Твердотельный накопитель 500Gb Samsung 970 EVO Plus MZ-V7S500BW M.2 2280
Обзор
- емкость 500 ГБ
- для ноутбука и настольного компьютера
- Форм-фактор: 2280
- интерфейс PCI-E
- разъем M.2
Характеристики
| Скорость записи/Скорость чтения |
3200/3500 МБ/с
|
| Бренд |
Samsung
|
| Назначение |
для ноутбука и настольного компьютера
|
| Тип |
SSD
|
| Форм-фактор |
m.2 2280
|
| Объем |
500 ГБ
|
| Интерфейс (разъем подключения) |
PCI-E 3.0 x4
|
Отзывы
С этим товаром покупают
-
форм-фактор: 2.5"
емкость: 250 ГБ
скорость чтения/записи: 560 МБ/с / 530 МБ/с
интерфейс подключения: SATA 6Gb/s
объем буфера: 512 МБ
-
емкость 250 ГБ
для ноутбука и настольного компьютера
Форм-фактор: 2280
интерфейс PCI-E
разъем M.2
-
емкость 1000 ГБ
для ноутбука и настольного компьютера
Форм-фактор: 2280
интерфейс PCI-E
разъем M.2
-
8Gb Hynix HMA81GS6AFR8N-UH
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 8 Гб
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2400 МГц
-
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2400 МГц
CAS Latency (CL): 17
форм-фактор: 2.5" емкость: 250 ГБ скорость чтения/записи: 560 МБ/с / 530 МБ/с интерфейс подключения: SATA 6Gb/s объем буфера: 512 МБ2 900 ₽
емкость 250 ГБ для ноутбука и настольного компьютера Форм-фактор: 2280 интерфейс PCI-E разъем M.23 900 ₽
емкость 1000 ГБ для ноутбука и настольного компьютера Форм-фактор: 2280 интерфейс PCI-E разъем M.29 300 ₽
8Gb Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц2 900 ₽
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 172 600 ₽