г. Москва, метро Савёловская, ул. Сущевский вал, 5 стр. 1, ВКЦ «Савёловский», павильон Е-09.
Пн-Вс. 10:00-20:00
Характеристики Оперативная память 4Gb Samsung M378B5273DH0-CH9 DDR3 1333 DIMM 16Chip
Тип памяти
DDR3
Тактовая частота (МГц)
1333 МГц
Форм-фактор
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность
10600 Мб/с
Объем
1 модуль 4 Гб
Поддержка ECC
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Бренд
Samsung
Количество модулей в комплекте
1
Напряжение питания
1.5 В
Количество чипов каждого модуля
16, двусторонняя упаковка
Описание Оперативная память 4Gb Samsung M378B5273DH0-CH9 DDR3 1333 DIMM 16Chip
- 1 модуль памяти DDR3
- объем модуля 4 ГБ
- форм-фактор DIMM, 240-контактный
- частота 1333 МГц
- CAS Latency (CL): 9
- Количество чипов каждого модуля 16, двусторонняя упаковка
- Теги:
- SAMSUNG
Отзывы (0) Оперативная память 4Gb Samsung M378B5273DH0-CH9 DDR3 1333 DIMM 16Chip
Похожие товары
Быстрый просмотр
308
Оперативная память 4Gb Kingston KVR1333D3N9/4G DDR3 1333 DIMM 16 chip Low Profile
