовая частота: 2400 МГц
тайминги: 17-17-17-38
напряжение питания: 1.2 В
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2400 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
19200 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
6812
Оперативная память 16GB Samsung Original M393A2K40BB0-CPB DDR4 2133 DIMM ECC REG
объем памяти: 16 ГБ
тип: DDR4 DIMM 288-pin
тактовая частота: 2133 МГц
тайминги: 15-15-15
напряжение питания: 1.2 В
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2133 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
17000 Мб/с
Объем:
1 модуль 16 Гб
Быстрый просмотр
6676
Оперативная память 8Gb SAMSUNG M378A1K43EB2-CVF DDR4 2933 DIMM
объем памяти: 8 ГБ
тип: DDR4 DIMM 288-pin
тактовая частота: 2933 МГц
тайминги: 21
напряжение питания: 1.2 В
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2933 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
23400 Мб/с, 23466 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
6644
Оперативная память 8Gb Samsung M471A1K43EB1-CWE DDR4 3200 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 3200 МГц
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3200 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
25600 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
6670
Твердотельный накопитель 2TB Samsung 980 PRO MZ-V8P2T0BW
форм-фактор: 2280
емкость: 2000 ГБ
скорость чтения/записи: 7000 МБ/с / 5000 МБ/с
интерфейс подключения: PCI-E 4.0 x4
объем буфера: 2048 МБ
Скорость записи/Скорость чтения:
5100/7000 МБ/с
Бренд:
Samsung
Назначение:
для настольного компьютера, для ноутбука
Тип:
SSD
Форм-фактор:
m.2 2280
Быстрый просмотр
6606
Оперативная память 16Gb Samsung M471A2K43DB1-CWE DDR4 3200 SODIMM
объем памяти: 16 ГБ
тип: DDR4 SODIMM 260-pin
тактовая частота: 3200 МГц
напряжение питания: 1.2 В
пропускная способность: PC25600
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3200 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Объем:
1 модуль 16 Гб
Поддержка ECC:
нет
Быстрый просмотр
6541
Твердотельный накопитель 128ГБ SAMSUNG MZ-ALQ1280 SSD M.2 NVMe PCIe 2242
форм-фактор: 2242
емкость: 128 ГБ
интерфейс подключения: PCI-E 3.0 x2
тип флэш-памяти: TLC 3D NAND
Максимальная скорость записи 1400 Мбайт/с
Максимальная скорость чтения 1700 Мбайт/с
Скорость записи/Скорость чтения:
1400/1700 Мбайт/с
Бренд:
Samsung
Назначение:
для настольного компьютера, для ноутбука, для ноутбука и настольного компьютера
Тип:
SSD
Форм-фактор:
m.2 2242
Быстрый просмотр
6449
Твердотельный накопитель 1TB Samsung 980 PRO MZ-V8P1T0BW
форм-фактор: 2280, M
емкость: 1000 ГБ
скорость чтения/записи: 7000 МБ/с / 5000 МБ/с
интерфейс подключения: M.2, PCI-E 4.0 x4
объем буфера: 512 МБ
Бренд:
Samsung
Назначение:
для настольного компьютера, для ноутбука, для ноутбука и настольного компьютера
Тип:
SSD
Форм-фактор:
m.2 2280
Объем:
1000 ГБ
Быстрый просмотр
6418
Твердотельный накопитель 1Tb Samsung 870 EVO MZ-77E1T0BW
форм-фактор: 2.5"
емкость: 1000 ГБ
скорость чтения/записи: 560 МБ/с / 530 МБ/с
интерфейс подключения: SATA 6Gb/s
время наработки на отказ: 1500000 ч
Скорость записи/Скорость чтения:
530/560 МБ/с
Бренд:
Samsung
Назначение:
для ноутбука и настольного компьютера
Тип:
SSD
Тип флэш-памяти:
TLC 3D NAND
Быстрый просмотр
6385
Твердотельный накопитель 500GB Samsung 980 PRO MZ-V8P500BW PCI-E 4.0 x4
форм-фактор: 2280, M
емкость: 500 ГБ
скорость чтения/записи: 6900 МБ/с / 5000 МБ/с
интерфейс подключения: M.2, PCI-E 4.0 x4
объем буфера: 512 МБ
Бренд:
Samsung
Назначение:
для настольного компьютера, для ноутбука, для ноутбука и настольного компьютера
Тип:
SSD
Форм-фактор:
m.2 2280
Объем:
500 ГБ
Быстрый просмотр
6378
Оперативная память 8Gb Samsung M471A1G43EB1-CPB DDR4 2133 SODIMM
объем памяти: 8 ГБ
тип: DDR4 SODIMM 260-pin
тактовая частота: 2133 МГц
тайминги: 15-15-15
напряжение питания: 1.2 В
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2133 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
17000 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб