Samsung
Твердотельные накопители (SSD - solid-state drive)
Форм-фактор 2.5"
M.2 на шине PCI-E
M.2 на шине SATA
Внешние SSD (USB)
Карты памяти (Flash drive)
USB Flash drive
Оперативная память (Random Access Memory)
Для ноутбуков (SODIMM)
DDR 5
DDR 4
DDR 3
DDR 2
Для ПК (DIMM)
DDR 5
DDR 4
DDR 3
DDR 2
DDR 1
Для серверов (ECC/REG)
Жесткие диски, винчестеры (HDD - hard disk drive)
Для компьютеров (3.5")
Для ноутбуков (2.5")
Внешние HDD (USB)
Для серверов
Наушники и Bluetooth-гарнитуры
Телефоны
УЦЕНЕННЫЕ ТОВАРЫ
Форм-фактор 2.5"
M.2 на шине PCI-E
M.2 на шине SATA
Внешние SSD (USB)
Карты памяти (Flash drive)
USB Flash drive
Оперативная память (Random Access Memory)
Для ноутбуков (SODIMM)
DDR 5
DDR 4
DDR 3
DDR 2
Для ПК (DIMM)
DDR 5
DDR 4
DDR 3
DDR 2
DDR 1
Для серверов (ECC/REG)
Жесткие диски, винчестеры (HDD - hard disk drive)
Для компьютеров (3.5")
Для ноутбуков (2.5")
Внешние HDD (USB)
Для серверов
Наушники и Bluetooth-гарнитуры
Телефоны
УЦЕНЕННЫЕ ТОВАРЫ
Быстрый просмотр
8032
Твердотельный накопитель 512 Gb Samsung PM991a MZ-ALQ512B 2242 PCI-E
Быстрый SSD от фирмы Samsung для компьютера или ноутбука формата M.2 размером 2242-2280 объемом 512Gb
Скорость записи/Скорость чтения:
1800/3100 МБ/сек
Бренд:
Samsung
Назначение:
для настольного компьютера, для ноутбука, для ноутбука и настольного компьютера
Тип:
SSD
Форм-фактор:
m.2 2242
Быстрый просмотр
8026
Внешний SSD 4Тб Samsung T7 Portable серый MU-PC4T0T
внешний SSD, 4000 Гб, USB 3.2 Gen2 Type-C, чтение: 1050 Мб/сек, запись: 1000 Мб/сек
Бренд:
Samsung
Назначение:
внешний накопитель
Тип:
SSD
Форм-фактор:
1.8"
Объем:
4000 ГБ
Быстрый просмотр
7938
Твердотельный накопитель 4Tb Samsung PM893 Series MZ7L33T8HBLT 2.5"
Линейка:
PM893
Бренд:
Samsung
Назначение:
для настольного компьютера, для ноутбука, для ноутбука и настольного компьютера, для сервера, для систем видеонаблюдения, сетевой накопитель (NAS)
Тип:
SSD
Форм-фактор:
2.5"
Быстрый просмотр
SSD накопитель для компьютера и ноутбука 512Гб NVMe M.2 PCI-E Gen4 x4
Скорость записи/Скорость чтения:
5600/6000 МБ/сек
Бренд:
Samsung
Назначение:
для настольного компьютера, для ноутбука, для ноутбука и настольного компьютера
Тип:
SSD
Форм-фактор:
m.2 2280
Быстрый просмотр
7821
Оперативная память 16GB Samsung M378A2K43EB1-CWE DDR4 3200 DIMM
модуль памяти 16 ГБ DDR4 DIMM 3200 МГц
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3200 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
25600 Мб/с
Объем:
1 модуль 16 Гб
Быстрый просмотр
7658
Твердотельный накопитель 512Gb Samsung PM9C1a PCI-E 2242
Емкость накопителя 512 Гб NVMe M.2 PCI-E Gen4 x4 2242 M Key
Скорость записи/Скорость чтения:
5600/6000 МБ/сек
Бренд:
Samsung
Назначение:
для настольного компьютера, для ноутбука, для ноутбука и настольного компьютера
Тип:
SSD
Форм-фактор:
m.2 2242
Быстрый просмотр
7651
Оперативная память 8Gb Samsung M471A1G44CB0-CWE DDR4 3200 SODIMM
тип: DDR4 объем одного модуля: 8 ГБ тактовая частота: 3200 МГц Форм-фактор: SODIMM количество модулей в комплекте: 1
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3200 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
25600 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
7636
Оперативная память 16Gb SAMSUNG M323R2GA3DB0-CWM0D DDR5 5600 DIMM
модуль памяти 16 ГБ DDR5 DIMM 288-pin тактовая частота 5600 МГц
Тип памяти:
DDR5
Тактовая частота (МГц):
5600 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
44800 Мб/с
Объем:
1 модуль 16 Гб
Быстрый просмотр
7605
