Оперативная память 4Gb Samsung M378B5273DH0-CH9 DDR3 1333 DIMM 16Chip
Обзор
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1333 МГц
CAS Latency (CL): 9
Количество чипов каждого модуля 16, двусторонняя упаковка
Характеристики
Тип памяти
DDR3
Тактовая частота (МГц)
1333 МГц
Форм-фактор
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность
10600 Мб/с
Объем
1 модуль 4 Гб
Поддержка ECC
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Бренд
Samsung
Количество модулей в комплекте
1
Напряжение питания
1.5 В
Количество чипов каждого модуля
16, двусторонняя упаковка
Отзывы
С этим товаром покупают
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11
Количество чипов каждого модуля 16
Производитель: Arctic Cooling
Тип термоинтерфейса: термопаста
Теплопроводность: 8.5 Вт/(м⋅К)
Модуль памяти для компьютера Kingston KVR13N9S8/4 DDR3 - емкостью 4Гб, работающий с тактовой частотой 1,3 ГГц и пропускной способностью 10600 Мбит/с, с таймингами 9-9-9, с рабочим напряжением в 1,5 В,имеющий 240-контактный DIMM-разъем, представлена в низко-профильном исполнении.
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1333 МГц
CAS Latency (CL): 9
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1333 МГц
Количество чипов каждого модуля 16
Рекомендуем посмотреть
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 4 Гб
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1333 МГц
CAS Latency (CL): 9
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1333 МГц
Количество чипов каждого модуля 16
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11
Количество чипов каждого модуля 16