Характеристики Оперативная память 1Gb Samsung M470L2923DV0-CB3 DDR 2700 SODIMM
Тип памяти
DDR
Тактовая частота (МГц)
333 МГц
Форм-фактор
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность
2700 Мб/с
Объем
1 модуль 1 Гб
Поддержка ECC
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Бренд
Samsung
Количество модулей в комплекте
1
Напряжение питания
2.5 B
Количество чипов каждого модуля
16, двусторонняя упаковка
Описание Оперативная память 1Gb Samsung M470L2923DV0-CB3 DDR 2700 SODIMM
- 1 модуль памяти DDR
- объем модуля 1 ГБ
- форм-фактор SODIMM, 200-контактный
- частота 333 МГц
- CAS Latency (CL): 2.5
Отзывы (0) Оперативная память 1Gb Samsung M470L2923DV0-CB3 DDR 2700 SODIMM
Чтобы добавить отзыв, пожалуйста, зарегистрируйтесь или войдите