Характеристики Оперативная память 4Gb Micron MT16KTF51264AZ-1G6M1 DDR3 1600 SODIMM
Тип памяти
DDR3L
Тактовая частота (МГц)
1600 МГц
Форм-фактор
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность
12800 Мб/с
Объем
1 модуль 4 Гб
Поддержка ECC
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Бренд
Micron
Количество модулей в комплекте
1
Напряжение питания
1.35 B
Количество чипов каждого модуля
16, двусторонняя упаковка
Описание Оперативная память 4Gb Micron MT16KTF51264AZ-1G6M1 DDR3 1600 SODIMM
- объем памяти: 4 ГБ
- тип: DDR3 SODIMM 204-pin
- тактовая частота: 1600 МГц
- напряжение питания: 1.35 В
- пропускная способность: PC12800
- 16 чипов двухсторонняя
Отзывы (0) Оперативная память 4Gb Micron MT16KTF51264AZ-1G6M1 DDR3 1600 SODIMM
Чтобы добавить отзыв, пожалуйста, зарегистрируйтесь или войдите
Похожие товары
