Оперативная память 4Gb Samsung M471B5273DM0-CH9 DDR3 1333 SO-DIMM
Обзор
- 1 модуль памяти DDR3
- объем модуля 4 ГБ
- форм-фактор SODIMM, 204-контактный
- частота 1333 МГц
Характеристики
| Тип памяти |
DDR3
|
| Тактовая частота (МГц) |
1333 МГц
|
| Форм-фактор |
для ноутбуков (SO-DIMM)
|
| Пропускная способность |
10600 Мб/с
|
| Объем |
1 модуль 4 Гб
|
| Поддержка ECC |
нет
|
| Буферизованная (Registered) |
нет
|
| Низкопрофильная (Low Profile) |
нет
|
| Бренд |
Samsung
|
| Количество модулей в комплекте |
1
|
| Напряжение питания |
1.5 В
|
| Количество чипов каждого модуля |
8, двусторонняя упаковка
|
Отзывы
С этим товаром покупают
-
1 модуль памяти DDR3L
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11
Рекомендуем посмотреть
-
тип: DDR3
объем одного модуля: 4 ГБ
тактовая частота: 1333 МГц
Форм-фактор: SODIMM
количество модулей в комплекте: 1
-
Объем памяти комплекта: 4
Планок в комплекте: 1
Тип памяти: DDR3
Тактовая частота: 1333
CAS-латентность: CL9
-
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1333 МГц
CAS Latency (CL): 9
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 111 500 ₽
тип: DDR3 объем одного модуля: 4 ГБ тактовая частота: 1333 МГц Форм-фактор: SODIMM количество модулей в комплекте: 12 500 ₽
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1333 МГц CAS Latency (CL): 91 950 ₽