Оперативная память (Random Access Memory)
- Сортировать:
- Цена
- Название
- Хиты продаж
- Дата добавления
- В наличии
Сортировать:
Быстрый просмотр
340
Оперативная память 8GB Kingston KVR16N11/8 DDR3 1600 DIMM
Модуль памяти для компьютера KINGSTON KVR16N11/8 DDR3 - емкостью 8Гб, работающий с тактовой частотой 1,6 ГГц и пропускной способностью 12800 Мбит/с, с таймингами 11-11-11, с рабочим напряжением в 1,5 В,имеющий 240-контактный DIMM-разъем, представлена в низко-профильном исполнении.
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
3441
Оперативная память 8Gb Hynix HMA81GS6AFR8N-UH DDR4 2400 SO-DIMM
Оригинальный модуль памяти Hynix DDR4 8 Гб SODIMM 260-контактный частота 2400 МГц
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2400 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
19200 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
310
Оперативная память 4Gb Kingston KVR16N11S8/4 DDR3 1600 DIMM OEM
модуль памяти DDR3 4ГБ DIMM 240-контактный 1600МГц CL11
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
416
Оперативная память 4Gb Samsung M471B5173EB0-YK0 DDR3L 1600 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR3L 4 ГБ SODIMM 204-контактный 1600 МГц CL11
Тип памяти:
DDR3L
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
6989
Оперативная память 16Gb Samsung M471A2K43EB1-CWE DDR4 3200 SO-DIMM
объем памяти: 16 ГБ
тип: DDR4 SODIMM 260-pin
тактовая частота: 3200 МГц
напряжение питания: 1.2 В
пропускная способность: PC25600
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3200 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
25600 Мб/с
Объем:
1 модуль 16 Гб
Быстрый просмотр
2368
Оперативная память 8Gb Hynix HMT41GS6BFR8A-PB DDR3L 1600 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR3L 8 ГБ SODIMM 204-контактный 1600 МГц CL11
Тип памяти:
DDR3L
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
482
Оперативная память 4Gb Hynix HMT451S6BFR8A-PB DDR3L 1600 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR3L 4 ГБ SODIMM, 204-контактный 1600 МГц CL11
Тип памяти:
DDR3L
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
6333
Оперативная память 8Gb Samsung M471A1K43DB1-CWE DDR4 3200 SO-DIMM
Оригинальный модуль памяти Samsung 1 DDR4 8 Гб SODIMM, 260-контактный 3200 МГц CL22
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3200 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
25600 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
4748
Оперативная память 8Gb Samsung M471A1K43DB1-CTD DDR4 2666 SO-DIMM
модуль памяти DDR4 8 ГБ SODIMM частота 2666 МГц
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2666 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
21300 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
4419
Оперативная память 8Gb Samsung M471A1K43CB1-CTD DDR4 2666 SO-DIMM
Оригинальный модуль памяти Samsung DDR4 8 ГБ SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц (CL): 19
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2666 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
21300 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
6224
Оперативная память 8Gb Hynix HMA81GS6DJR8N-XN DDR4 3200 SODIMM
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 3200 МГц
CAS Latency (CL): 22
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3200 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
25600 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
7860
Оперативная память 16Gb Micron MTC8C1084S1SC56BD1 DDR5 5600 SODIMM
Модуль памяти для ноутбука 16Гб частота 5600
Тип памяти:
DDR5
Тактовая частота (МГц):
5600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
44800 Мб/с
Объем:
1 модуль 16 Гб
Быстрый просмотр
234
Оперативная память 8Gb Samsung M471B1G73EB0-YK0 DDR3L 1600 SO-DIMM
Samsung SO-DIMM 8Gb M471B1G73EB0-YK0, 1 модуль памяти DDR3L, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11,
Тип памяти:
DDR3L
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
4506
Оперативная память 8Gb Kingston KVR26S19S8/8 DDR4 2666 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Kingston DDR4 8 ГБ SODIMM 260-контактный частота 2666 МГц (CL): 19
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2666 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
21300 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
3932
Оперативная память 4Gb Samsung M471B5173DB0-YK0 DDR3L 1600 SODIMM
1 модуль памяти DDR3L 4 ГБ SODIMM 204-контактный 1600 МГц CL11
Тип памяти:
DDR3L
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
909
Оперативная память 8Gb Kingston KVR1333D3S9/8G DDR3 1333 SO-DIMM
Модуль памяти для ноутбука Kingston KVR1333D3S9/8G DDR3 - емкостью 8Гб, работающий с тактовой частотой 1,3 ГГц и пропускной способностью 10600 Мбит/с, с таймингами 9-9-9, с рабочим напряжением в 1,5 В,имеющий 204-контактный SODIMM-разъем.
