Характеристики Оперативная память 4Gb Micron MTA4ATF51264AZ-2G3E1 DDR4 2400 DIMM
Тип памяти
DDR4
Тактовая частота (МГц)
2400 МГц
Форм-фактор
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность
19200 Мб/с
Объем
1 модуль 4 Гб
Поддержка ECC
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Бренд
Micron
Количество модулей в комплекте
1
Напряжение питания
1.2 В
Количество чипов каждого модуля
4 односторонняя упаковка
Описание Оперативная память 4Gb Micron MTA4ATF51264AZ-2G3E1 DDR4 2400 DIMM
- объем памяти: 4 ГБ
- тип: DDR4 DIMM 288-pin
- тактовая частота: 2400 МГц
- тайминги: 16
- напряжение питания: 1.2 В
Отзывы (0) Оперативная память 4Gb Micron MTA4ATF51264AZ-2G3E1 DDR4 2400 DIMM
Похожие товары
