Оперативная память 4Gb Hynix HMT351S6BFR8C-H9 DDR3 1333 SO-DIMM 16chip
Обзор
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1333 МГц
16, двусторонняя упаковка
Характеристики
Тип памяти
DDR3
Тактовая частота (МГц)
1333 МГц
Форм-фактор
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность
10600 Мб/с
Объем
1 модуль 4 Гб
Поддержка ECC
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Бренд
Hynix
Количество модулей в комплекте
1
Напряжение питания
1.5 В
Количество чипов каждого модуля
16, двусторонняя упаковка
Отзывы
С этим товаром покупают
Модуль памяти для компьютера KINGSTON KVR16N11/8 DDR3 - емкостью 8Гб, работающий с тактовой частотой 1,6 ГГц и пропускной способностью 12800 Мбит/с, с таймингами 11-11-11, с рабочим напряжением в 1,5 В,имеющий 240-контактный DIMM-разъем, представлена в низко-профильном исполнении.
SSD диск для ноутбука и настольного компьютера
объем 500 Гб
форм-фактор 2.5"
интерфейс SATA 6Gb/s
Рекомендуем посмотреть
Объем памяти комплекта: 4
Планок в комплекте: 1
Тип памяти: DDR3
Тактовая частота: 1333
CAS-латентность: CL9
объем памяти: 8 ГБ
тип: DDR3 SODIMM 204-pin
тактовая частота: 1333 МГц
тайминги: 9-9-9
напряжение питания: 1.5 В
1 модуль памяти DDR3,
объем модуля 4 Гб,
форм-фактор SODIMM, 204-контактный,
частота 1600 МГц,
CAS Latency (CL): 11
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1333 МГц
CAS Latency (CL): 9
Количество чипов каждого модуля 16, двусторонняя упаковка
Модуль памяти для компьютера KINGSTON KVR16N11/8 DDR3 - емкостью 8Гб, работающий с тактовой частотой 1,6 ГГц и пропускной способностью 12800 Мбит/с, с таймингами 11-11-11, с рабочим напряжением в 1,5 В,имеющий 240-контактный DIMM-разъем, представлена в низко-профильном исполнении.2 700 ₽![Твердотельный накопитель 500Gb Samsung 860 EVO MZ-76E500BW 2.5"](/wa-data/public/shop/products/34/23/2334/images/3058/3058.200x0.jpg "Твердотельный накопитель 500Gb Samsung 860 EVO MZ-76E500BW 2.5"")
SSD диск для ноутбука и настольного компьютера объем 500 Гб форм-фактор 2.5" интерфейс SATA 6Gb/s6 500 ₽
Объем памяти комплекта: 4 Планок в комплекте: 1 Тип памяти: DDR3 Тактовая частота: 1333 CAS-латентность: CL91 850 ₽
объем памяти: 8 ГБ тип: DDR3 SODIMM 204-pin тактовая частота: 1333 МГц тайминги: 9-9-9 напряжение питания: 1.5 В2 500 ₽
1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 112 000 ₽
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1333 МГц CAS Latency (CL): 9 Количество чипов каждого модуля 16, двусторонняя упаковка2 500 ₽