Оперативная память 4Gb Micron MT8KTF51264HZ-1G6E1 DDR3L 1600 SO-DIMM
Обзор
- объем памяти: 4 ГБ
- тип: DDR3L SODIMM 204-pin
- тактовая частота: 1600 МГц
- тайминги: 11-11-11
- напряжение питания: 1.35 В
Характеристики
| Тип памяти |
DDR3L
|
| Тактовая частота (МГц) |
1600 МГц
|
| Форм-фактор |
для ноутбуков (SO-DIMM)
|
| Пропускная способность |
12800 Мб/с
|
| Объем |
1 модуль 4 Гб
|
| Поддержка ECC |
нет
|
| Буферизованная (Registered) |
нет
|
| Низкопрофильная (Low Profile) |
нет
|
| Бренд |
Micron
|
| Количество модулей в комплекте |
1
|
| Напряжение питания |
1.35 B
|
| Количество чипов каждого модуля |
8, двусторонняя упаковка
|
Отзывы
Рекомендуем посмотреть
-
объем памяти: 4 ГБ
тип: DDR3 SODIMM 204-pin
тактовая частота: 1600 МГц
напряжение питания: 1.35 В
пропускная способность: PC12800
16 чипов двухсторонняя
-
1 модуль памяти DDR3L
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11
-
1 модуль памяти DDR3L
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11
-
1 модуль памяти DDR3L
объем модуля 4 Гб
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11
-
Samsung M471B5173QH0-YK0,
1 модуль памяти DDR3L,
объем модуля 4 Гб,
форм-фактор SODIMM, 204-контактный,
частота 1600 МГц,
CAS Latency (CL): 11,
объем памяти: 4 ГБ тип: DDR3 SODIMM 204-pin тактовая частота: 1600 МГц напряжение питания: 1.35 В пропускная способность: PC12800 16 чипов двухсторонняя2 200 ₽
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 112 200 ₽
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 111 600 ₽
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 4 Гб форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 111 400 ₽
Samsung M471B5173QH0-YK0, 1 модуль памяти DDR3L, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11,2 200 ₽