г. Москва, метро Савёловская, ул. Сущевский вал, 5 стр. 1, ВКЦ «Савёловский», павильон Е-09.
Пн-Вс. 10:00-20:00
Характеристики Оперативная память 4Gb Samsung M471B5273EB0-CK0 DDR3 1600 SODIMM
Тип памяти
DDR3
Тактовая частота (МГц)
1600 МГц
Форм-фактор
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность
12800 Мб/с
Объем
1 модуль 4 Гб
Поддержка ECC
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Бренд
Samsung
Количество модулей в комплекте
1
Напряжение питания
1.5 В
Количество чипов каждого модуля
16, двусторонняя упаковка
Описание Оперативная память 4Gb Samsung M471B5273EB0-CK0 DDR3 1600 SODIMM
- 1 модуль памяти DDR3
- объем модуля 4 ГБ
- форм-фактор SODIMM, 204-контактный
- частота 1600 МГц
- CAS Latency (CL): 11
Отзывы (0) Оперативная память 4Gb Samsung M471B5273EB0-CK0 DDR3 1600 SODIMM
Похожие товары
