Оперативная память 2Gb Hynix DDR3 1333 SO-DIMM
Характеристики
| Тип памяти |
DDR3
|
| Тактовая частота (МГц) |
1333 МГц
|
| Пропускная способность |
10600 Мб/с
|
| Объем |
1 модуль 2 Гб
|
| Поддержка ECC |
нет
|
| Буферизованная (Registered) |
нет
|
| Низкопрофильная (Low Profile) |
нет
|
| Бренд |
Hynix
|
| Количество модулей в комплекте |
1
|
| Напряжение питания |
1.5 В
|
Отзывы
С этим товаром покупают
-
1 модуль памяти DDR3L
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11
Рекомендуем посмотреть
-
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 2 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1333 МГц
CAS Latency (CL): 9
-
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 2 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1333 МГц
-
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 2 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1333 МГц
CAS Latency (CL): 9
-
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 2 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1333 МГц
CAS Latency (CL): 9
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 111 500 Р
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 2 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1333 МГц CAS Latency (CL): 9900 Р
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 2 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1333 МГц600 Р
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 2 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1333 МГц CAS Latency (CL): 9700 Р
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 2 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1333 МГц CAS Latency (CL): 91 200 Р