Оперативная память 4Gb Micron MT8KTF51264HZ-1G6E1 DDR3L 1600 SO-DIMM
Обзор
объем памяти: 4 ГБ
тип: DDR3L SODIMM 204-pin
тактовая частота: 1600 МГц
тайминги: 11-11-11
напряжение питания: 1.35 В
Характеристики
Тип памяти
DDR3L
Тактовая частота (МГц)
1600 МГц
Форм-фактор
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность
12800 Мб/с
Объем
1 модуль 4 Гб
Поддержка ECC
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Бренд
Micron
Количество модулей в комплекте
1
Напряжение питания
1.35 B
Количество чипов каждого модуля
8, двусторонняя упаковка
Отзывы
С этим товаром покупают
коэффициент теплопроводности 1.0 вт./(м-град) при -50 градусов Цельсия
Модуль памяти для компьютера Kingston KVR13N9S8/4 DDR3 - емкостью 4Гб, работающий с тактовой частотой 1,3 ГГц и пропускной способностью 10600 Мбит/с, с таймингами 9-9-9, с рабочим напряжением в 1,5 В,имеющий 240-контактный DIMM-разъем, представлена в низко-профильном исполнении.
емкость 1000 ГБ
для ноутбука и настольного компьютера
Форм-фактор: 2.5"
интерфейс SATA 6Gb/s
игровой
форм-фактор: 2.5"
емкость: 1000 ГБ
скорость чтения/записи: 560 МБ/с / 530 МБ/с
интерфейс подключения: SATA 6Gb/s
время наработки на отказ: 1500000 ч
Рекомендуем посмотреть
объем памяти: 4 ГБ
тип: DDR3L SODIMM 204-pin
тактовая частота: 1600 МГц
тайминги: 11-11-11
напряжение питания: 1.35 В
пропускная способность: PC12800
объем памяти: 4 ГБ
тип: DDR3 SODIMM 204-pin
тактовая частота: 1600 МГц
напряжение питания: 1.35 В
пропускная способность: PC12800
16 чипов двухсторонняя