Характеристики Оперативная память 8Gb Hynix HMCG66MEBUA081N DDR5 4800 DIMM
Тип памяти
DDR5
Тактовая частота (МГц)
4800 МГц
Форм-фактор
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность
38400 Мб/с
Объем
1 модуль 8 Гб
Поддержка ECC
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Бренд
Hynix
Количество модулей в комплекте
1
Напряжение питания
1.1 В
Количество чипов каждого модуля
4 односторонняя упаковка
Описание Оперативная память 8Gb Hynix HMCG66MEBUA081N DDR5 4800 DIMM
Оригинальная оперативная память HYNIX HMCG66MEBUA081N
объем одного модуля 8 ГБ
тип DDR5 DIMM 288-pin
тактовая частота 4800 МГц
тайминги 40-40-40
напряжение питания 1.1 В
пропускная способность PC38400
- Теги:
- SAMSUNG
Отзывы (0) Оперативная память 8Gb Hynix HMCG66MEBUA081N DDR5 4800 DIMM
Похожие товары
