Характеристики Оперативная память 16Gb Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN DDR4 3200 SODIMM
Тип памяти
DDR4
Тактовая частота (МГц)
3200 МГц
Форм-фактор
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность
25600 Мб/с
Объем
1 модуль 16 Гб
Поддержка ECC
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Бренд
Hynix
Количество модулей в комплекте
1
Напряжение питания
1.2 В
Количество чипов каждого модуля
8, двусторонняя упаковка
Описание Оперативная память 16Gb Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN DDR4 3200 SODIMM
оригинальный модуль памяти Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN
объем памяти: 16 ГБ
тип: DDR4 SODIMM 260-pin
тактовая частота: 3200 МГц
напряжение питания: 1.2 В
пропускная способность: PC25600
Отзывы (0) Оперативная память 16Gb Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN DDR4 3200 SODIMM
Чтобы добавить отзыв, пожалуйста, зарегистрируйтесь или войдите
Похожие товары