Внешний SSD 1TB Samsung T9 черный MU-PG1T0B/WW
Бренд:
Samsung
Назначение:
внешний накопитель
Тип:
SSD
Форм-фактор:
1.8"
Объем:
1000 ГБ
Быстрый просмотр
7595
Твердотельный накопитель 4Тб Samsung 990 PRO MZ-V9P4T0BW M.2 PCI-E Gen4 x4
SSD 2280 емкостью 4000 Gb интерфейс PCI-E 4.0 x4 c объемом буфера 2048 Gb
Скорость записи/Скорость чтения:
7450/6900 Mb/с
Бренд:
Samsung
Назначение:
для настольного компьютера, для ноутбука, для ноутбука и настольного компьютера
Тип:
SSD
Форм-фактор:
m.2 2280
Быстрый просмотр
7567
Внешний SSD 2Тб Samsung T9 MU-PG2T0B/WW
внешний SSD емкость 2 ТБ форм-фактор 1.8" USB 3.2 Gen 2x2 (20 Gbps)
Бренд:
Samsung
Назначение:
внешний накопитель
Тип:
SSD
Форм-фактор:
1.8"
Объем:
2000 ГБ
Быстрый просмотр
7566
Твердотельный накопитель 4Тб Samsung T9 MU-PG4T0B/WW External SSD
Бренд:
Samsung
Назначение:
внешний накопитель
Тип:
SSD
Форм-фактор:
1.8"
Объем:
4000 ГБ
Быстрый просмотр
6690
Оперативная память 2Gb Samsung M470T5663EH3-CF7 DDR2 800 SODIMM
1 модуль памяти DDR2 2 ГБ SODIMM 200-контактный 800 МГц CL 6
Тип памяти:
DDR2
Тактовая частота (МГц):
800 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
6400 Мб/с
Объем:
1 модуль 2 Гб
Быстрый просмотр
7265
Оперативная память 4Gb Samsung M471A5244BB0-CWE DDR4 3200 SODIMM
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 3200 МГц
CAS Latency (CL): 11
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3200 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
25600 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
7187
Твердотельный накопитель 256Gb Samsung PM991a MZALQ256HBJD 2242 PCI-E
Оригинальный SSD Samsung 256 ГБ cкорость 2200 МБ/с / 1750 МБ/с PCI-E 3.0 x4 M2 2242
Скорость записи/Скорость чтения:
1750/2200 МБ/с
Бренд:
Samsung
Назначение:
для настольного компьютера, для ноутбука, для ноутбука и настольного компьютера
Тип:
SSD
Форм-фактор:
m.2 2242
Быстрый просмотр
6691
Оперативная память 2GB SAMSUNG M470T5663RZ3-CF7 DDR2 800 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR2 2 ГБ SODIMM 200-контактный 800 МГц CL 6
Тип памяти:
DDR2
Тактовая частота (МГц):
800 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
6400 Мб/с
Объем:
1 модуль 2 Гб
Быстрый просмотр
6989
Оперативная память 16Gb Samsung M471A2K43EB1-CWE DDR4 3200 SO-DIMM
объем памяти: 16 ГБ
тип: DDR4 SODIMM 260-pin
тактовая частота: 3200 МГц
напряжение питания: 1.2 В
пропускная способность: PC25600
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3200 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
25600 Мб/с
Объем:
1 модуль 16 Гб
Быстрый просмотр
6961
Оперативная память 16Gb Samsung M471A2G43AB2-CWE DDR4 3200 SODIMM
объем памяти: 16 ГБ
тип: DDR4 SODIMM 260-pin
тактовая частота: 3200 МГц
напряжение питания: 1.2 В
пропускная способность: PC25600
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3200 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
25600 Мб/с
Объем:
1 модуль 16 Гб
Быстрый просмотр
6952
Оперативная память 16Gb Samsung M474A2K43BB1-CPBQ DDR4 2133 SODIMM ECC
Оригинальный модуль памяти DDR4 16 ГБ SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц (CL): 17 поддержка ECC
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2133 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
17000 Мб/с
Объем:
1 модуль 16 Гб
Быстрый просмотр
4058
Оперативная память 4Gb Samsung M471B5273EB0-YK0 DDR3L 1600 SODIMM 16Chip
объем памяти: 4 ГБ
тип: DDR3L SODIMM 204-pin
тактовая частота: 1600 МГц
тайминги: 11-11-11-35
напряжение питания: 1.35 В
пропускная способность: PC12800
