Оперативная память 4Gb Crucial CT51264BA160B DDR3 1600 DIMM
Категории: Оперативная память (Random Access Memory), Для ПК (DIMM), DDR 3
Обзор
- 1 модуль памяти DDR3
- объем модуля 4 ГБ
- форм-фактор DIMM, 240-контактный
- частота 1600 МГц
- CAS Latency (CL): 11
Характеристики
| Тип памяти | DDR3 |
| Тактовая частота (МГц) | 1600 МГц |
| Форм-фактор | для компьютеров (DIMM) |
| Пропускная способность | 12800 Мб/с |
| Объем | 1 модуль 4 Гб |
| Поддержка ECC | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Бренд | Crucial |
| Количество модулей в комплекте | 1 |
| Напряжение питания | 1.5 В |
| Количество чипов каждого модуля | 16, двусторонняя упаковка |
Отзывы
-
Жесткий диск Toshiba DT01ACA050 500 Мб, для настольного компьютера, 3.5", SATA 6Gb/s, 500 Гб, буфер 32 Мб, скорость вращения 7200 rpm2 120 Р -
ASRock H81 Pro BTC R2.0 (RTL) LGA1150 PCI-E Dsub+HDMI GbLAN SATA ATX 2DDR34 500 Р -
Samsung 850 EVO 250 Гб - SSD-диск имеет контроллер Samsung MEX 400 МГц и 3D V-NAND TLC память.Представлен в форм-факторе 2.5" и имеет интерфейс SATA 6Gb/s.5 900 Р -
Паста теплопроводная Arctic Cooling MX-2 Thermal Compound 4гр. 5.6WMK500 Р
-
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц1 300 Р -
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 111 800 Р -
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11 16 chip1 350 Р -
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 111 350 Р
