Оперативная память 4Gb Samsung M378B5273DH0-CH9 DDR3 1333 DIMM 16Chip
Категории: Оперативная память (Random Access Memory), Для ПК (DIMM), DDR 3
Обзор
- 1 модуль памяти DDR3
- объем модуля 4 ГБ
- форм-фактор DIMM, 240-контактный
- частота 1333 МГц
- CAS Latency (CL): 9
- Количество чипов каждого модуля 16, двусторонняя упаковка
Характеристики
| Тип памяти | DDR3 |
| Тактовая частота (МГц) | 1333 МГц |
| Форм-фактор | для компьютеров (DIMM) |
| Пропускная способность | 10600 Мб/с |
| Объем | 1 модуль 4 Гб |
| Поддержка ECC | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Бренд | Samsung |
| Количество модулей в комплекте | 1 |
| Напряжение питания | 1.5 В |
| Количество чипов каждого модуля | 16, двусторонняя упаковка |
Отзывы
-
Модуль памяти для ноутбука Samsung M471B5173EB0-YK0 SO-DDR3L - емкостью 4Гб, работающий с тактовой частотой 1,6 ГГц и пропускной способностью 12800 Мбит/с, с таймингами 11-11-11, с пониженным рабочим напряжением в 1,35 В,имеющий 204-контактный SO-DIMM-разъем.1 400 ₽ -
Производитель: Arctic Cooling Тип термоинтерфейса: термопаста Теплопроводность: 8.5 Вт/(м⋅К)800 ₽ -
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11 Количество чипов каждого модуля 161 900 ₽
-
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 Гб форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1333 МГц CAS Latency (CL): 91 800 ₽ -
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11 Количество чипов каждого модуля 161 900 ₽
-
Модуль памяти для компьютера Kingston KVR13N9S8/4 DDR3 - емкостью 4Гб, работающий с тактовой частотой 1,3 ГГц и пропускной способностью 10600 Мбит/с, с таймингами 9-9-9, с рабочим напряжением в 1,5 В,имеющий 240-контактный DIMM-разъем, представлена в низко-профильном исполнении.1 800 ₽
