Оперативная память 4Gb Samsung M471A5143EB0-CPB DDR4 2133 SODIMM
Обзор
- 1 модуль памяти DDR4
- объем модуля 4 ГБ
- форм-фактор SODIMM, 260-контактный
- частота 2133 МГц
- CAS Latency (CL): 15
Характеристики
| Тип памяти |
DDR4
|
| Тактовая частота (МГц) |
2133 МГц
|
| Форм-фактор |
для ноутбуков (SO-DIMM)
|
| Пропускная способность |
17000 Мб/с
|
| Объем |
1 модуль 4 Гб
|
| Поддержка ECC |
нет
|
| Буферизованная (Registered) |
нет
|
| Низкопрофильная (Low Profile) |
нет
|
| Бренд |
Samsung
|
| Количество модулей в комплекте |
1
|
| Напряжение питания |
1.2 В
|
Отзывы
С этим товаром покупают
-
емкость 250 ГБ
для ноутбука и настольного компьютера
Форм-фактор: 2280
интерфейс PCI-E
разъем M.2
-
1 модуль памяти DDR3L
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11
Рекомендуем посмотреть
-
Объем памяти 4 ГБ
Тип DDR4 SODIMM 260-pin
Тактовая частота 2133 МГц
Тайминги 15-15-15-36
Напряжение питания 1.2 В
Пропускная способность PC17000
-
4Gb Hynix HMA451S6AFR8N
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 4 Гб
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2133 МГц
CAS Latency (CL): 15
емкость 250 ГБ для ноутбука и настольного компьютера Форм-фактор: 2280 интерфейс PCI-E разъем M.24 500 ₽
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 111 600 ₽
Объем памяти 4 ГБ Тип DDR4 SODIMM 260-pin Тактовая частота 2133 МГц Тайминги 15-15-15-36 Напряжение питания 1.2 В Пропускная способность PC170001 500 ₽
4Gb Hynix HMA451S6AFR8N 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 4 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 151 500 ₽