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1333 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
10600 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
6362
Оперативная память 8Gb Samsung M471A1G44AB0-CWE DDR4 3200 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Samsung 8 ГБ DDR4 SODIMM 260-pin 3200 МГц 1.2 В PC25600
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3200 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
25600 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
1646
Оперативная память 4Gb Kingston KVR16LS11/4 DDR3L 1600 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR3L
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11
Тип памяти:
DDR3L
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
1620
Оперативная память 4Gb Kingston KVR16S11S8/4 DDR3 1600 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR3 4 ГБ SODIMM 204-контактный 1600 МГц CL11
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
7456
Оперативная память 16Gb Samsung M471A2K43DB1-CTD DDR4 2666 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Samsung DDR4 16 ГБ SODIMM 260-контактный частота 2666 МГц (CL): 19
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2666 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
21300 Мб/с
Объем:
1 модуль 16 Гб
Быстрый просмотр
4508
Оперативная память 16GB Samsung M378A2K43CB1-CTD DDR4 2666MHz DIMM
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 16 ГБ
форм-фактор DIMM, 288-контактный
частота 2666 МГц
CAS Latency (CL): 19
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2666 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
21300 Мб/с
Объем:
1 модуль 16 Гб
Быстрый просмотр
7635
Оперативная память 16Gb Samsung M425R2GA3BB0-CWM DDR5 5600 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Samsung M425R2GA3BB0-CWM0D 16ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГ
Тип памяти:
DDR5
Тактовая частота (МГц):
5600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
44800 Мб/с
Объем:
1 модуль 16 Гб
Быстрый просмотр
6465
Оперативная память 8Gb Micron MTA4ATF1G64HZ-3G2E2 DDR4 3200 SODIMM PC4-25600
Оригинальный модуль памяти Micron 8 ГБ DDR4 SODIMM 260-pin 3200 МГц CL22 1.2 В
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3200 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
25600 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
4616
Оперативная память 16Gbx4 KIT Kingston HyperX Predator HX430C15PB3K4/64 DDR4 3000 DIMM
Набор модулей памяти DDR4 HyperX Predator 4 шт. объемом 16 Гб с радиаторами для более эффективного охлаждения соответствует стандарту PC4-24000 (DDR4 3000 МГц) с частотой функционирования до 3000 МГц. Поддержка XMP
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3000 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
24000 Мб/с
Объем:
4 модуля по 16 Гб
Быстрый просмотр
6599
Оперативная память 8Gb Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN DDR4 3200 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Hynix 8 ГБ DDR4 SODIMM 260-pin 3200 МГц 22-22-22 PC25600
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3200 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
25600 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
3931
Оперативная память 4Gb Samsung M471B5173QH0-YK0 DDR3L 1600 SODIMM
1 модуль памяти DDR3L 4 ГБ SODIMM 204-контактный 1600 МГц CL11
Тип памяти:
DDR3L
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
6321
Оперативная память 8Gb Micron MTA8ATF1G64HZ-3G2J1 DDR4 3200 SODIMM
модуль памяти для ноутбука DDR4 8 ГБ SODIMM 3200 МГц
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3200 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
25600 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
6644
Оперативная память 8Gb Samsung M471A1K43EB1-CWE DDR4 3200 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR4 8 ГБ SODIMM, 260-контактный 3200 МГц
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3200 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
25600 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
2740
Оперативная память 8Gb Crucial CT102464BF160B DDR3L 1600 SO-DIMM
Модуль памяти Crucial 8Gb CT102464BF160B DDR3 SODIMM PC3-12800 CL11
Тип памяти:
DDR3L
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
3724
Оперативная память 4Gb Crucial CT51264BA160B DDR3 1600 DIMM
модуль памяти DDR3 4ГБ DIMM 240-контактный 1600МГц CL11
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб