Переходник устанавливается в ноутбук вместо привода оптических дисков c интерфейсом SlimSATA высотой 9.5мм., предназначен для подключения дополнительного HDD либо SSD с интерфейсом SATA (7 + 15 pin). Предусмотрена возможность установки на переходник лицевой панель от штатного оптического DVD привода.
Модуль памяти для ноутбука Kingston KVR1333D3S9/8G DDR3 - емкостью 8Гб, работающий с тактовой частотой 1,3 ГГц и пропускной способностью 10600 Мбит/с, с таймингами 9-9-9, с рабочим напряжением в 1,5 В,имеющий 204-контактный SODIMM-разъем.
Модуль памяти для компьютера KINGSTON KVR16N11/8 DDR3 - емкостью 8Гб, работающий с тактовой частотой 1,6 ГГц и пропускной способностью 12800 Мбит/с, с таймингами 11-11-11, с рабочим напряжением в 1,5 В,имеющий 240-контактный DIMM-разъем, представлена в низко-профильном исполнении.
Переходник устанавливается в ноутбук вместо привода оптических дисков c интерфейсом SlimSATA высотой 9.5мм., предназначен для подключения дополнительного HDD либо SSD с интерфейсом SATA (7 + 15 pin). Предусмотрена возможность установки на переходник лицевой панель от штатного оптического DVD привода.850 Р![Твердотельный накопитель 500Gb Samsung 860 EVO MZ-76E500BW 2.5"](/wa-data/public/shop/products/34/23/2334/images/3058/3058.200x0.jpg "Твердотельный накопитель 500Gb Samsung 860 EVO MZ-76E500BW 2.5"")
SSD диск для ноутбука и настольного компьютера объем 500 Гб форм-фактор 2.5" интерфейс SATA 6Gb/s5 800 Р
Модуль памяти для ноутбука Kingston KVR1333D3S9/8G DDR3 - емкостью 8Гб, работающий с тактовой частотой 1,3 ГГц и пропускной способностью 10600 Мбит/с, с таймингами 9-9-9, с рабочим напряжением в 1,5 В,имеющий 204-контактный SODIMM-разъем.3 300 Р![Твердотельный накопитель 250Gb SATA Samsung 860 EVO MZ-76E250BW 2.5"](/wa-data/public/shop/products/48/23/2348/images/3122/3122.200x0.jpg "Твердотельный накопитель 250Gb SATA Samsung 860 EVO MZ-76E250BW 2.5"")
SSD диск для ноутбука и настольного компьютера объем 250 Гб форм-фактор 2.5" интерфейс SATA 6Gb/s4 000 Р
Модуль памяти для компьютера KINGSTON KVR16N11/8 DDR3 - емкостью 8Гб, работающий с тактовой частотой 1,6 ГГц и пропускной способностью 12800 Мбит/с, с таймингами 11-11-11, с рабочим напряжением в 1,5 В,имеющий 240-контактный DIMM-разъем, представлена в низко-профильном исполнении.2 500 Р
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 113 000 Р
8Gb Hynix SODIMM HMT41GS6BFR8A-PB 1 модуль памяти DDR3L, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11,2 800 Р
Samsung SO-DIMM 8Gb M471B1G73DB0-YK0, 1 модуль памяти DDR3L, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11,3 500 Р