Тип памяти:
DDR3L
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
6825
Твердотельный накопитель 512Gb Samsung PM991 MZALQ512HALU 2242 PCI-E
производитель Samsung
серия PM991
ёмкость 512 Гб
форм фактор M.2 2242
интерфейс подключения PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3)
скорость последовательного чтения 2200 МБ/с
скорость последовательной записи 1200 МБ/с
максимальная скорость случайного чтения (блоки по 4 Кбайт) 120K IOPS
максимальная скорость случайной записи (блоки по 4 Кбайт) 240K IOPS
тип памяти Samsung V-NAND 3bit MLC (3D TLC (Triple Level Cell) V-NAND)
Бренд:
Samsung
Назначение:
для настольного компьютера, для ноутбука
Тип:
SSD
Форм-фактор:
m.2 2242
Объем:
512 МБ
Быстрый просмотр
6644
Оперативная память 8Gb Samsung M471A1K43EB1-CWE DDR4 3200 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR4 8 ГБ SODIMM, 260-контактный 3200 МГц
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3200 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
25600 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
6333
Оперативная память 8Gb Samsung M471A1K43DB1-CWE DDR4 3200 SO-DIMM
Оригинальный модуль памяти Samsung 1 DDR4 8 Гб SODIMM, 260-контактный 3200 МГц CL22
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3200 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
25600 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
6325
Твердотельный накопитель 500GB Samsung 870 EVO MZ-77E500BW
форм-фактор: 2.5"
емкость: 500 ГБ
скорость чтения/записи: 560 МБ/с / 530 МБ/с
интерфейс подключения: SATA 6Gb/s
объем буфера: 512 МБ
Скорость записи/Скорость чтения:
530/550 МБ/с
Бренд:
Samsung
Назначение:
для настольного компьютера, для ноутбука, для ноутбука и настольного компьютера
Тип:
SSD
Форм-фактор:
2.5"
Быстрый просмотр
6257
Оперативная память 32GB Samsung M471A4G43AB1-CWE DDR4 3200 SODIMM
модуль памяти DDR4 32 ГБ SODIMM 260-контактный 3200 МГц CL 22 1.2 В
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3200 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
25600 Мб/с
Объем:
1 модуль 32 Гб
Быстрый просмотр
375
Оперативная память 2Gb Samsung M378T5663EH3-CF7 DDR2 800 DIMM
объем памяти 2 ГБ DDR2 DIMM 240-pin 800 МГц 6-6-6
Тип памяти:
DDR2
Тактовая частота (МГц):
800 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
6400 Мб/с
Объем:
1 модуль 2 Гб
Быстрый просмотр
4868
Твердотельный накопитель 250Gb Samsung 970 EVO PLUS MZ-V7S250BW
емкость 250 ГБ
для ноутбука и настольного компьютера
Форм-фактор: 2280
интерфейс PCI-E
разъем M.2
Скорость записи/Скорость чтения:
2300/3500 МБ/с
Бренд:
Samsung
Назначение:
для ноутбука и настольного компьютера
Тип:
SSD
Тип флэш-памяти:
TLC 3D NAND
Быстрый просмотр
4748
Оперативная память 8Gb Samsung M471A1K43DB1-CTD DDR4 2666 SO-DIMM
модуль памяти DDR4 8 ГБ SODIMM частота 2666 МГц
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2666 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
21300 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
2301
Оперативная память 8Gb Samsung M378A1K43BB1-CPB DDR4 2133 DIMM
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2133 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
17000 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
4562
Оперативная память 4Gb Samsung M471B5173BH0-YK0 DDR3L 1600 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR3L
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11
Тип памяти:
DDR3L
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб