Оперативная память 1Gb Samsung M470L2923DV0-CB3 DDR 2700 SODIMM
Обзор
- 1 модуль памяти DDR
- объем модуля 1 ГБ
- форм-фактор SODIMM, 200-контактный
- частота 333 МГц
- CAS Latency (CL): 2.5
Характеристики
Тип памяти |
DDR
|
Тактовая частота (МГц) |
333 МГц
|
Форм-фактор |
для ноутбуков (SO-DIMM)
|
Пропускная способность |
2700 Мб/с
|
Объем |
1 модуль 1 Гб
|
Поддержка ECC |
нет
|
Буферизованная (Registered) |
нет
|
Низкопрофильная (Low Profile) |
нет
|
Бренд |
Samsung
|
Количество модулей в комплекте |
1
|
Напряжение питания |
2.5 B
|
Количество чипов каждого модуля |
16, двусторонняя упаковка
|
Отзывы