Оперативная память 4Gb Samsung M471B5173BH0-CK0 DDR3 1600 SO-DIMM
Обзор
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11
Характеристики
Тип памяти
DDR3
Тактовая частота (МГц)
1600 МГц
Форм-фактор
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность
12800 Мб/с
Объем
1 модуль 4 Гб
Поддержка ECC
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Бренд
Samsung
Количество модулей в комплекте
1
Напряжение питания
1.5 В
Отзывы
С этим товаром покупают
Samsung 850 EVO 250 Гб - SSD-диск имеет контроллер Samsung MEX 400 МГц и 3D V-NAND TLC память.Представлен в форм-факторе 2.5" и имеет интерфейс SATA 6Gb/s.
Паста теплопроводная Arctic Cooling MX-2 Thermal Compound 4гр. 5.6WMK
Рекомендуем посмотреть
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1600 МГц
Количество чипов каждого модуля 16
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11
Samsung 850 EVO 250 Гб - SSD-диск имеет контроллер Samsung MEX 400 МГц и 3D V-NAND TLC память.Представлен в форм-факторе 2.5" и имеет интерфейс SATA 6Gb/s.5 500 Р
Паста теплопроводная Arctic Cooling MX-2 Thermal Compound 4гр. 5.6WMK500 Р
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 111 400 Р
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц Количество чипов каждого модуля 161 800 Р
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 112 400 Р
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 111 600 Р
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 111 300 Р