Оперативная память 8Gb Hynix HMA81GS6CJR8N-VK DDR4 2666 SODIMM
Обзор
- 1 модуль памяти DDR4
- объем модуля 8 ГБ
- форм-фактор SODIMM, 260-контактный
- частота 2666 МГц
- CAS Latency (CL): 19
Характеристики
Тип памяти |
DDR4
|
Тактовая частота (МГц) |
2666 МГц
|
Форм-фактор |
для ноутбуков (SO-DIMM)
|
Пропускная способность |
21300 Мб/с
|
Объем |
1 модуль 8 Гб
|
Поддержка ECC |
нет
|
Буферизованная (Registered) |
нет
|
Низкопрофильная (Low Profile) |
нет
|
Бренд |
Hynix
|
Количество модулей в комплекте |
1
|
Напряжение питания |
1.2 В
|
Количество чипов каждого модуля |
8, двусторонняя упаковка
|
Отзывы
С этим товаром покупают
-
8Gb Hynix HMA81GS6AFR8N-UH
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 8 Гб
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2400 МГц
Рекомендуем посмотреть
-
-
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2666 МГц
CAS Latency (CL): 19
-
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2666 МГц
CAS Latency (CL): 17
-
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2666 МГц
CAS Latency (CL): 19
-
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2666 МГц
CAS Latency (CL): 19