Оперативная память 8Gb Samsung M471A1K43DB1-CTD DDR4 2666 SO-DIMM
Обзор
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2666 МГц
CAS Latency (CL): 19
Характеристики
Тип памяти
DDR4
Тактовая частота (МГц)
2666 МГц
Форм-фактор
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность
21300 Мб/с
Объем
1 модуль 8 Гб
Поддержка ECC
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Бренд
samsung
Количество модулей в комплекте
1
Напряжение питания
1.2 В
Отзывы
С этим товаром покупают
1 модуль памяти DDR2
объем модуля 2 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 800 МГц
CAS Latency (CL): 6
Рекомендуем посмотреть
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2666 МГц
CAS Latency (CL): 19
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2666 МГц
CAS Latency (CL): 17
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2666 МГц
CAS Latency (CL): 19
Тип памяти DDR4
Тактовая частота (МГц) 2400 МГц
Форм-фактор для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность 19200 Мб/с
Объем 1 модуль 8 Гб
Производитель Micron
Количество модулей 1
Напряжение питания 1.2 В
1 модуль памяти DDR2 объем модуля 2 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 800 МГц CAS Latency (CL): 61 000 Р
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 193 500 Р
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 173 500 Р
Тип памяти DDR4 Тактовая частота (МГц) 2400 МГц Форм-фактор для ноутбуков (SO-DIMM) Пропускная способность 19200 Мб/с Объем 1 модуль 8 Гб Производитель Micron Количество модулей 1 Напряжение питания 1.2 В2 700 Р
