Оперативная память 8Gb Samsung M471A1K43DB1-CTD DDR4 2666 SO-DIMM
Обзор
- 1 модуль памяти DDR4
- объем модуля 8 ГБ
- форм-фактор SODIMM, 260-контактный
- частота 2666 МГц
- CAS Latency (CL): 19
Характеристики
| Тип памяти |
DDR4
|
| Тактовая частота (МГц) |
2666 МГц
|
| Форм-фактор |
для ноутбуков (SO-DIMM)
|
| Пропускная способность |
21300 Мб/с
|
| Объем |
1 модуль 8 Гб
|
| Поддержка ECC |
нет
|
| Буферизованная (Registered) |
нет
|
| Низкопрофильная (Low Profile) |
нет
|
| Бренд |
Samsung
|
| Количество модулей в комплекте |
1
|
| Напряжение питания |
1.2 В
|
| Количество чипов каждого модуля |
8, двусторонняя упаковка
|
Отзывы
С этим товаром покупают
-
1 модуль памяти DDR2
объем модуля 2 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 800 МГц
CAS Latency (CL): 6
-
Жесткий диск на 500 Гб с повышенной надежностью от компании Western Digital
Рекомендуем посмотреть
-
объем памяти: 8 ГБ
тип: DDR4 SODIMM 260-pin
тактовая частота: 2666 МГц
тайминги: 19
напряжение питания: 1.2 В
пропускная способность: PC21300
-
объем памяти: 8 ГБ
тип: DDR4 SODIMM 260-pin
тактовая частота: 2666 МГц
тайминги: 19-19-19-32
напряжение питания: 1.2 В
-
объем памяти: 8 ГБ
тип: DDR4 SODIMM 260-pin
тактовая частота: 2666 МГц
тайминги: 19-19-19-43
напряжение питания: 1.2 В
-
объем памяти: 8 ГБ
тип: DDR4 SODIMM 260-pin
тактовая частота: 2666 МГц
тайминги: 19-19-19
напряжение питания: 1.2 В
-
объем памяти: 8 ГБ
тип: DDR4 SODIMM 260-pin
тактовая частота: 2666 МГц
тайминги: 19-19-19
напряжение питания: 1.2 В
1 модуль памяти DDR2 объем модуля 2 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 800 МГц CAS Latency (CL): 61 000 ₽![Жесткий диск 500Gb WD Black WD5000LPLX 2.5"](/wa-data/public/shop/products/26/10/1026/images/1342/1342.200x0.jpg "Жесткий диск 500Gb WD Black WD5000LPLX 2.5"")
объем памяти: 8 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 2666 МГц тайминги: 19 напряжение питания: 1.2 В пропускная способность: PC213003 300 ₽
объем памяти: 8 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 2666 МГц тайминги: 19-19-19-32 напряжение питания: 1.2 В2 800 ₽
объем памяти: 8 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 2666 МГц тайминги: 19-19-19-43 напряжение питания: 1.2 В2 950 ₽
объем памяти: 8 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 2666 МГц тайминги: 19-19-19 напряжение питания: 1.2 В3 000 ₽
объем памяти: 8 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 2666 МГц тайминги: 19-19-19 напряжение питания: 1.2 В3 000 ₽