Характеристики Оперативная память 8Gb Samsung M425R1GB4PB0-CWM DDR5 5600 SODIMM
Тип памяти
DDR5
Тактовая частота (МГц)
5600 МГц
Пропускная способность
44800 Мб/с
Объем
1 модуль 8 Гб
Поддержка ECC
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Бренд
Samsung
Количество модулей в комплекте
1
Напряжение питания
1.1 В
Количество чипов каждого модуля
4 односторонняя упаковка
Описание Оперативная память 8Gb Samsung M425R1GB4PB0-CWM DDR5 5600 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Samsung M425R1GB4PB0-CWM
Емкость 8 ГБ
Форм-фактор SO-DIMM
Тип DDR5
Тактовая частота 5600 МГц
Пропускная способность 44800 МБ/с
CL 40
Тайминги 46-46-46
Напряжение 1,1 В
- Теги:
- SAMSUNG
Отзывы (0) Оперативная память 8Gb Samsung M425R1GB4PB0-CWM DDR5 5600 SODIMM
Средняя оценка покупателей:
0
0
0
0
0
Чтобы добавить отзыв, пожалуйста, зарегистрируйтесь или войдите
Похожие товары