DDR 4
- Сортировать:
- Цена
- Название
- Хиты продаж
- Дата добавления
- В наличии
Сортировать:
Быстрый просмотр
3797
Оперативная память 8Gb Samsung M471A1G43DB0-CPB DDR4 2133 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2133 МГц
CAS Latency (CL): 15
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2133 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
17000 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
2090
Оперативная память 4Gb Hynix HMA451S6AFR8N-TF DDR4 2133 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Hynix DDR4 4 ГБ SODIMM 260-контактный частота 2133 МГц (CL): 15
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2133 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
17000 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
4506
Оперативная память 8Gb Kingston KVR26S19S8/8 DDR4 2666 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Kingston DDR4 8 ГБ SODIMM 260-контактный частота 2666 МГц (CL): 19
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2666 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
21300 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
4860
Оперативная память 4Gb Hynix HMA851S6CJR6N-VK DDR4 2666 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Hynix DDR4 4 ГБ SODIMM 260-контактный частота 2666 МГц (CL): 19
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2400 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
19200 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
4636
Оперативная память 4Gb Micron MTA4ATF51264HZ-2G3E2 DDR4 2400 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR4 4 ГБ SODIMM, 260-контактный 2400 МГц CL17
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2400 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
19200 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
4748
Оперативная память 8Gb Samsung M471A1K43DB1-CTD DDR4 2666 SO-DIMM
модуль памяти DDR4 8 ГБ SODIMM частота 2666 МГц
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2666 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
21300 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
4546
Оперативная память 4Gb Samsung M471A5143SB1-CRC DDR4 2400 SO-DDR
модуль памяти DDR4 4 ГБ SODIMM 2400 МГц (CL): 17
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2400 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
19200 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
3669
Оперативная память 8GB Micron MTA16ATF1G64HZ-2G1B1 DDR4 2133 SO-DIMM
модуль памяти для ноутбука DDR4 8 Гб SODIMM частота 2133 МГц (CL): 15
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2133 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
17000 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
5068
Оперативная память 8Gb Kingston KCP426SS8/8 DDR4 2666 SO-DIMM CL17
Оригинальный модуль памяти Kingston DDR4 8 ГБ SODIMM 260-контактный 2666 МГц CL19
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2666 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
21300 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
5200
Оперативная память 4Gb Hynix HMA851S6JJR6N-VK DDR4 2666 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Hynix 4 ГБ SODIMM 260-контактный частота 2666 МГц (CL): 19
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2666 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
21300 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Хит!
Быстрый просмотр
5878
Оперативная память 4Gb Samsung M471A5244CB0-CWE DDR4 3200MHz SODIMM
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 3200 МГц
CAS Latency (CL): 11
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3200 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
25600 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
6143
Оперативная память 8Gb Kingston KVR32S22S8/8 DDR4 3200 SODIMM
Оригинальная планка памяти Kingston 8 ГБ DDR4 SODIMM 260-pin частота 3200 МГц CL22 напряжение питания 1.2 В
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3200 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
25600 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
6224
Оперативная память 8Gb Hynix HMA81GS6DJR8N-XN DDR4 3200 SODIMM
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 3200 МГц
CAS Latency (CL): 22
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3200 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
25600 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
6241
Оперативная память 16Gb Kingston ValueRAM KVR32S22S8/16 DDR4 3200 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Kingston DDR4 16 ГБ SODIMM 260-контактный 3200 МГц (CL): 22
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3200 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
25600 Мб/с
Объем:
1 модуль 16 Гб
Быстрый просмотр
6249
Оперативная память 16Gb Kingston KVR32S22D8/16 DDR4 3200 SODIMM CL22
Оригинальный модуль памяти Kingston DDR4 16 ГБ SODIMM 260-контактный 3200 МГц (CL): 22
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3200 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
25600 Мб/с
Объем:
1 модуль 16 Гб
Быстрый просмотр
4098
Оперативная память 8Gb Micron MTA8ATF1G64HZ-2G6H1 DDR4 2666 SODIMM
