Оперативная память 4Gb Samsung M471B5273CM0-CH9 DDR3 1333 SO-DIMM
Обзор
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1333 МГц CAS Latency (CL): 9
Характеристики
Тип памяти
DDR3
Тактовая частота (МГц)
1333 МГц
Форм-фактор
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность
10600 Мб/с
Объем
1 модуль 4 Гб
Поддержка ECC
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Бренд
Samsung
Количество модулей в комплекте
1
Напряжение питания
1.5 В
Количество чипов каждого модуля
8, двусторонняя упаковка
Отзывы
Рекомендуем посмотреть
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1333 МГц
16, двусторонняя упаковка
1 модуль памяти DDR3,
объем модуля 4 Гб,
форм-фактор SODIMM, 204-контактный,
частота 1600 МГц,
CAS Latency (CL): 11
Модуль памяти для ноутбука KVR1333D3S9/4G DDR3 - емкостью 4Гб, работающий с тактовой частотой 1,3 ГГц и пропускной способностью 10600 Мбит/с, с таймингами 9-9-9, с рабочим напряжением в 1,5 В,имеющий 204-контактный SODIMM-разъем, количество чипов каждого модуля 16, двусторонняя упаковка
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1333 МГц
CAS Latency (CL): 9
Количество чипов каждого модуля 16, двусторонняя упаковка
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1333 МГц 16, двусторонняя упаковка2 000 Р
1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 111 800 Р
Модуль памяти для ноутбука KVR1333D3S9/4G DDR3 - емкостью 4Гб, работающий с тактовой частотой 1,3 ГГц и пропускной способностью 10600 Мбит/с, с таймингами 9-9-9, с рабочим напряжением в 1,5 В,имеющий 204-контактный SODIMM-разъем, количество чипов каждого модуля 16, двусторонняя упаковка2 000 Р
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1333 МГц CAS Latency (CL): 9 Количество чипов каждого модуля 16, двусторонняя упаковка2 000 Р