DDR 4
- Сортировать:
- Цена
- Название
- Хиты продаж
- Дата добавления
- В наличии
Сортировать:
Быстрый просмотр
3441
Оперативная память 8Gb Hynix HMA81GS6AFR8N-UH DDR4 2400 SO-DIMM
Оригинальный модуль памяти Hynix DDR4 8 Гб SODIMM 260-контактный частота 2400 МГц
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2400 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
19200 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
3797
Оперативная память 8Gb Samsung M471A1G43DB0-CPB DDR4 2133 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2133 МГц
CAS Latency (CL): 15
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2133 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
17000 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
4506
Оперативная память 8Gb Kingston KVR26S19S8/8 DDR4 2666 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Kingston DDR4 8 ГБ SODIMM 260-контактный частота 2666 МГц (CL): 19
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2666 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
21300 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
4860
Оперативная память 4Gb Hynix HMA851S6CJR6N-VK DDR4 2666 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Hynix DDR4 4 ГБ SODIMM 260-контактный частота 2666 МГц (CL): 19
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2400 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
19200 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
4636
Оперативная память 4Gb Micron MTA4ATF51264HZ-2G3E2 DDR4 2400 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR4 4 ГБ SODIMM, 260-контактный 2400 МГц CL17
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2400 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
19200 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
4748
Оперативная память 8Gb Samsung M471A1K43DB1-CTD DDR4 2666 SO-DIMM
модуль памяти DDR4 8 ГБ SODIMM частота 2666 МГц
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2666 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
21300 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
6224
Оперативная память 8Gb Hynix HMA81GS6DJR8N-XN DDR4 3200 SODIMM
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 3200 МГц
CAS Latency (CL): 22
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3200 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
25600 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
6249
Оперативная память 16Gb Kingston KVR32S22D8/16 DDR4 3200 SODIMM CL22
Оригинальный модуль памяти Kingston DDR4 16 ГБ SODIMM 260-контактный 3200 МГц (CL): 22
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3200 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
25600 Мб/с
Объем:
1 модуль 16 Гб
Быстрый просмотр
4098
Оперативная память 8Gb Micron MTA8ATF1G64HZ-2G6H1 DDR4 2666 SODIMM
Оригинальный модуль Micron DDR4 8 ГБ SODIMM, 260-контактный 2666 МГц CL19
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2666 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
21300 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
6257
Оперативная память 32GB Samsung M471A4G43AB1-CWE DDR4 3200 SODIMM
модуль памяти DDR4 32 ГБ SODIMM 260-контактный 3200 МГц CL 22 1.2 В
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3200 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
25600 Мб/с
Объем:
1 модуль 32 Гб
Быстрый просмотр
6321
Оперативная память 8Gb Micron MTA8ATF1G64HZ-3G2J1 DDR4 3200 SODIMM
модуль памяти для ноутбука DDR4 8 ГБ SODIMM 3200 МГц
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3200 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
25600 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
6333
Оперативная память 8Gb Samsung M471A1K43DB1-CWE DDR4 3200 SO-DIMM
Оригинальный модуль памяти Samsung 1 DDR4 8 Гб SODIMM, 260-контактный 3200 МГц CL22
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3200 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
25600 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
6405
Оперативная память 4Gbx4 Kingston HyperX HX421S14IBK4/16 DDR4 2133 SODIMM CL13
объем памяти: 16 ГБ (4 планки по 4 ГБ)
тип: DDR4 SODIMM 260-pin
тактовая частота: 2133 МГц
тайминги: 14-14-14
напряжение питания: 1.2 В
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2133 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
17000 Мб/с
Объем:
4 модуля по 4 Гб
Быстрый просмотр
6446
Оперативная память 32Gb Kingston KVR26S19D8/32 DDR4 2666 SODIMM
Модуль памяти для ноутбука объем памяти 32ГБ DDR4 2666 МГц
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2666 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
21300 Мб/с
Объем:
1 модуль 32 Гб
Быстрый просмотр
6465
Оперативная память 8Gb Micron MTA4ATF1G64HZ-3G2E2 DDR4 3200 SODIMM PC4-25600
Оригинальный модуль памяти Micron 8 ГБ DDR4 SODIMM 260-pin 3200 МГц CL22 1.2 В
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3200 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
25600 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
6395
Оперативная память 8Gb Micron MTA8ATF1G64HZ-2G6D1 DDR4 2666 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Micron 8 ГБ DDR4 SODIMM 260-pin частота: 2666 МГц CL19
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2666 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
21300 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
6552
Оперативная память 8Gb Hynix HMA81GS6CJR8N-XN DDR4 3200 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Hynix 8 ГБ DDR4 SODIMM 260-pin частота: 3200 МГц CL22
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3200 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
25600 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
6454
Оперативная память 8Gb Micron MTA8ATF1G64HZ-2G6E1 DDR4 2666 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Micron 8 ГБ DDR4 SODIMM 260-pin частота: 2666 МГц CL19
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2666 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
21300 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
6534
Оперативная память 8GB Micron MTA4ATF1G64HZ-3G2E1 DDR4 3200MHz SODIMM CL22
Оригинальный модуль памяти Micron 8 ГБ DDR4 SODIMM 260-pin 3200 МГц тайминги: 22-22-22 1.2 В
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3200 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
25600 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
6606
Оперативная память 16Gb Samsung M471A2K43DB1-CWE DDR4 3200 SODIMM
Оригинальная планка памяти Samsung 16 ГБ DDR4 SODIMM 260-pin частота 3200 МГц
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3200 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Объем:
1 модуль 16 Гб
Поддержка ECC:
нет
Быстрый просмотр
6398/7993
Оперативная память 8Gbx2 Kingston HyperX HX426S15IBK2/16 DDR4 2666 SODIMM CL15
объем памяти: 16 ГБ (2 планки по 8 ГБ)
тип: DDR4 SODIMM 260-pin
тактовая частота: 2666 МГц
тайминги: 15-17-17
напряжение питания: 1.2 В
пропускная способность: PC21300
поддержка XMP: да
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2666 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
21300 Мб/с
Объем:
2 модуля по 8 Гб
Быстрый просмотр
5099
Оперативная память 8Gbx4 KIT HyperX HX424S15IB2K4/32 DDR4 2400 SODIMM
Набор на 32Gb, 4 модуля памяти DDR4 по 8 ГБ SODIMM, 260-контактный
частота 2400 МГц (CL): 15
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2400 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
19200 Мб/с
Объем:
4 модуля по 8 Гб
Быстрый просмотр
6644
Оперативная память 8Gb Samsung M471A1K43EB1-CWE DDR4 3200 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR4 8 ГБ SODIMM, 260-контактный 3200 МГц
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3200 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
25600 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
6819
Оперативная память 4Gb Ramaxel RMSA3270ME86H9F DDR4 2666 SODIMM CL19 RMSA3270ME86H9F
объем памяти: 4 ГБ
тип: DDR4 SODIMM 260-pin
тактовая частота: 2666 МГц
тайминги: 19
напряжение питания: 1.2 В
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2666 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
21300 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
6822
Оперативная память 32Gb Kingston ValueRAM KVR32S22D8/32 DDR4 3200 SODIMM
Оперативная память для ноутбука 32 ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3200 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
25600 Мб/с
Объем:
1 модуль 32 Гб
Быстрый просмотр
6821
Оперативная память 4Gb Ramaxel RMSA3310MJ86H9F-3200 DDR4 3200 SODIMM
объем памяти: 4 ГБ
тип: DDR4 SODIMM 260-pin
тактовая частота: 3200 МГц
тайминги: 19
напряжение питания: 1.2 В
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3200 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
25600 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
6952
Оперативная память 16Gb Samsung M474A2K43BB1-CPBQ DDR4 2133 SODIMM ECC
Оригинальный модуль памяти DDR4 16 ГБ SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц (CL): 17 поддержка ECC
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2133 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
17000 Мб/с
Объем:
1 модуль 16 Гб
Быстрый просмотр
6961
Оперативная память 16Gb Samsung M471A2G43AB2-CWE DDR4 3200 SODIMM
объем памяти: 16 ГБ
тип: DDR4 SODIMM 260-pin
тактовая частота: 3200 МГц
напряжение питания: 1.2 В
пропускная способность: PC25600
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3200 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
25600 Мб/с
Объем:
1 модуль 16 Гб
Быстрый просмотр
6989
Оперативная память 16Gb Samsung M471A2K43EB1-CWE DDR4 3200 SO-DIMM
объем памяти: 16 ГБ
тип: DDR4 SODIMM 260-pin
тактовая частота: 3200 МГц
напряжение питания: 1.2 В
пропускная способность: PC25600
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3200 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
25600 Мб/с
Объем:
1 модуль 16 Гб
Быстрый просмотр
7077
Оперативная память 8Gb Micron MTA8ATF1G64HZ-3G2R1 DDR4 3200 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Micron 8 ГБ DDR4 SODIMM 260-pin
частота: 3200 МГц CL22
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3200 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
25600 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб