Оперативная память 1Gb Samsung M470L2923DV0-CB3 DDR 2700 SODIMM

1 модуль памяти DDR объем модуля 1 ГБ форм-фактор SODIMM, 200-контактный частота 333 МГц CAS Latency (CL): 2.5
Бренд
4981
Нет в наличии
Сообщить о поступлении
Сообщить о поступлении товара
Ваша просьба принята!

Вы получите уведомление о поступлении товара в продажу на указанные Вами контакты
Ваш E-Mail
Актуальность
- обязательно к заполнению
Проверка...

Характеристики Оперативная память 1Gb Samsung M470L2923DV0-CB3 DDR 2700 SODIMM

Тип памяти
DDR
Тактовая частота (МГц)
333 МГц
Форм-фактор
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность
2700 Мб/с
Объем
1 модуль 1 Гб
Поддержка ECC
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Бренд
Samsung
Количество модулей в комплекте
1
Напряжение питания
2.5 B
Количество чипов каждого модуля
16, двусторонняя упаковка

Описание Оперативная память 1Gb Samsung M470L2923DV0-CB3 DDR 2700 SODIMM

  • 1 модуль памяти DDR
  • объем модуля 1 ГБ
  • форм-фактор SODIMM, 200-контактный
  • частота 333 МГц
  • CAS Latency (CL): 2.5

Отзывы (0) Оперативная память 1Gb Samsung M470L2923DV0-CB3 DDR 2700 SODIMM

Чтобы добавить отзыв, пожалуйста, зарегистрируйтесь или войдите
Москва
Ваш город Москва?
0