Тип внутренний
Объем 500 ГБ
Форм-фактор M.2
Интерфейс M.2 PCI-E 3.0 4x
Тип памяти 3D TLC NAND
Внешняя скорость записи 2300 МБ/с
Внешняя скорость считывания 3500 МБ/с
Ударостойкость при работе 1500 G
Наработка на отказ 1.5 млн. ч
IOPS записи 390 тыс
IOPS считывания 360 тыс
TBW 300 ТБ
DWPD 0.3 раз/день