Характеристики Оперативная память 4Gb Hynix HMA851S6CJR6N-XN DDR4 3200 SODIMM
Тип памяти
DDR4
Тактовая частота (МГц)
3200 МГц
Форм-фактор
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность
24000 Мб/с
Объем
1 модуль 4 Гб
Поддержка ECC
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Бренд
Hynix
Количество модулей в комплекте
1
Напряжение питания
1.2 В
Количество чипов каждого модуля
4 односторонняя упаковка
Описание Оперативная память 4Gb Hynix HMA851S6CJR6N-XN DDR4 3200 SODIMM
- объем памяти: 4 ГБ
- тип: DDR4 SODIMM 260-pin
- тактовая частота: 3200 МГц
- тайминги: 22-22-22
- напряжение питания: 1.2 В