Оперативная память 8Gb Samsung M471A1K43DB1-CTD DDR4 2666 SO-DIMM
Обзор
- 1 модуль памяти DDR4
- объем модуля 8 ГБ
- форм-фактор SODIMM, 260-контактный
- частота 2666 МГц
- CAS Latency (CL): 19
Характеристики
| Тип памяти |
DDR4
|
| Тактовая частота (МГц) |
2666 МГц
|
| Форм-фактор |
для ноутбуков (SO-DIMM)
|
| Пропускная способность |
21300 Мб/с
|
| Объем |
1 модуль 8 Гб
|
| Поддержка ECC |
нет
|
| Буферизованная (Registered) |
нет
|
| Низкопрофильная (Low Profile) |
нет
|
| Бренд |
Samsung
|
| Количество модулей в комплекте |
1
|
| Напряжение питания |
1.2 В
|
Отзывы
С этим товаром покупают
-
1 модуль памяти DDR2
объем модуля 2 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 800 МГц
CAS Latency (CL): 6
-
Samsung 860 PRO MZ-76P512BW
SSD диск для ноутбука и настольного компьютера
объем 512 Гб
форм-фактор 2.5"
интерфейс SATA 6Gb/s
Рекомендуем посмотреть
-
-
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2666 МГц
CAS Latency (CL): 19
-
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2666 МГц
CAS Latency (CL): 17
-
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2666 МГц
CAS Latency (CL): 19
-
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2666 МГц
CAS Latency (CL): 19
1 модуль памяти DDR2 объем модуля 2 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 800 МГц CAS Latency (CL): 61 000 Р
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 192 400 Р
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 173 500 Р
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 193 500 Р
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 192 900 Р