г. Москва, метро Савёловская, ул. Сущевский вал, 5 стр. 1, ВКЦ «Савёловский», павильон Е-09.
Пн-Вс. 10:00-20:00
Характеристики Оперативная память 4Gb Micron MTA4ATF51264HZ-2G3E2 DDR4 2400 SO-DIMM
Тип памяти
DDR4
Тактовая частота (МГц)
2400 МГц
Форм-фактор
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность
19200 Мб/с
Объем
1 модуль 4 Гб
Поддержка ECC
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Бренд
Micron
Количество модулей в комплекте
1
Напряжение питания
1.2 В
Количество чипов каждого модуля
4 односторонняя упаковка
Описание Оперативная память 4Gb Micron MTA4ATF51264HZ-2G3E2 DDR4 2400 SO-DIMM
- 1 модуль памяти DDR4
- объем модуля 4 ГБ
- форм-фактор SODIMM, 260-контактный
- частота 2400 МГц
- CAS Latency (CL): 17
Отзывы (0) Оперативная память 4Gb Micron MTA4ATF51264HZ-2G3E2 DDR4 2400 SO-DIMM
Похожие товары
