Для ноутбуков (SODIMM)
- Сортировать:
- Цена
- Название
- Хиты продаж
- Дата добавления
- В наличии
Сортировать:
Быстрый просмотр
3931
Оперативная память 4Gb Samsung M471B5173QH0-YK0 DDR3L 1600 SODIMM
1 модуль памяти DDR3L 4 ГБ SODIMM 204-контактный 1600 МГц CL11
Тип памяти:
DDR3L
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
3958
Оперативная память 4Gb Hynix HMT351S6EFR8A-PB DDR3L 1600 SO-DIMM 16chip
4Gb Hynix HMT351S6EFR8A
1 модуль памяти DDR3L
объем модуля 4 Гб
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11
Тип памяти:
DDR3L
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
3086
Оперативная память 4Gb Crucial CT51264BF160BJ DDR-3L 1600 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR3L
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
4329
Оперативная память 4Gb Samsung M471B5273DH0-CK0 DDR3 1600 SO-DIMM 16chip
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1600 МГц
Количество чипов каждого модуля 16
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
4441
Оперативная память 4Gb Hynix HMT451S6DFR8A-PB DDR3L 1600 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR3 4 ГБ SODIMM, 204-контактный 1600 МГц
Тип памяти:
DDR3L
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
3797
Оперативная память 8Gb Samsung M471A1G43DB0-CPB DDR4 2133 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2133 МГц
CAS Latency (CL): 15
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2133 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
17000 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
4506
Оперативная память 8Gb Kingston KVR26S19S8/8 DDR4 2666 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Kingston DDR4 8 ГБ SODIMM 260-контактный частота 2666 МГц (CL): 19
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2666 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
21300 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
4860
Оперативная память 4Gb Hynix HMA851S6CJR6N-VK DDR4 2666 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Hynix DDR4 4 ГБ SODIMM 260-контактный частота 2666 МГц (CL): 19
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2400 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
19200 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
4562
Оперативная память 4Gb Samsung M471B5173BH0-YK0 DDR3L 1600 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR3L
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11
Тип памяти:
DDR3L
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
4636
Оперативная память 4Gb Micron MTA4ATF51264HZ-2G3E2 DDR4 2400 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR4 4 ГБ SODIMM, 260-контактный 2400 МГц CL17
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2400 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
19200 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
3168
Оперативная память 8Gb Patriot PSD38G16002S DDR3 1600 SODIMM
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
4748
Оперативная память 8Gb Samsung M471A1K43DB1-CTD DDR4 2666 SO-DIMM
модуль памяти DDR4 8 ГБ SODIMM частота 2666 МГц
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2666 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
21300 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
4546
Оперативная память 4Gb Samsung M471A5143SB1-CRC DDR4 2400 SO-DDR
модуль памяти DDR4 4 ГБ SODIMM 2400 МГц (CL): 17
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2400 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
19200 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
3910
Оперативная память 4Gb Crucial CT51264BF160B DDR3 1600 SODIMM
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
3669
Оперативная память 8GB Micron MTA16ATF1G64HZ-2G1B1 DDR4 2133 SO-DIMM
модуль памяти для ноутбука DDR4 8 Гб SODIMM частота 2133 МГц (CL): 15
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2133 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
17000 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
4980
Оперативная память 2Gb Hynix HYMP125S64CP8-S6 DDR2 800 SODIMM
Оперативная память DDR2 2Gb 800 Mhz Hynix HYMP125S64CP8-S6 PC2-6400 So-Dimm для ноутбука
Тип памяти:
DDR2
Тактовая частота (МГц):
800 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
6400 Мб/с
Объем:
1 модуль 2 Гб
Быстрый просмотр
3992
Оперативная память 4Gb Hynix HMT451S6AFR8A-PB DDR3L 1600 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR3L 4 ГБ SODIMM 204-контактный 1600 МГц CL11
Тип памяти:
DDR3L
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
4476
Оперативная память 4Gb Hynix HMT351S6CFR8C-PB DDR3 1600 SODIMM 16Chip
1 модуль памяти DDR3 4 ГБ SODIMM 204-контактный 1600 МГц
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
5068
Оперативная память 8Gb Kingston KCP426SS8/8 DDR4 2666 SO-DIMM CL17
Оригинальный модуль памяти Kingston DDR4 8 ГБ SODIMM 260-контактный 2666 МГц CL19
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2666 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
21300 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
5099
Оперативная память 8Gbx4 KIT HyperX HX424S15IB2K4/32 DDR4 2400 SODIMM
Набор на 32Gb, 4 модуля памяти DDR4 по 8 ГБ SODIMM, 260-контактный
частота 2400 МГц (CL): 15
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2400 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
19200 Мб/с
Объем:
4 модуля по 8 Гб
Быстрый просмотр
5200
Оперативная память 4Gb Hynix HMA851S6JJR6N-VK DDR4 2666 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Hynix 4 ГБ SODIMM 260-контактный частота 2666 МГц (CL): 19
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2666 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
21300 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
5539
Оперативная память 4Gb Hynix HMT351S6BFR8C-H9 DDR3 1333 SO-DIMM 16chip
4 ГБ SODIMM, 204-контактный 1333 16 чипов двусторонняя упаковка
Тип памяти:
DDR3
Тактовая частота (МГц):
1333 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
10600 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Хит!
Быстрый просмотр
5878
Оперативная память 4Gb Samsung M471A5244CB0-CWE DDR4 3200MHz SODIMM
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 3200 МГц
CAS Latency (CL): 11
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3200 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
25600 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
6143
Оперативная память 8Gb Kingston KVR32S22S8/8 DDR4 3200 SODIMM
Оригинальная планка памяти Kingston 8 ГБ DDR4 SODIMM 260-pin частота 3200 МГц CL22 напряжение питания 1.2 В
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3200 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
25600 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
3395
Оперативная память 4Gb HyperX Impact HX316LS9IB/4 DDR3 1600 SODIMM
Тип памяти:
DDR3L
Тактовая частота (МГц):
1600 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
12800 Мб/с
Объем:
1 модуль 4 Гб
Быстрый просмотр
6224
Оперативная память 8Gb Hynix HMA81GS6DJR8N-XN DDR4 3200 SODIMM
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 3200 МГц
CAS Latency (CL): 22
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3200 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
25600 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб
Быстрый просмотр
6241
Оперативная память 16Gb Kingston ValueRAM KVR32S22S8/16 DDR4 3200 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Kingston DDR4 16 ГБ SODIMM 260-контактный 3200 МГц (CL): 22
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3200 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
25600 Мб/с
Объем:
1 модуль 16 Гб
Быстрый просмотр
6249
Оперативная память 16Gb Kingston KVR32S22D8/16 DDR4 3200 SODIMM CL22
Оригинальный модуль памяти Kingston DDR4 16 ГБ SODIMM 260-контактный 3200 МГц (CL): 22
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
3200 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
25600 Мб/с
Объем:
1 модуль 16 Гб
Быстрый просмотр
4098
Оперативная память 8Gb Micron MTA8ATF1G64HZ-2G6H1 DDR4 2666 SODIMM
Оригинальный модуль Micron DDR4 8 ГБ SODIMM, 260-контактный 2666 МГц CL19
Тип памяти:
DDR4
Тактовая частота (МГц):
2666 МГц
Форм-фактор:
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность:
21300 Мб/с
Объем:
1 модуль 8 Гб