Оригинальный модуль Micron DDR4 8 ГБ SODIMM, 260-контактный 2666 МГц CL19
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2666 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
21300 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
6321
Оперативная память 8Gb Micron MTA8ATF1G64HZ-3G2J1 DDR4 3200 SODIMM
модуль памяти для ноутбука DDR4 8 ГБ SODIMM 3200 МГц
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3200 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
25600 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
6333
Оперативная память 8Gb Samsung M471A1K43DB1-CWE DDR4 3200 SO-DIMM
Оригинальный модуль памяти Samsung 1 DDR4 8 Гб SODIMM, 260-контактный 3200 МГц CL22
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3200 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
25600 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
6362
Оперативная память 8Gb Samsung M471A1G44AB0-CWE DDR4 3200 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Samsung 8 ГБ DDR4 SODIMM 260-pin 3200 МГц 1.2 В PC25600
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3200 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
25600 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
6381
Оперативная память 4GB Crucial CT4G4SFS8266 DDR4 2666 SODIMM CL17
объем памяти: 4 ГБ
тип: DDR4 SODIMM 260-pin
тактовая частота: 2666 МГц
тайминги: 19
напряжение питания: 1.2 В
Тактовая частота (МГц):
2666 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
21300 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Поддержка ECC:
нет
Быстрый просмотр
6405
Оперативная память 4Gbx4 Kingston HyperX HX421S14IBK4/16 DDR4 2133 SODIMM CL13
объем памяти: 16 ГБ (4 планки по 4 ГБ)
тип: DDR4 SODIMM 260-pin
тактовая частота: 2133 МГц
тайминги: 14-14-14
напряжение питания: 1.2 В
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2133 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
17000 Мб/с
Объем:
4 модуля по 4 Гб
Быстрый просмотр
6446
Оперативная память 32Gb Kingston KVR26S19D8/32 DDR4 2666 SODIMM
Модуль памяти для ноутбука объем памяти 32ГБ DDR4 2666 МГц
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2666 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
21300 Мб/с
Объем:
1 модуль 32 Гб
Быстрый просмотр
7032
Оперативная память 4Gb Micron MTA4ATF51264HZ-3G2J1 DDR4 3200 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Micron 4 ГБ 3200 МГц SODIMM
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3200 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
25600 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
6500
Оперативная память 16Gb Kingston KCP426SD8/16 DDR4 2666MHz SODIMM
объем памяти: 16 ГБ
тип: DDR4 SODIMM 260-pin
тактовая частота: 2666 МГц
напряжение питания: 1.2 В
пропускная способность: PC21300
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2666 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
21300 Мб/с
Объем:
1 модуль 16 Гб
Быстрый просмотр
6512
Оперативная память 16GB Kingston KVR26S19S8/16 DDR4 2666MHz SODIMM CL19
объем памяти: 16 ГБ
тип: DDR4 SODIMM 260-pin
тактовая частота: 2666 МГц
тайминги: 19
напряжение питания: 1.25 В
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2666 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
21300 Мб/с
Объем:
1 модуль 16 Гб
Быстрый просмотр
6215
Оперативная память 8GB Kingston KVR26S19S6/8 DDR4 2666MHz SODIMM CL19
Оригинальный модуль памяти Kingston 8 ГБ DDR4 SODIMM 260-pin частота 2666 МГц CL19
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2666 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
21300 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
6599
Оперативная память 8Gb Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN DDR4 3200 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Hynix 8 ГБ DDR4 SODIMM 260-pin 3200 МГц 22-22-22 PC25600
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3200 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
25600 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
5099
Оперативная память 8Gbx4 KIT HyperX HX424S15IB2K4/32 DDR4 2400 SODIMM
Набор на 32Gb, 4 модуля памяти DDR4 по 8 ГБ SODIMM, 260-контактный
частота 2400 МГц (CL): 15
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2400 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
19200 Мб/с
Объем:
4 модуля по 8 Гб
Быстрый просмотр
6774
Оперативная память 8Gb HyperX Impact HX421S13IB2/8 DDR4 2133 SO-DIMM
Тип DDR4
Форм-фактор SODIMM
Количество модулей в комплекте1
Объем одного модуля 8 ГБ
Тактовая частота 2133 МГц
Пропускная способность PC17000
CL 13
Напряжение питания 1.2 В
Количество контактов 260
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2133 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
17000 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
6819
Оперативная память 4Gb Ramaxel RMSA3270ME86H9F DDR4 2666 SODIMM CL19 RMSA3270ME86H9F
объем памяти: 4 ГБ
тип: DDR4 SODIMM 260-pin
тактовая частота: 2666 МГц
тайминги: 19
напряжение питания: 1.2 В
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2666 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
21300 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб