Оперативная память 4Gb Micron MTA4ATF51264HZ-2G3E2 DDR4 2400 SO-DIMM
Обзор
- 1 модуль памяти DDR4
- объем модуля 4 ГБ
- форм-фактор SODIMM, 260-контактный
- частота 2400 МГц
- CAS Latency (CL): 17
Характеристики
| Тип памяти |
DDR4
|
| Тактовая частота (МГц) |
2400 МГц
|
| Форм-фактор |
для ноутбуков (SO-DIMM)
|
| Пропускная способность |
19200 Мб/с
|
| Объем |
1 модуль 4 Гб
|
| Поддержка ECC |
нет
|
| Буферизованная (Registered) |
нет
|
| Низкопрофильная (Low Profile) |
нет
|
| Бренд |
Micron
|
| Количество модулей в комплекте |
1
|
| Напряжение питания |
1.2 В
|
| Количество чипов каждого модуля |
4 односторонняя упаковка
|
Отзывы
Рекомендуем посмотреть
-
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2400 МГц
CAS Latency (CL): 17
-
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2400 МГц
CAS Latency (CL): 17
-
Samsung DDR4 2400 SO-DIMM 4Gb
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 4 Гб
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2400 МГц
CAS Latency (CL): 17
-
4Gb Hynix HMA851S6AFR6N
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 4 Гб
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2400 МГц
CAS Latency (CL): 17
-
4Gb Crucial CT4G4SFS824A
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 4 Гб
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2400 МГц
CAS Latency (CL): 17
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 171 800 ₽
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 171 500 ₽
Samsung DDR4 2400 SO-DIMM 4Gb 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 4 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 171 700 ₽
4Gb Hynix HMA851S6AFR6N 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 4 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 171 500 ₽