Оперативная память 4Gb Micron MT8KTF51264HZ DDR3L 1600 SO-DIMM
Обзор
- объем памяти: 4 ГБ
- тип: DDR3L SODIMM 204-pin
- тактовая частота: 1600 МГц
- тайминги: 11-11-11
- напряжение питания: 1.35 В
Характеристики
Тип памяти |
DDR3L
|
Тактовая частота (МГц) |
1600 МГц
|
Форм-фактор |
для ноутбуков (SO-DIMM)
|
Пропускная способность |
12800 Мб/с
|
Объем |
1 модуль 4 Гб
|
Поддержка ECC |
нет
|
Буферизованная (Registered) |
нет
|
Низкопрофильная (Low Profile) |
нет
|
Бренд |
Micron
|
Количество модулей в комплекте |
1
|
Напряжение питания |
1.35 B
|
Количество чипов каждого модуля |
8, двусторонняя упаковка
|
Отзывы
С этим товаром покупают
-
жесткий диск для сервера
объем 4000 ГБ
форм-фактор 3.5"
интерфейс SATA 6Gbit/s
-
SSD диск для ноутбука и настольного компьютера
объем 480 ГБ
форм-фактор 2.5"
интерфейс SATA 6Gb/s
Рекомендуем посмотреть
-
объем памяти: 4 ГБ
тип: DDR3 SODIMM 204-pin
тактовая частота: 1600 МГц
напряжение питания: 1.35 В
пропускная способность: PC12800
16 чипов двухсторонняя
-
1 модуль памяти DDR3L
объем модуля 4 Гб
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11
-
4Gb Hynix HMT351S6EFR8A
1 модуль памяти DDR3L
объем модуля 4 Гб
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11
-
Samsung M471B5173QH0-YK0,
1 модуль памяти DDR3L,
объем модуля 4 Гб,
форм-фактор SODIMM, 204-контактный,
частота 1600 МГц,
CAS Latency (CL): 11,
-
1 модуль памяти DDR3L
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11