г. Москва, метро Савёловская, ул. Сущевский вал, 5 стр. 1, ВКЦ «Савёловский», павильон Е-09.
Пн-Вс. 11:00-20:00
Характеристики Оперативная память 2Gb Samsung M470T5663QZ3-CF7 DDR2 800 SODIMM
Тип памяти
DDR2
Тактовая частота (МГц)
800 МГц
Форм-фактор
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность
6400 Мб/с
Объем
1 модуль 2 Гб
Поддержка ECC
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Бренд
Samsung
Количество модулей в комплекте
1
Напряжение питания
1.8 В
Количество чипов каждого модуля
16, двусторонняя упаковка
Описание Оперативная память 2Gb Samsung M470T5663QZ3-CF7 DDR2 800 SODIMM
- 1 модуль памяти DDR2
- объем модуля 2 ГБ
- форм-фактор SODIMM, 200-контактный
- частота 800 МГц
- CAS Latency (CL): 6
- Теги:
- SAMSUNG
Отзывы (0) Оперативная память 2Gb Samsung M470T5663QZ3-CF7 DDR2 800 SODIMM
Похожие товары
