Характеристики Оперативная память 4Gb Micron MTA4ATF51264HZ-2G6E3 DDR4 2666 SODIMM
Тип памяти
DDR4
Тактовая частота (МГц)
2666 МГц
Форм-фактор
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность
21300 Мб/с
Объем
1 модуль 4 Гб
Поддержка ECC
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Бренд
Micron
Количество модулей в комплекте
1
Напряжение питания
1.2 В
Описание Оперативная память 4Gb Micron MTA4ATF51264HZ-2G6E3 DDR4 2666 SODIMM
- объем памяти: 4 ГБ
- тип: DDR4 SODIMM 260-pin
- тактовая частота: 2666 МГц
- тайминги: 19-19-19
- напряжение питания: 1.2 В
Отзывы (0) Оперативная память 4Gb Micron MTA4ATF51264HZ-2G6E3 DDR4 2666 SODIMM
Похожие товары
Быстрый просмотр
6819
Оперативная память 4Gb Ramaxel RMSA3270ME86H9F DDR4 2666 SODIMM CL19 RMSA3270ME86H9F
