Оперативная память 4Gb Samsung M471B5273EB0-CK0 DDR3 1600 SODIMM

1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11
Бренд
5270
1 300
Осталась 1 штука
5270
Товар в корзине
Оформить заказ в 1 клик

Характеристики Оперативная память 4Gb Samsung M471B5273EB0-CK0 DDR3 1600 SODIMM

Тип памяти
DDR3
Тактовая частота (МГц)
1600 МГц
Форм-фактор
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность
12800 Мб/с
Объем
1 модуль 4 Гб
Поддержка ECC
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Бренд
Samsung
Количество модулей в комплекте
1
Напряжение питания
1.5 В
Количество чипов каждого модуля
16, двусторонняя упаковка

Описание Оперативная память 4Gb Samsung M471B5273EB0-CK0 DDR3 1600 SODIMM

  • 1 модуль памяти DDR3
  • объем модуля 4 ГБ
  • форм-фактор SODIMM, 204-контактный
  • частота 1600 МГц
  • CAS Latency (CL): 11

Отзывы (0) Оперативная память 4Gb Samsung M471B5273EB0-CK0 DDR3 1600 SODIMM

Написать отзыв
Похожие товары
Цена:
1 490
- +
Оформить заказ в 1 клик
Цена:
1 000
- +
Оформить заказ в 1 клик
Цена:
1 000
- +
Оформить заказ в 1 клик
Цена:
1 000
- +
Оформить заказ в 1 клик
Цена:
1 000
- +
Оформить заказ в 1 клик
Цена:
1 000
- +
Оформить заказ в 1 клик
Москва
Ваш город Москва?
0