г. Москва, метро Савёловская, ул. Сущевский вал, 5 стр. 1, ВКЦ «Савёловский», павильон Е-09.
Пн-Вс. 11:00-20:00
Характеристики Оперативная память 4Gb Samsung M471A5244BB0-CRC DDR4 2400 SO-DIMM
Тип памяти
DDR4
Тактовая частота (МГц)
2400 МГц
Форм-фактор
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность
19200 Мб/с
Объем
1 модуль 4 Гб
Поддержка ECC
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Бренд
Samsung
Количество модулей в комплекте
1
Напряжение питания
1.2 В
Описание Оперативная память 4Gb Samsung M471A5244BB0-CRC DDR4 2400 SO-DIMM
Samsung DDR4 2400 SO-DIMM 4Gb
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 4 Гб
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2400 МГц
CAS Latency (CL): 17
Отзывы (0) Оперативная память 4Gb Samsung M471A5244BB0-CRC DDR4 2400 SO-DIMM
Похожие товары
