Оперативная память 4Gb PC3-12800 1600MHz DDR3 DIMM Hynix
Категории: Оперативная память (Random Access Memory), Для ПК (DIMM), DDR 3
Обзор
- 1 модуль памяти DDR3
- объем модуля 4 Гб
- форм-фактор DIMM, 240-контактный
- частота 1600 МГц
Характеристики
| Тип памяти | DDR3 |
| Тактовая частота (МГц) | 1600 МГц |
| Пропускная способность | 12800 Мб/с |
| Объем | 1 модуль 4 Гб |
| Поддержка ECC | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Бренд | Hynix |
| Количество модулей в комплекте | 1 |
| Напряжение питания | 1.5 В |
Отзывы
-
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 Гб форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц1 250 Р -
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 8 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 113 090 Р -
коэффициент теплопроводности 1.0 вт./(м-град) при -50 градусов Цельсия100 Р -
Intel Core i5-4590, 4-ядерный процессор, Socket LGA1150, частота 3300 МГц, объем кэша L2/L3: 1024 Кб/6144 Кб, ядро Haswell (2013), техпроцесс 22 нм, интегрированное графическое ядро, встроенный контроллер памяти,13 000 Р
-
Intel Core i3-6100 3.7 GHz / 2core / SVGA HD Graphics 530 / 0.5+ 3Mb / 51W / 8 GT / s LGA11517 500 Р
-
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 111 200 Р -
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 111 800 Р -
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 111 400 Р -
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 111 500 Р
